提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。

本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温

本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法，包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连；S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架

中阶梯光栅的刻划： ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅，中阶梯光栅的二维分光系统，具备更高的分辨能力，使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大

中红外光谱技术被广泛应用于医疗诊断、军事侦察、工业控制、环境监测等领域。其中，中红外光源是实现中红外技术的核心部件之一。作为二维层状材料家族的新兴成员，黑磷（BP）已因其独特的性能而得到广泛研究。

产品详细介绍性能与特点: 1、 根据人体基本结构,将安检门探测区划分为6个相互重叠的网状探测区域。采用单一频率激励技术，并在探测区内形成十分均匀的垂直磁场密度，穿透力强，探测灵敏度高，并消除了探测区域的“弱区”和“盲区”。 2 、六组探测区域均可进行100级灵敏度的调整，可根据实际应用状况，预先设定灵敏度的级别，并可对整体灵敏度进行相应的设置。最高灵敏度可探测到一枚回形针大小的金属，可在排除皮带扣、钥匙、首饰、硬币等物品，检测到管制刀具和枪支或金属物品。 3、针对各种使用环境的电磁干扰（EMI），对整个系统进行了电磁兼容设计（EMC），并对违禁物品采样信号使用DSP处理流进行相关运算和滤波，从而使得整套设备具有极强的电磁抗干扰能力。 4、具有国际领先防震、抗干扰技术，门体晃动的时候可以不误报。 5、可设定多组工作频率，使得多台设备并排相邻工作时，互不干扰。 6、预留的通讯接口采用防雷设计（ESD），可实施远程通讯操作。 7、可自行在控制面板上修改密码及调节灵敏度，也可通过遥控器对门体进行控制。 8、双侧两对红外对射进行扫描，迅速响应相关的探测信号，复位速度极快，可进行大流量的检测（60~70人/分钟，如不报警，通过人数还可加倍）。 9、采用先进的计数器，能精准的对通过人数进行快速统计，统计人数准确。 10、两测门柱安装门柱灯，可直观地显示违禁物品所在的区域，视角可达180度，每侧门灯由120个灯炮组成。 11、可以选装摄像头，抓拍报警人员，数据可进行远程通讯。 12、超大LCD显示屏，中英文等多种语言可供切换，菜单式选择，操作简单方便。 13、拥有多种选择的声光报警方式，便于识别，并可按客户要求调节音量大小。 14、对人体无害: 对人体内的心脏起博器、孕妇、磁性软盘、磁带、录像带等无害。 15 、门体采用豪华型特珠材料制成，表面耐磨、耐腐蚀、防水、防潮和防火，并且不变形。 16、采用符合当前适用环境的所有国际安全标准。 17、门体颜色有黑、白、红等到，如客户订单数量大也可按客户要求选用门体颜色。 l   技术标准： 电器参照EN60950安全标准执行 辐射参照EN50081-1标准执行 抗干扰参照EN50082-1标准执行 符合标准: GB15210-2003《通过式金属探测门通用技术规范》 l 技术参数: 外接电源：90V —250V     50/60Hz 功耗：35W 工作环境：-20摄氏度— +45摄氏度 运输全重：约75kg 整机重量：约70kg 工作频率：根据安装环境自行调节 外形尺寸：(mm)2220(高) x 820(宽) x 522(深) 通道尺寸：(mm)2000(高) x 700(宽) x 522(深)

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO₂，将光刻的图形转移到 SiO₂层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面

股骨干骨折在临床上较常见，但由于骨折位置深，且周围肌肉收缩可产生强大的应力，如果采用石膏的外固定等非手术治疗方式则无法达到骨折的基本复位要求，效果较差。股骨干骨折的治疗方法很多，但其基本治疗原则是使骨折达到解剖复位或基本解剖复位，固定牢靠，有利于术后患者早期活动，促进骨折愈合，防止或减轻膝关节粘连，使膝关节功能得到最大限度恢复。因此，绝大多数股骨干骨折需切开复位内固定。内固定材料有钢板，髓内钉两大类，以往应用普通钢板及非交锁髓内钉，虽有一定的效果，但是由于其自身设计的缺陷，并发症较多，疗效不甚满意

 基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术，可实现低成本、批量化生产，并具有和微电子单片集成的潜力，是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连，也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。  在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下，针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题，提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构，形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程，成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。  该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑，也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”，对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底，Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。