本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管,包括硅衬底,沉 积银纳米颗粒层,以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜,透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法,利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性,构成发光二极管的发光有源层;利用掺杂可以钝化量子 点,同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外,利用银纳