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一种负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
本发明公开了一种负温度系数热敏电阻材料及其制备方法。该 热敏电阻材料的化学通式为 CexMnxSi1-xO2x+2，其中，0.65<、x<、 1；其材料常数 B100℃/200℃＝(5400～5880)K±10％，电阻率ρ25℃ ＝(3.6～97)×10<sup>5</sup>Ω·cm±10％，ρ250℃＝(250～8000) Ω·cm±10％。该热敏电阻材料的阻温关系曲线在整个温度测试区间 具
华中科技大学
2021-04-14
一种脱硝脱汞复合催化剂及其制备方法
本发明公开了一种用于脱硝脱汞的复合催化剂，包括质量百分比 30～40％的 TiO2，57～68％的壳聚糖，2～3％的助催化剂，助催化剂为 CuO、MnO2 及 CeO2 中的一种或其组合。制备上述催化剂的方法为：(1)将质量份 57～68 壳聚糖加入醋酸溶液中并搅拌使之充分溶解；(2)向壳聚糖醋酸溶液中加入质量份 30～40 的 TiO2 和 2～3 的助催化剂，然后使用 NaOH 溶液调节 pH 值至 9～12，并使用磁力搅拌、
华中科技大学
2021-04-14
一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室 温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒 的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气 体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批
华中科技大学
2021-04-14
一种聚合物单离子电解质及其制备方法
本发明公开了一种由-(对乙烯苯磺酰)(全氟烷基磺酰)-亚胺锂单 体和甲氧基多缩乙二醇丙烯酸酯单体共聚得到的无规共聚单离子聚合 物电解质，或嵌段共聚单离子聚合物电解质及其制备方法。本发明制 备的聚合物单离子电解质具有室温电导率高、锂离子迁移数高、玻璃 化温度和结晶度低、机械强度和成膜性能好、电化学窗口宽和热稳定 性好等优点，在锂（离子）电池、碳基超级电容器及太阳能电池等方 面有潜在的应用价值。
华中科技大学
2021-04-14
固体氧化物燃料电池相转换流延法制备技术
1.开发的相转化流延技术制备的直孔新型阳极，可有效提升 SOFC 电池性能且降低电池制备成本 50&，同时此电池制备技术还易于扩展到其它种类电池电极的制备中；
2.结合叠压法制备的 5x5 和 10x10（cm）单电池性能稳定，650 度功率超过 600mW/cm2@0.7V, 已给国内多家单位供货
中国科学技术大学
2023-05-17
豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜及其制备方法
本发明公开了一种豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将含质量分数为0.047％的豌豆淀粉，质量分数为0.023％的甘油的水溶液，经沸水浴搅拌加热40-50min后冷却至45-55℃；(2)向步骤(1)所得溶液中加入WMSNC，所述WMSNC的加入量为PS干基含量的1％-9％；(3)将步骤(2)所得溶液磁力混合搅拌25-35min后倒入抽滤瓶中，用真空度为1.0MPa的真空泵脱气6-15min，得复合膜液体；(4)取上述复合膜液体平铺于平面皿上，置于35-45℃的恒温干燥箱中干燥即得复合膜。添加WMSNC后，复合膜的TS和M增加，而E降低，透水系数和透水速率显著降低。纯PS膜表面平整、光滑，随着WMSNC添加量的增加复合膜表面逐渐粗糙。
青岛农业大学
2021-04-13
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将60——85wt％的α-Al2O3、5——15wt％的碳源和10——30wt％的单质硅混合，制得混合料。将100份质量的所述混合料、0.5——2份质量的木质素磺酸铵和0.1——0.6份质量的聚羧酸盐混合，再与20——30份或30——40份质量的水一起搅拌，制得浆体Ⅰ或浆体Ⅱ。将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中，浸渍后挤压或甩浆，干燥，得到预处理的泡沫陶瓷坯体；再用浆体Ⅱ进行喷涂，干燥，得到泡沫陶瓷坯体。将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内，于埋炭气氛下，依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升温至1300——1500℃，保温2.5——3.5h，即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本发明制备的制品强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
一种高强度工程机械用钢及其制备方法
本发明涉及一种高强度工程机械用钢及其制备方法。其技术方案是：经转炉冶炼、精炼后连铸成坯；对铸坯加热，加热温度为1150~1250℃；粗轧开轧温度为1100~1150℃，精轧开轧温度为915~960℃，终轧温度为820~880℃；轧后采用两段式冷却方式：第一段以3~6℃/s的冷却速度冷却到720~760℃，第二段以30~50℃/s的冷却速度冷却到560~600℃；卷取后空冷至室温。所述铸坯的化学成分及其含量是：C为0.06~0.10wt%，Mn为1.35~1.55wt%，Si为0.35~0.50wt%，P≤0.02wt%，S≤0.01wt%，Ti为0.14~0.16wt%，Mo为0.10~0.15wt%，Nb为0.04~0.06wt%，其余为Fe及不可避免杂质。本发明具有生产成本低和工艺简单的特点，所制备的高强度工程机械用钢性能优良。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
一种单相α-Si3N4超细粉体及其制备方法
本发明涉及一种单相α‑Si3N4超细粉体及其制备方法。其技术方案是：先将5——30wt%的单质硅粉、15——45wt%的固态氮源和40——80wt%的卤化物粉混合均匀，制得混合物；再将所述混合物置入管式电炉内，在氮气气氛下以2——10℃/min的升温速率升至1000——1300℃，保温2——6小时；然后将所得产物用去离子水反复清洗，直至分别用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出现白色沉淀为止；最后在110℃条件下干燥10——24小时，即得单相α‑Si3N4超细粉体。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点；所制备的单相α‑Si3N4超细粉体粒度为100——500nm，无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
超导 HGMS 耦合尾矿制备高纯二氧化硅技术
本技术提出以超导HGMS技术分离提取高纯SiO 2 ，SiO 2 品位可达99%以上，低成本、高效、绿色。
该提取产品可用于生产高纯SiO2（白炭黑）、微晶玻璃、耐酸、阻燃、轻质保温或耐火材料、SiC复相材料及复相导电陶瓷材料等。纳米级高纯SiO2甚至可作储能、修饰材料等等；SiO2 ≥99～99.5%产品可用于制造玻璃、保温或耐火材料、冶炼硅铁、冶金熔剂、研磨料及耐酸工程；SiO2≥99.5～99.9%的高纯石英可用于航空、航天、电子、机械及IT等行业，耐火材料、铸造等行业以及油漆等理想的化工填料。
北京科技大学
2021-04-13