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一种基于轮廓特征的金属零件增材制造方法
本发明公开了一种基于轮廓特征的金属零件增材制造方法，包括以下步骤：①建立金属零件 CAD 几何模型，并提取 STL 模型；②根据零件轮廓特征及复杂程度确定其制造方向，并进行零件增材制造的路径规划；③利用分层切片软件对 STL 模型进行合理切片，由计算机根据这些轮廓信息生成控制指令；④板料送料机构在控制指令的控制下送出设定宽度及厚度的板料并剪断；⑤在电阻焊或摩擦搅拌焊产生的热量及辊压作用下完成层与层之间的焊合，同时复合同工位铣削完成轮廓毛刺的去除；重复上述④至⑤过程，直至完成整个零件的成形加工，如未达
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于节理发育岩体的轮廓爆破方法
本发明公开了一种适用于节理发育岩体的轮廓爆破方法，属于水利水电工程技术领域。本发明方法 包括如下步骤:向轮廓爆破孔中装入炸药与起爆器材，装药段中仅在靠近堵塞段的孔口和孔底处采用加 强装药结构;然后灌入水泥浆，使水泥浆利用其自重对轮廓爆破孔及其周边的节理、裂隙进行填充，在 水泥浆初凝前引爆炸药。本发明用水泥浆作耦合介质，能充填炮孔及其周围岩体的节理裂隙，提高岩体 的强度与整体性，在爆炸冲击压力作用下
武汉大学
2021-04-14
教创赛专家报告荟萃⑩ | 华中科技大学光学与电子信息学院程孟凡：“智驭AI”——光电学科“训AI促学”能力培养范式创新与实践
华中科技大学光电信息学院在“智驭AI”实践中，参考建构主义学习为核心的理念思路，构建“设计-实践-反思”的教学迭代循环，实现学生能力达成。
高等教育博览会
2025-09-28
智能光电检测系列产品
振幅测量不但可广泛应用于材料的探伤，机械系统的故障诊断，结构件的动态特性分析及振动的有限元计算结果验证，而且在噪声消除以及超声电机的研究中发挥着重要的作用。目前国内外进行振动测量大多采用加速度传感器和激光多普勒测振，但是它们都只能进行单点测量，因而测量速度很慢。近年来，电子散斑振动测量发展很快。大振幅测量系统国内外已有初级产品出售，其价格也非常昂贵。价格高
西安交通大学
2021-01-12
基于光电读出技术的浓度检测
浓度是衡量工业产品质量的一项非常重要的指标，采用光学原理测量浓度的方法如旋光法、分光光度法、干涉法、折射率法等，光学方法采用非接触式测量手段能够方便快速测量液体浓度，但诸多光学方法存在成本高、灵敏度低和测量范围窄等不足之处，为了避免现有技术所存在的不足，提出了一种基于光电读出技术的浓度检测仪，在降低装置成本的基础上能有效提高光电检测透明溶液浓度的灵敏度，并实现设备小型化。
安徽理工大学
2021-04-13
创维光电科技（深圳）有限公司
创维光电科技（深圳）有限公司
2022-11-01
光电感烟探测器
产品详细介绍
ExodusOH是一款采用光学与热源多功能结合的烟感探测器，通过热源后增强处理，数字式漂移补偿功能与先进的微处理技术相结合，对快燃性火警具有超强探测灵敏度。同时，精致的光学室具有超强的抗误报能力。适用于：住宅区、办公商务场所或容易发生火警的场所。
北京赢科迅捷科技发展有限公司
2021-08-23
电子镇痛仪
由于创伤、切口和其它原因产生的疼痛是大多数人都经历过，且都不愿意再经历的极不舒服的感觉。
电子镇痛仪是利用经皮电刺激（Transcutaneous Electrical Nerve Stimulator，简称：TENS）原理研制的具有较好镇痛效果，且无毒副作用的电子仪器。2002年美国市场以电子绷带名称出现的TENS被R&D杂志评为当年度最有益健康的100项发明之一。美国市场售价在$120——$1050。国内也有类似产品，但由于对原理理解不足，所以使用时针刺感较强，镇痛效果不明显，同时仪器体积较大。
电子镇痛仪操作简单，将刺激电极安置于疼痛区域周围，使疼痛区域在两电极之间。调节刺激强度，根据感觉程度可以逐步增强，使之在可耐受范围内的上限即可。通常使用30——40分钟后，停止使用。每天使用1——4次就可以起到明显效果。
大连理工大学
2025-02-21
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学
2021-04-14