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一种以 PEO-LDPE 合金为基体的含铜节育材料及其器件
本发明公开了一种以 PEO-LDPE 合金为基体的含铜节育材料即 Cu/PEO-LDPE 复合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基体及分布 其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 体 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 为 Cu/PEO-LDPE 复合材料总重量的 0.5～30％(优选值 5～15％)。相较于 Cu/LDPE 节育材料，
华中科技大学
2021-04-14
一种两性分子改性的钙钛矿光电功能材料及其应用
本发明公开了一种有机两性分子改性的 MzAyBXz+y+2 钙钛矿 基光电功能材料，其特征在于，该功能材料是以 ABX3 钙钛矿材料为 基 体 ， 以 有 机 两 性 分 子 M 为 改 性 成 分 ， 其 化 学 通 式 表 示 为 MzAyBXz+y+2。本发明还公开了所述光电功能材料的制备方法及其应 用。本发明所用的基体材料与改性材料成本低廉，原料丰富；此外， 制备方法可采用全溶液法，制备工艺简单，无需昂贵的设备仪器，同
华中科技大学
2021-04-14
一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法
本发明公开了一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法，该光电逻辑门包括相互配合使用的第一正光电导器件和第一负光电导器件，用于接收第一光信号；第一正光电导器件采用二氧化锡纳米颗粒；第一负光电导器件采用二氧化锡/碳纳米管复合材料；第一正光电导器件和第一负光电导器件均具有供能电极和输出电极；第一正光电导器件的输出电极与第一负光电导器件的输出电极相连，作为输出逻辑运算结果的端口用于输出逻辑运算结果，该逻辑运算结果受第一光信号影响。本发明利用二氧化锡/碳纳米管复合材料的负光电导效应，提高了负光电导器件
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置
本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置， 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元，其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切，模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元，模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定，废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明，各个模块单元之间相互联系，共同协作，实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程，同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
两亲性Pt(II)配合物气致发光变色性质及存储器件
通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。
中山大学
2021-04-13
一种用于温度探测的双稀土金属－有机框架材料及其合成方法
本发明公开的双稀土金属－有机框架材料，其结构式为：（EuxTb1-x）Ln，式中L为2，5－二甲氧基对苯二甲酸，2，5－二乙氧基对苯二甲酸，3，5－二甲氧基对苯二甲酸或3，5－二乙氧基对苯二甲酸，0＜X≤0.5，n＝1～4。其制备采用将含铕和铽的稀土盐与含有羧酸基团的有机配体L进行溶剂热反应即可，工艺简单，产率较高。该双稀土金属－有机框架材料同时具有稀土铕和铽的特征发光峰，且两峰的强度比与温度具有较好的线性关系，可实现自校准温度探测，其发光效率高，在10－300K的温度范围内发光颜色随着温度的变化而变化，可望作为一种新型温度传感材料在低温探测领域获得实际应用。
浙江大学
2021-04-11
关于第十届全国大学生光电设计竞赛有关事项的通知
第十届全国大学生光电设计竞赛
第十届竞赛组委会
2022-03-24
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10