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智能光电检测系列产品
振幅测量不但可广泛应用于材料的探伤，机械系统的故障诊断，结构件的动态特性分析及振动的有限元计算结果验证，而且在噪声消除以及超声电机的研究中发挥着重要的作用。目前国内外进行振动测量大多采用加速度传感器和激光多普勒测振，但是它们都只能进行单点测量，因而测量速度很慢。近年来，电子散斑振动测量发展很快。大振幅测量系统国内外已有初级产品出售，其价格也非常昂贵。价格高
西安交通大学
2021-01-12
基于光电读出技术的浓度检测
浓度是衡量工业产品质量的一项非常重要的指标，采用光学原理测量浓度的方法如旋光法、分光光度法、干涉法、折射率法等，光学方法采用非接触式测量手段能够方便快速测量液体浓度，但诸多光学方法存在成本高、灵敏度低和测量范围窄等不足之处，为了避免现有技术所存在的不足，提出了一种基于光电读出技术的浓度检测仪，在降低装置成本的基础上能有效提高光电检测透明溶液浓度的灵敏度，并实现设备小型化。
安徽理工大学
2021-04-13
微仪光电（天津）有限公司
微仪光电（天津）有限公司
2022-05-24
创维光电科技（深圳）有限公司
创维光电科技（深圳）有限公司
2022-11-01
一种检测TNF-α的光电免疫传感器及其制备方法和应用
本发明公开了一种检测TNF?α的光电免疫传感器及其制备方法和应用，光基底电极表面依次经GO?PTC?NH2溶液、anti?TNF?α溶液修饰，所述基底电极为玻碳电极或氧化铟锡半导体电极。本发明利用GO?PTC?NH2纳米复合物制备光电免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法，与传统的酶联免疫吸附以及PCR等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速的特点，所使用的光电探针摒弃了传统金属材料等的光腐蚀等弊端，稳定性较好且负载量大，功能化基团多，便于修饰。
东南大学
2021-04-11
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学
2021-04-14
混沌辅助的光子动量快速转换的新原理
光子首先从纳米波导直接折射进入微腔混沌模式，其角动量较小，对应于光子在微腔界面的反射角较小。与旋转对称微腔不同，混沌运动使得光子角动量不断发生变化。尤其引人注目的是，微腔内的混沌光子运动并非毫无规律，而是遵循特定的短时动力学规律，从而实现入射光子的角动量在皮秒时间尺度内（一皮秒相当于一万亿分之一秒）随混沌运动从小到大的快速转换。当混沌光子的角动量接近回音壁模式角动量时，二者之间可以发生共振隧穿过程。得益于光子角动量在混沌运动中的快速转换，此创新方法可以实现纳米尺度波导与回音壁光学模式的超宽带耦合。
北京大学
2021-04-11
一种光片显微成像转换装置
本发明公开了一种光片显微成像转换装置，包括：光片激光光 源、样品夹持器、以及运动器；所述光片激光光源，产生光片激光， 水平照射在被固定于样品夹持器样品上；所述运动器，与样品夹持器 连接，用于带动样品夹持器在与竖直方向夹角小于 15 度方向上运动。 本发明提供的光片显微成像转换装置，是一种小型化、低成本的转换 装置，能通过加装在普通的倒置荧光显微镜上，使其具备光片显微成 像的能力，通过少量改装实现三维成像上的质的突破，
华中科技大学
2021-04-14
具有优异吸附热转换性能的介孔MOF
设计了一类具有蜂窝状一维孔道的新型三维框架。由于使用了二次对称的金属草酸根链和三次对称的有机桥联配体，其孔道直径大约是配体桥联长度的四倍。因此，使用三种普通的三角形有机配体，就合成了孔径约为2-4 nm的三例新型介孔框架MCF-61、MCF-62和MCF-63，其孔容为1.19-2.36 cm3g-1，BET表面积为2096-2749 m2g-1。以温室效应可忽略的R-134a（1,1,1,2-Tetrafluoroethane）作为吸附质时，这些材料体现出介孔材料的IV型吸附等温线，而且吸附量突跃的压力随孔径增大而增大。在日常所需的吸附制冷或热泵以及常见的低温热源温度下，MCF-63可实现高达1.19 g g-1或0.38 g cm-3的循环工作量，远高于具有相似孔容和表面积，但孔径分布不均且具有I型吸附等温线的多孔碳材料。上述结果不但为PCP/MOF提供了一种新的框架模型，还展示了介孔材料在吸附热转换应用的潜力。
中山大学
2021-04-13
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14