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一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词： 发光二极管
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所属领域:
人工智能
项目成果/简介:

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉

积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含

掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。

还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电

致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子

点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复

合。此外，利用银纳

项目阶段:
试用
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