产品详细介绍Enlogic的EN1000 系列产品---IRMC级别测量系列涵盖了电能测量，功率和环境监测的功能。计费级精度的瓦-时电能测量为用户计费，PUE及效率计量，工程项目规划以及容量管理提供了精准的电能测量数据。持续的为IRMC每相的输入电源和断路器提供实时监测，该实时监测数据能在每个潜在电源问题发生之前提供预警，并保证用户更好的实现输入相和分路之间负荷的平衡，提高设备的可靠性与电源效率。 Enlogic的超薄机身及断路器的设计吻合了用户节约机柜空间的需求。每个Enlogic IRMC上可连接多达6个外置传感器，实现了完整远程监测和报警的解决方案。企业级的网络管理允许您轻松的通过HTTP, HTTPS, SNMP, 或Telnet实现管理功能；而与LDAP/S和AD（活动目录服务）的巧妙整合，允许您轻松的集成到现有的目录服务中。其他显著特点包括带色标识别的输出端口及断路器，标准的锁紧IEC插头，高可视角的OLED 显示屏，以及可现场热插拔的网络管理卡等提高了产品的可靠性并能减少人为错误造成的损失。输入允许输入电压：: 220-240 VAC +6%, -10%每相输入电流：: 32APhase Type: 1-phase最大输入功率(kVA)：: 7.68输入频率(Hz)：: 50输入插头类型：: IEC309 332P6输入电源线长度：: 3.0m输出输出电压：: 220-240 VAC总输出端口数：: 36IEC C13 输出端口数：: 30Total # of IEC C19 Outlets: 4CEE7/4 Schuko输出端口总数：: 2内置断路器的数量：: 2断路器类型: 1-pole hydraulic-magnetic每个断路器的最大输出电流(A)：: 16每个输出端口的最大电流：: (C13)10A, (C19)16A, (CEE 7/4)16A物理尺寸长,mm：: 1730 mm深,mm：: 44 mm宽,mm：: 55 mmMax Depth at Circuit Breaker, mm: 56mm外壳颜色:: Black环境要求：可运行温度：: -5 to 60°C可运行相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing最高可运行海拔高度：: 0-3,000 m存储温度：: -25 to 65°C存储相对湿度：: 5-95% RH, non-condensing存储最高海拔高度：: 0-15,000 mCompliance ApprovalsUL: 否EMC: 是安全认证：:环境认证::

 电与磁实验箱 本套小学科学实验箱以国家最新修订的科学课程标准为蓝本。整合全国7套主要科学教材，使得这套小学科学实验箱可以在最大程度上满足不同地区学校的科学实验需要。 实验箱分为教师用和学生用两套，分别满足老师教学需要和学生学习要求，同时加强了两者之间的互动，更加开放、更加灵动、更加人性化。学生是科学学习的主体，这套实验箱满足了基础科学实验，以探究为核心，注重探究的过程，提高学生学习科学的乐趣，增强科学探究的能力，这样在获取科学知识的同时学会尊重事实，善于质疑的科学态度。 箱子采用的是专业的仪器箱，特殊材料制造，结实耐用，并搭配专业的仪器箱架，方便管理和收纳。并配备多种的颜色搭配不同的试验项目，减少做实验的准备时间。 这套实验箱可以完成电与磁相结合的多组实验。 更多科学实验箱产品详见上海东方教具有限公司网站http://www.dftco.net/

1、 高分子材料专业人员，对高分子材料改性有工作经验的最好。2、 设备自动化或智能化面的专业人员，提高传统生产线的自动化和智能化水平，减少对人员的依赖性，提高设备的综合技术水平。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。

本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。

一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。