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我国成功实现51比特超导量子簇态制备和验证
中国科学家继2017年起先后完成10比特、12比特、18比特的真纠缠态制备之后，在量子科技领域又一次刷新世界纪录——成功实现51比特超导量子簇态制备和验证。
科创中国
2023-07-17
中国科学技术大学展示量子热机优越性
中国科学技术大学中科院微观磁共振重点实验室杜江峰、王亚等人在金刚石氮-空位色心体系构建的量子希拉德热机上实验展示了量子关联导致的量子优越性。
中国科学技术大学
2022-03-10
微纳尺度腔量子电动力学新原理
随着纳米技术的发展，光学腔的尺寸越来越小，甚至可以达到亚波长尺度或者纳米尺度，同时伴随着非常局域的电场。由于金属的损耗以及低的收集效率，单个表面等离激元纳腔和单个量子发射体的强耦合很少被报道。论文通过精心设计光学模式，将金属纳腔置于金属或者介质纳米线提供的一维的电磁真空背景中，通过一维电磁背景强局域效应，可极大地增强单个量子发射体和金属纳腔的相互作用。理论指出在疏逝的电磁背景下，纳米间隙中的耦合系数可以达到真空中的4.2倍，同时荧光收集效率可提高到47%。此外，这个体系辐射出的光子，还可以通过纳米线的一维倏逝波导入到集成芯片上。
北京大学
2021-04-11
中国科学技术大学实现新型自旋量子放大技术
中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室彭新华研究组在自旋量子精密测量领域取得重要进展，首次提出和验证了Floquet自旋量子放大技术，该技术克服了以往只在单个频率处量子放大的局限性，实现了多频段极弱磁场信号的量子放大，灵敏度达到了飞特斯拉水平。
中国科学技术大学
2022-07-11
一种三维量子阱结构光电裸芯片
一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层、p 型层，所述衬底层、缓冲层、n 型层、量子阱层和 p 型层表面形状走向一致，均为均匀分布的凸台阵列或者均匀分布的凹槽阵列，或者均匀分布的相间的凸台和凹槽所构成的阵列。本实用新型增大了衬底层工作面积，在其上直接生长一层缓冲层来进行应力与晶格匹配，克服了工作面积与衬底面积之比较低所带来的量子转换效率低的问题；本实用
华中科技大学
2021-04-14
中国科大实现光子偏振态的可集成固态量子存储
郭光灿院士团队在固态量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导，实现了光子偏振态的可集成固态量子存储，存储保真度高达99.4±0.6%，该工作显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。
中国科学技术大学
2022-06-02
供应各种窗片棱镜晶体等（定制）//长春博盛量子
产品详细介绍 滤光片滤色片（尺寸要求可定制）带通滤光片 截止滤光片 干涉滤光片 激光滤光片 荧光滤光片红光蓝光绿光可见光滤光片325nm-1064nm 产品名称： CS式滤光片支架 产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片轮产品名称： 滤光片固定轮产品名称： 滤光片轮 FR 65 产品名称： 滤光片轮 FR 40 产品名称： 真空紫外滤光片产品名称： 激光线滤光片产品名称： 荧光滤光片产品名称： 拉曼滤光片产品名称： 光通信薄膜滤光片产品名称： Andover公司系列滤光片 产品名称： 双滤光片盒产品名称： AB系列滤光片 产品名称： AB系列全自动滤光片轮 产品名称： 滤光片轮产品名称： LDP系列滤光片 滤光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
单分子晶体管器件研究取得重要进展
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度，量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理，对未来信息技术以及介观物理学的发展具有深刻的意义。
科技部
2021-04-19
电子材料及器件低频噪声-可靠性测试平台
电子材料及器件噪声-可靠性测试平台，该系统是国内外首套电子器件噪声-可靠性分析系统。采用了基于虚拟仪器的微弱噪声测试、基于噪声的可靠性诊断方法、电子器件噪声的子波分析方法等关键技术，将子波分析用于噪声-可靠性表征，可对各种电子器件和集成电路模块进行噪声测试与分析、内部潜在缺陷诊断和无损预筛选。系统可以测量电子器件的各种噪声参数，同时对噪声进行频谱分析、子波分析、集总参数分析。具有实时检测、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小体积的优点，良好的通用性和可升级性使其同时适用于科研和生产单位。
电子科技大学
2021-04-10
一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
本发明公开了一种用于 ESD 保护的低压触发 SCR 器件。本发明创造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分别进行衬底触发和栅触发，从而降低 SCR 器件的触发电压。 ESD 脉冲信号施加在 Anode 和 Cathode 之间，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被触发导通，第一 PMOS 开通之后，给 Nwell 施加一触发电流，第二 PMOS 开通之后给第三 PMOS 施加一触发电压。第一 PMOS 施加的 Nwell 触发电流和第三 PMOS 的沟道电流触发晶闸管导通，晶闸管电流（ SCR current ）导通大部分 ESD 电流，从而实现了 ESD 保护。
辽宁大学
2021-04-11