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关于“外尔半金属TaAs的不饱和量子磁性”方面的研究成果
这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反，是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感，决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级，因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率，无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究，结合了理论计算与强磁场下的实验表征，提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大学
2021-04-11
一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
本发明公开了一种 III-V 族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法， 包括以下步骤：(1)将 III-V 族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶 液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点 溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将 PbX2 与 MAX 均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶 液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长 晶体，从而在
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14
西湖大学何睿华实验室发现首个光阴极“量子”材料
近期，西湖大学理学院何睿华课题组连同研究合作者一起，发现了世界首例具有本征相干性的光阴极量子材料，其性能远超传统的光阴极材料，且无法为现有理论所解释，为光阴极研发、应用与基础理论发展打开了新的天地。
西湖大学
2023-03-10
表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法
本发明涉及一种表征太赫兹量子级联激光器多模效应的电路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源层内部载流子输运特性的多模速率方程组；接着建立表征ThzQCL内部多模态效应的物理方程模型； 然后通过变量代换和化简得到相应的等效电路模型；建立表征 THzQCL 输入端电气特性的等效电路模型； 建立表征 THzQCL 输出端光功率特性的等效电路模型；最后建立电路宏模型，包括一个电气端口和一个 光功率输出端口，基于电路宏模型进行光电性能仿真和输出光谱性能测试。本发明可测试温度对 THzQCL 各种光电性能的影响；可支持实现对 THzQCL 光电性能和输出多模效应的模拟和仿真。
武汉大学
2021-04-13
一种新型聚磁式盘式电机
本发明公开了一种新型聚磁式盘式电机，包括定子和转子；定子包括定子铁芯和电枢绕组；转子包括三层结构，外层包括多块交替设置的外层永磁体和外层转子铁芯，中间层中对应外层转子铁芯的位置设有中间层永磁体，内层包括内层转子铁芯，外层永磁体为切向充磁，中间层永磁体为径向充磁，相邻外层永磁体充磁方向相反，相邻中间层永磁体充磁方向也相反，外层转子铁芯相邻的两块外层永磁体以及中间层永磁体的充磁方向均相对于外层转子铁芯向外或者向内，外层永磁体所占外层周长的比例为0.1～0.55。本发明有效提高了电机的空间利用率和功率密度。
东南大学
2021-04-11
植入式/非植入式神经功能刺激器
复合功能脑深部刺激器及 MEMS 脑电极：本课题组针对 MEMS 脑电极及其配套脑起搏器极端制造技术中的诸多关键难题，开展了如下研究：环形脑电极的键合、封装等工艺，制造了环形脑电极样品；MEMS 硅基脑电极的结构设计及制造工艺、键合方法和封装工艺，制造了硅基脑电极样品；螺旋微导线和转接线的制造工艺，制造了样品；植入式颅内压传感器的制造和封装工艺，制造出颅内压微传感器样品；经皮无线能量传输供电的关键技术和方法，制造出稳定地无线供电装置；植入装置与体外控制装置之间的无线通讯方法研究及其实用装置；脑深部神经核团信号采集方法研究及其实用装置；植入式脑起搏器的封装工艺和方法。
西安交通大学
2021-04-11
第四批“全国高校黄大年式教师团队”拟入围名单公示！
200个团队拟入围！
云上高博会
2025-08-20
一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管
本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管，该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层，在氮化镓层上还设有侧面电极，在石墨烯层上设有正面电极，所述的氮化镓层厚度为2～10μm；本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光，同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能，正反偏压下均可发光且波段多样，亮度高，制备工艺简单，成本低。
浙江大学
2021-04-13
一种常温条件下大批量制备疏水性碳量子点的方法
本发明为一种常温条件下大批量制备疏水性碳量子点的方法，公开了一种可在室温、常压条件下，大规模制备疏水性碳量子点的方法。此方法以烷基吡啶盐为碳源和保护剂，在其溶液中加入强碱，常温常压条件下静置，即可生成具有绿色荧光的疏水性碳量子点。整个制备过程在室温及常压条件下完成，操作简单，成本低，且具有较高的产率，可用于大规模合成疏水性碳量子点。制备的碳量子点具有低毒、较强的荧光和较高的光稳定性，因此在制备荧光油漆、荧光涂料及荧光纤维生产等领域具有广泛的应用前景。
四川大学
2016-09-12