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积分球均匀光源测光功率光通量反射率量子效率辐射光度球光通球PTFE 型号：ISK300
产品信息：
创谱仪器ISK系列积分球是可以把光源/样品放置在积分球内部进行测量，如光源放置在内部，可以形成均匀光源；如中心内部放置样品，可以测试样品的荧光量子效率；内壁喷涂PTFE，具有很高的漫反射特性；
把光源放置在积分球内，光源发出的光在球内壁上经过无数次的漫反射，充分积分球之后，最终在积分球出口平面的光斑是一种均匀的漫射光，具有理想的朗伯余弦特性，所以这种均匀光斑，在国防，科研，工业等众多领域有广泛应用。例如：均匀照明源，光学仪器定标等；
创谱仪器可以根据客户要求定制各种应用积分球！
山东创谱光学仪器有限公司
2025-12-03
对新冠病毒和受体相互作用位点的准确定位研
2020年2月18日，清华大学生命学院王新泉课题组和医学院张林琦课题组紧密合作，利用X射线衍射技术，解析了新型冠状病毒（2019-nCoV）表面刺突糖蛋白受体结合区（receptor-binding domain, RBD）与人受体ACE2蛋白复合物的晶体结构，准确定位出新冠病毒RBD和受体ACE2的相互作用位点，阐明了新冠病毒刺突糖蛋白介导细胞侵染的结构基础及分子机制，从而为治疗性抗体药物开发以及疫苗的设计奠定了坚实的基础。这一重要研究成果已于北京时间2月21日凌晨在BioRxiv发表。王新泉和张林琦课题组随即瞄准新冠病毒上RBD如何特异性结合ACE2这一关键科学问题，利用昆虫细胞体系表达和纯化了新冠病毒 RBD和人ACE2胞外结构域，成功生长出新冠病毒 RBD-ACE2复合物的晶体（晶体生长条件：100 mM MES, pH 6.5, 10% PEG5000mme, 12% 1-propanol），利用上海光源BL17U线站收集了分辨率为2.45埃的衍射数据，并成功解析其三维空间结构。
北京大学
2021-04-10
呼吸率传感器
量程：0Pa～10kPa，分辨率：10Pa。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
16053电导率计
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
柴油机混合率与化学反应率协同控制技术及应用
电机项目针对高效能电机综合设计方法与技术进行了系统深入的研究，提出了一套具有自主知识产权的高效能电机智能化综合设计技术，解决了电机效能提升的关键技术难题，在关键技术和推广应用方面取得了实质性创新和重大突破。项目成果大幅提升了企业的市场竞争力，在意大利ZEL等单位得到了全面推广，并且在推动产业进步
天津大学
2021-04-14
电导率传感器
量程：0～10mS/cm；分辨率：0.005mS/cm；用于测量水溶液的电导率，分析饮用水的纯度等。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电导率传感器
规格：6个操作键，内置锂电，具有LCD显示、数据储存功能，能脱离计算机进行采集、显示、记录数据。与计算机的连接支持两种方式:（1）通过数据采集线直接与计算机USB相连；（2）通过蓝牙与计算机相连。
测量范围：0～30000μs/cm，分辨率：0.1μs/cm
南京师范大学课程资源研究所
2021-08-23
氮气渗透率测试仪
NELD-NPR163型氮气渗透率测试仪，是耐尔得根据GB36900.2-2018《低、中水平放射性废物高完整性容器——混凝土容器》标准，自主研发的产品。氮气渗透率测试方法适用于以测定混凝土的气体渗透率来确定混凝土抗气体渗透性能。氮气渗透率测试仪试件夹具采用304不锈钢材质，采集仪表高精度数显，充气橡胶囊高耐压，皂膜流量计数字显示，测量精度高。该产品支撑采用福马轮，可水平调节、可支撑、可固定、可滚动、可防尘。产品设计巧妙科学，操作方便，是科研单位、质检机构理想的试验设备。
北京耐尔得智能科技有限公司
2023-03-17
造影剂弛豫率 核磁共振造影剂驰豫率分
产品详细介绍产品简介： NMI20核磁共振造影剂驰豫率分析成像测试仪是一款经典的小核磁，专为核磁共振造影剂研究应用设计开发而成，该设备配套有造影剂专用弛豫时间测试软件,磁共振成像软件，可以直接测试得到不同浓度造影剂样品的T1、T2弛豫时间，R1、R2弛豫速率以及造影剂样品的弛豫效率r，并可完成T1加权成像，,T2加权成像和质子密度加权成像。弛豫时间测试过程非常简单，样品无需特别配置，软件实现中英文双语选择界面，操作简便，易学易用。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度：0.5±0.08T，仪器主频率：21.3MHz；3、探头线圈直径：15mm；应用解决方案：1、Gd类，Fe类，Mn类等核磁共振造影剂T1、T2弛豫时间测试，弛豫效率r测试；2、不同浓度造影剂样品成像，T1,T2加权成像，直观评价造影效果；3、细胞液弛豫测试与成像 .....应用案例一：四氧化三铁，T2磁共振靶向造影剂弛豫率测试，磁共振成像测试应用案例二：Gd+ 类T1 磁共振造影剂测试实例，T1弛豫时间测试，T1加权成像应用案例三：不同浓度磁共振造影剂对比成像注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司
2021-08-23
高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12