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西安交大研究人员在二维材料中发现层间滑移诱发铁电-反铁电相变新机制及其潜在应用
二维铁电材料因其自发的铁电极化和天然的纳米厚度，在微纳尺度的铁电功能器件中具有广泛的应用前景。非共价的层间范德华力使得二维材料能够较为容易地滑移和旋转，从而产生了一系列新奇的物理现象，为其铁电性质提供了新的调控维度。
西安交通大学
2022-03-25
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，缓解了衬底与薄膜之间的应力产生，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用，该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学
2021-02-01
一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜、其制备方法及用途
本发明公开一种糖基/磺化改性亲和聚合物中空纤维分离膜及其制备方法。该膜由聚合物树脂、磺化聚合物树脂和糖类高分子组成，在优选的原料与比例下对LDL有良好的特异性吸附作用，且具有良好的稳定性和生物相容性，可重复使用，成本低廉，有望投入大规模临床应用。其制备方法包括以下过程:将膜用聚合物树脂、磺化聚合物树脂、糖类高分子、致孔剂按一定比例溶于溶剂，制成均一的纺丝制膜液，将纺丝制膜液过滤、真空脱泡后，通过浸没沉淀相转化法纺丝制备中空纤维成膜，然后将所制得的中空纤维膜依次在去离子水和超纯水充分漂洗。本发明采用的共混溶解制备法具有操作简便安全、原材料廉价易得等优点。
浙江大学
2021-04-11
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性 好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来 说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻 温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数 (TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时 会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜 电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度 系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为 兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻 靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜 稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量 的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。 技术指标如下： 温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后 ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 应用领域： 集成电路、电子元器件 合作方式及条件：具体面议 2 半导体微环激光器 3 基光电集成电路 4 无线网络与应用：协作无线网络 5 移动通信—LTE 技术
天津大学
2021-04-11
适用于对移动中的柔性膜执行标识的多自由度打标装置
本发明属于柔性膜质量检测设备相关领域，并公开了一种适用 于对移动中的柔性膜执行标识的多自由度打标装置，包括支撑组件、 传动组件、动力组件、打标针组件和记号笔组件，其中支撑组件可实 现打标装置的机械连接，同时还具有导向和位置调节的功能；动力组 件为打标装置提供可控的动力，传动组件可适于在运动中多自由度地 驱动打标针组件和记号笔组件，并提供高精度的打标操作；打标针组 件和记号笔组件分别可在柔性膜上打出针孔和颜色标记，并检测标记 是否成功完成。通过本发明，在高速运动过程中也能够高精度、稳定 可靠地执行打标操作，而且反应灵敏度高，因而尤其适用于 RFID 标 签之类对表面标识质量高的运用场合。
华中科技大学
2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10～20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学
2021-04-14
复极式离子膜电解槽极网自动化激光焊接成套技术装备
北京工业大学
2021-04-14
低能耗低污染膜/生物反应器（MBR） 污水处理技术与设备
技术特点及优势 1、对现有的用于污水处理的膜进行改性，提高膜通量，减小跨膜压力。膜通量较现有膜提高2倍以上，跨膜压力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是与泥水直接接触的固有形式，对MBR结构进行了改进，减少膜与污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染关键物质的接触，可以极大缓解膜污染问题； 3 、采用的廉价耐污染膜材料，延长膜的使用寿命，降低运行成本； 4 、控制反应器微生物处于内源呼吸期，反应器中能有效建立细菌—原生动物—后生动物微生态系
哈尔滨工业大学
2021-04-14
一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法
本发明公开了一种燃料电池膜电极热压头上表面贴片的纠偏补偿方法。传统的机器视觉采图后摆动气缸翻转，然后贴片，不能保证GDL 的贴装精度，另外，由于 GDL 料盒比 GDL 本身尺寸稍大，不能保证每次真空拾取机构吸取 GDL 的中心轴线都与旋转轴的中心轴线重合，因此翻转后也会有误差。本发明主要解决这两个误差的计算和补偿方法，实现热压头上表面的准确贴片。本发明基于现有的 GDL 热压装备实现，首先对相机进行标定，标定两个相机各自的像素坐标系和世界坐标系的关系，分别根据是由安装误差引起的贴片纠偏或者是由轴线
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜，包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层，所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间，所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间，所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法，包括以下步骤：将氧化石墨烯均 匀分散于水中，涂敷在片状导电基底上，干燥得到纳米氧化石墨烯膜； 组建三电极体系采用
华中科技大学
2021-04-14