产品详细介绍 TDZT-04铁电性能综合测试仪    关键词:铁电材料参数测试仪,铁电子材料测试仪,铁电测试仪 一、产品介绍：  TDZT-04型铁电性能综合测试仪是适用于铁电薄膜、铁电体材料（既可块体材料）的电性能测量，可测量铁电薄膜电滞回线，可测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。 前言：铁电材料具有良好的铁电性、压电性、热释电性以及非线性光学等特性, 是当前技术材料中非常活跃的研究领域之一，其研究热点正向实用化发展。 背景：高性能的铁电材料是一类具有广泛应用前景的功能材料,从目前的研究现状来看,对于具有高性能的铁电材料的研究和开发应用仍然处于发展阶段.研究者们选用不同的铁电材料进行研究,并不断探索制备工艺,只是到目前为止对于铁电材料的一些性能的研究还没有达到令人满意的地步.比如,用于制备铁电复合材料的陶瓷粉体和聚合物的种类还很单一,对其复合界面的理论研究也刚刚开始,铁电记忆器件抗疲劳特性的研究还有待发展。 一、产品介绍：  TDZT-04型是铁电材料参数测试仪适用于铁电薄膜、铁电体材料（既可块体材料）的电性能测量，可测量铁电薄膜电滞回线，可测出具有非对称电滞回线铁电薄膜的Pr值。 主要技术指标：1.输出信号电压：：薄膜：0～±10V 陶瓷、材料：0～±2000V2.输出信号频率：薄膜材料1-1000HZ，陶瓷：0-1Hz3.电容范围：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。4.电流范围: 1nA～10A ,精度: ≤1%。5、测试样品：0-20mm  5个6、高压样品池：2个，一个封闭式：8CM*6CM 一个开放式：8CM*5CM7、三维移动薄膜测试平台：直立式探针一套，角度式探针一套8、电流：1-10倍放大，信号：1-20倍。.数据结口：USB或BNC接口。9. 数据采集分析软件： 能画出铁电薄膜的电滞回线，定量得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流等参数;可以进行铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试，电阻测量，漏电流测量。 10.可以配合ZJ-3和ZJ-6型压电测试仪操作

产品详细介绍YZZ-10 直流电阻测试仪     仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪   一．概述 本直流电阻测试仪采用单片机控制，大屏幕汉字液晶显示，具有打印输出功能（及232接口）。仪器八个档位均由软件校正，精度达万分之一。可自动换档。机器体积小、重量轻、耗电省、测试数据稳定可靠。是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。是测量电力变压器等各种感性负载电阻及低压开关接触电阻、电线电缆或焊缝接口电阻的理想仪器。 二．工作原理 本仪器内有一个直流恒流源。在测量时，机器向被试品馈入恒流，该电流在被测体上产生相应的压降，这一电压值取回本机，经放大采样计算后得出电阻值。（R=U/I） 三．技术指标 1、使用条件： 环境温度：   -15℃～40℃ 相对温度：   ≤85％RH 2、测量范围：1K档：1---999.9Ω; 1Ω档：0.1 ---999.9mΩ 3、测量精度：0.2%±5个字 4、分辨率：  1μΩ 5、恒流源：  1A/5ma（2A/10ma） 6、可交流   （AC220V）工作也可直流工作 功耗：≤15W(25W) 7、外形尺寸：330×300×160mm 8、重量：    3.8kg 2KΩ  

产品详细介绍KY-DRX-RW导热系数测试仪（瞬变平面热流法）   采用先进的瞬变平面热流法，具有方便、快捷、精确的特点，可用来测量各种不同类型材料的热导率、热扩散率以及热熔，适用的热导系数范围0.015～100 w/m·k之间,适用样品类型：固体、粉末、涂层、薄膜、液体、各向异性材料等多种材料。参照标准：GB5598-85,GB3399-82,GB11205-89 主要技术参数： 1、            导热系数范围：0.005～10.0 w/m·k.(金属材料范围可达到0.1～100w/m·k) 2、            样品:直径:30mm或50mm,厚:0.01mm～2mm或0.1mm～45mm 3、            采用高精度18位A/D，高分辨率，1µv的数据采集卡，对试样数据进行采集分析。 4、            操作采用全自动热分析测试软件，快速准确对样品进行试验过程参数分析和报告输出。 5、            精度≤±3%,重复性≤±1% 6、            热扩散率测量精度：5% 7、            比热测量精度：7% 8、            测量温度范围20～1000℃。亦可定制-200℃～600℃ 规格。 9、配有完整的测试系统及软件平台。 10、操作采用全自动热分析测试软件，快速准确对样品进行试验过程参数分析和报告输出。 11、可配接不同的接头满足多种环境下的检测。  

一、产品简介     在光纤的使用过程中，光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题：1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤；2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。这两种情况都要考虑一系列因素，包括光纤的数值孔径、光纤的纤芯尺寸、光纤纤芯的折射率分布等，除此之外还要考虑光源的尺寸、辐射强度和光功率的角度分布等。每种连接方法都会受制于一些特定的条件，它们在连接点处都将导致不同数量的光功率损耗。这些损耗取决于一定参数，诸如连接点的输入功率分布、光源与连接点之间的光纤长度、在连接点处相连的两根光纤的几何特性与波导特性以及光纤头端面的质量等等。此外，多模光纤之间的连接和单模光纤之间的连接所产生的光功率损耗也有较大差异，需要区别对待。   该实验仪就是我公司针对以上问题而开发的，通过实验平台的搭建，可以让学生更深刻的了解光纤耦合的相关参数和特性，也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力。 二、实验内容 1、650nm激光器与光纤耦合实验 2、1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 3、相同模式光纤之间耦合实验 4、不同模式光纤之间耦合实验 5、光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 三、实验配置参数 1、平台组件，导轨长度：500mm； 2、光源，波长650/1550±2nm；输出功率≥0.5mW；输出尾纤FC/PC(可定制)； 3、光功率计：400-1100nm；输入接口：航空插头；校准波长633nm；测量范围：-65dB~10dB； 4、软件：配套仪器使用，数据采集处理； 5、配置：光源，光功率计，光纤跳线，法兰盘，准直器，显微物镜，实验操作平台，实验指导书及实验录像光盘等。

一、产品介绍         “MXY8301 LED/LD光谱分布测试仪”是一款能够探测与分析各种光源在可见谱区范围内分布的“CCD快速光谱仪”，它的探测器是线阵CCD多通道探测器，能够探测各种颜色LED发光管和其他发光体的光谱分布。 由以下几部分构成：由狭缝、分光光栅、凹面镜和线阵CCD光谱探测器等部件构成； 狭缝：仪器信号光输入口为可调缝宽的狭缝（缝宽可调）； 被测LED安装装置：用来安装被测LED等光源； 被测LD安装装置：用来安装被测LD光源； 衍射光栅：采用600lp/mm的衍射光栅对入射光进行分光； 凹面镜：将分出的发射光谱汇聚到线阵CCD像敏阵列上； 光谱探测器：用线阵CCD传感器为探测器，以便同步获得更多的光谱谱线； 数据采集：仪器采用12位A/D数据采集系统；以便获得更高的“强度”分辨率； 接口方式：采用0接口方式与计算机连接； 二、教学目的 1、能够同步快速探测可见光范围的多通道光谱，并对谱线进行分析； 2、进行“LED光谱分布的测量实验”，学习光谱探测原理与光谱分析方法； 3、进行“LED发光光谱半宽度的测量实验”认识LED发光光谱特性和测量方法； 4、利用设备提供的“SDK”软件开发包进行课程设计与毕业设计； 三、实验内容 1、测试各种颜色LED的光谱分布； 2、测试LD半导体激光器的光谱分布； 3、测试其他光的光谱分布；

7631耐压测试仪 –True RMS 量测线路 –可设定爬升时间 (0.1s-10s) –支持 Remote 远程控制信号 –7630 为 2 通道测试、7631 为 8 通道测试 –USB Host 可储存配置文件案及韧体的更新 –电弧侦测功能检测线圈是否有细微的放电现象 –提供 AC 耐压 5000V、DC 耐压 6000V、绝缘阻抗 12GΩ – 7631 可外接 7508/7516(8/16) 信道扩充扫描盒，满足车用线或 PCB车用测试   ‒高压输出安全开关，进行测试时需要将此端口进行短路机台才能输出测试电压 ‒测试运行中若该端口发生开路现象，机台会立即停止测试(停止输出电压) ‒机台画面同步会显示INTER LOCK ‒抗电强度 确保电子材料足以抵抗瞬间高电压的测试 例如：检测制程造成的漏电距离和电气间隙不足的瑕疵产品   ‒漏电流 预防产品发生故障或瑕疵所导致的危害，进行漏电流测试，如确保线材 绝缘层因制程破坏导致线材本身产生超出漏电流规范值的不良情况 ‒绝缘电阻 在某些安全规范下，会先要求做决元电阻，再进行耐压测试，主要检测产 品的绝缘特性是否符合标准范围，测试结果以电阻值Ω表示     关注微信公众号，看产品视频  

实验内容 1、了解 HALL 效应的基本原理； 2、测量 HALL 样品在恒定磁场条件下，霍尔工作电 流与霍尔电压的函数关系； 3、测量 HALL 样品在恒定霍尔工作电流条件下，霍 尔电压与外加磁场的关系； 4、测量变温情况下，温度与霍尔系数，载流子浓度 之间的关系； 5、通过实验得出在不同温度下样品的霍尔系数和载 流子浓度，计算禁带宽

现阶段所设计的存算一体器件单元结构如图 1 所示： 器件的基本结构由波导和功能层（由下到上分为加热层、电极层、保护层、相变材料（硫系化合物）层）所构成。拟通过在当前流行的绝缘层上硅(SOI)光子平台上集成四氮化三硅光波导的方式实现器件的光学读取功能，即在非常厚的硅衬底层上生长一层绝缘层二氧化硅和波导层，然后在基片上通过光刻、显影、刻蚀等工艺制备四氮化三硅波导。功能层主要用于实现器件的电学写入功能。加热器层的主要用途是与相变材料层形成电接触，通过较小的接触面积使接触处的热量集中，从而可以在较小的电压或电流下使相变材料发生相变。因此需要加热器层具备较好的导热和导电性能，同时在近 C 波段具有较低的光损耗，可采用石墨烯。电极层可用于提供相变材料器件单元所需要的编程电脉冲。当前拟采用硒掺杂的相变材料合金（如 GSST）作为器件的核心功能层的相变材料。该材料在通信/非通信波段显示了极低的光损耗和更高的品质因数，且相变前后在通信 C 波段具有足够大的光学常数反差，可在更恶劣的高温环境下进行操作，适用于硅基光子器件应用。 采用的主要技术手段包括： ① 依托于相变材料的电致和光致相变特性，通过电学编程、光学读取的方法实现器件的存储、算术运算和逻辑运算功能：  存储功能的实现：拟利用相变材料晶态低透过率和非晶态高透过率分别代表二进制中的‘1’和‘0’，实现数据存储（编程）功能。例如在电极两端施加合适的电脉冲，所产生电流流经加热层时，生成的热量主要集中在加热层和相变材料层接触处，使得接触处的相变材料发生相变，实现存储功能。在完成上述编程操作后，从器件波导输入端输入读取连续光。由于相变材料功能层对光强的吸收能力在编程和非编程区域间存在着显著的差异，因此当输入光经过波导后，其能量会因为相变材料编程区域的吸收而发生改变，进而显著改变输出光强能量。所以通过测量输入输出光强的能量之比（即透过率），可实现对先前编程区域的读取。  算术和逻辑功能的实现：通过调整编程电脉冲的幅度和宽度可以动态调控相变材料的相变程度，使得器件的中间透过率值可用于代表不同的数值，实现多级存储功能。所以拟采用输入脉冲数量对应加数的方法实现标量加法计算。同时由于所设计器件的读取连续光输出功率可视为读取连续光输入功率和器件透过率的乘积，因此可采用将输入功率和透过率作为被乘数和乘数的方法实现基本乘法运算。除此之外还可以将器件功能层的初始状态设置为非晶相，把晶化脉冲幅值和不足以产生晶化的脉冲幅值分别作为输入逻辑‘1’和‘0’；同时设定一个判定阈值并与编程后器件透过率的变化率进行对比，把高于和低于阈值的透过率变化率分别作为输出逻辑 ‘1’和‘0’；通过合理选择编程脉冲有望实现各种逻辑功能输出。 ② 基于器件透射率可调特性验证其实现神经突触的可行性。并依托所设计人工突触构建人工神经网络芯片，实现图像、语音和文本识别功能：  突触可塑性是大脑记忆和学习的神经生物学基础，也是人工类脑器件需要实现的首要功能。为实现突触可塑性，拟把相变材料和波导之间的耦合区域视为仿生神经突触，左右两端电极分别代表突触前和突触后，分别施加在两端电极上的电脉冲则作为突触前和突触后刺激。通过调节从左右两端电极输入耦合区域的电脉冲时间差对耦合区域的光透过率进行连续调控，进而依托于上述存算理论模型和实物器件仿真和实验实现仿生神经突触的脉冲时序依赖可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  将不同波长的光脉冲序列输入所设计的突触单元, 经过相变材料的作用，脉冲强度发生变化，对应于乘法器。进而借助于微环结构，将不同波长的脉冲导入进同一波导中，该功能类似加法器。相加后的脉冲光强较小时，读取光与微环发生共振，在输出端口没有光强输出。当光强达到一定的阈值后，读取信号不再和微环发生共振，而是传播到输出端口。这一过程类似神经元脉冲信号的激发，实现了非线性激活函数的功能。利用上述的单个神经元结构，验证其监督式机器学习和非监督式机器学习。对于监督式机器学习，权重的数值通过外部管理器设置；对于非监督式机器学习，不再需要外部管理器来设置权重值，而是通过输出光脉冲进行反馈控制，调整权重值。在单个神经元结构的基础上，更复杂的光学脉冲神经网络结构，证明该结构的可扩展性。拟设计的神经网络中的每一层结构包括三个功能单元，即收集器、分发器和神经突触结构。收集器将上一层不同波长的光脉冲信号收集到同一根波导中，分发器将光脉冲分发给多个神经元，神经突触结构则产生光脉冲信号，输入给下一层结构。基于上述结构实现图片、语音和文本的识别。 创新性分析：①首次研究了一款基于“电学编程、光学读取”模式的光电混合存算一体化器件。与传统电学存算一体化器件相比,拟研发的器件可以进行长距离的信息传输，具有传输带宽高、信号间延迟低、损耗低、抗干扰、集成密度高等优点。②采用硒(Se)掺杂的相变材料作为存算一体化器件的核心功能材料。与采用其他相变材料的存算一体器件相比，以硒参杂的相变材料作为功能材料的存算一体器件有望展现出极低的光损耗。③提出了一种基于“电学脉冲刺激、光学权重调节”的人工神经突触。该突触器件有望成为未来通用型人工神经突触，填补了光电混合型人工突触的技术空白。 先进性分析：①所提出的光电混合工作模式使得该存算一体化器件不但具有传统集成电路的高密度特性，且兼具光通信技术的宽频带、低延迟、抗干扰的优越性能。②所采用硒参杂的相变材料不但继承了传统材料具有的快速相变转化速度、低功耗和稳定性强等特性，且本身在通信波段非晶态透明的同时还保持了相变前后足够大的光学性能差异的特点。③所设计的突触继承了人工电子突触和全光突触的优点，具有高集成度、低功耗、超快响应时间、稳定性强等优点。 独占性分析：根据已取得成果正在撰写专利，以获得该关键技术的独有权。 

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

一种具有微纳结构的α-Fe2O3光电极的制备方法，具体作法是：取不锈钢片和钛片，用砂纸抛光，清洗，将洗净的材料超声处理，取出备用；配制电镀液，以钛片做阴极，不锈钢片做阳极，采用稳压直流电源电镀时间分别3-5s，室温30℃，电镀完后将钛片取出，洗净，晾干，得纳米铁立方体，再将覆盖有纳米铁立方体的钛片至于马弗炉中焙烧，取出即得微纳结构的α-Fe2O3光电极。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；同时用该法制备的所制得的微纳结构的α-Fe2O3呈球形，可以对光进行全方位的反射，同时微米球表面分布很多纳米带，可进一步增强电极的比表面积，作为光电极，其光的利用率高，电流密度大。