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DC-Link高压大功率系列薄膜电容器
通过研究和有机介质薄膜以及金属化水平的不断提高，用金属化薄膜制造高压大功率电容器取代电解电容器已成为了可能。薄膜电容器具有高频特性好、损耗小和温度特性稳定等特点，可以满足逆变器对电容器性能的要求。
扬州大学
2021-04-14
一种采用混合型功率器件的光伏逆变器
本发明涉及光伏并网逆变器技术领域。包括由功率电路组成的功率逆变单元和逆变控制单元两部分，功率逆变单元主要包括输入EMI 滤波电路、交错并联 Boost 升压电路、采用混合器件的全桥逆变电路、输出并网滤波电路，逆变控制单元主要包括电网相位检测电路、采样电路、及控制器。本发明采用双级结构，前级采用交错并联 Boost升压，减小了电流的波动，降低了输出电压纹波；后级逆变单元采用混合功率器件，有效减小了逆变损耗，提高系统效率
华中科技大学
2021-04-14
大功率LED全自动透镜塑封压模成型机
目前，国内进行压模封装透镜成型中的压模封装，普遍采用人工进行操作。上下料、注胶、透镜封装、压模成型等工序不仅需要可观的人工成本，而且生产效率低，产品质量难于保障。华南理工大学胡跃明团队为改变这一现状，围绕国家产业迫切需求，在广东省新兴战略产业LED重大专项支持下，自主发明和研制了系列全自动透镜塑封压模成型（Molding）机，填补了国内在该高端制造领域的空白，实现了全自动上下料、全自动高精度注胶、全自动透镜成型、全自动压模封装等功能，单台机器单模组可达到50个人工半自动化工艺产能。
华南理工大学
2021-04-14
一种高功率光纤激光器包层光滤除装置
本发明公开了一种高功率光纤激光器包层光滤除装置，该装置 包括一段或多段双包层光纤，其中此双包层光纤沿激光输出方向按剥 除面积由小到大而间隔地对保护层和外包层进行部分剥除，使内包层 裸露出来，将滤光材料涂在裸露内包层上，并且将上述滤光装置固定 在散热金属材料及水冷板上。本发明对光纤结构破坏较小，滤光均匀， 避免了非均匀滤除时，某些滤除点温度过高的现象，提高了系统的稳 定性。
华中科技大学
2021-04-14
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），设计了结终端扩展结构（Junction Termination Extension, JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。
中国科学技术大学
2022-06-02
电动汽车用高功率密度集成电机控制器
项目简介车用电机驱动系统是新能源汽车、农业大棚作业车的关键技术之一。受车辆空间限 制和使用环境限制，车用电机驱动系统比普通电机驱动系统要求更高。车用电机驱动系 统要求满足高功率密度(1.2kW/kg)、高效(全速范围的高效率)、高可靠性(环境温度 105 度)的要求。课题组使用母线支撑膜电容、叠层母排和 IGBT 设计研发了电动汽车用高功 率密度集成电机控制器。 车用高功率密度集成电机控制器采用全数字控制，主要由直流母线支撑电容、直流 叠层母排、IGBT、IGBT 驱动电路和控制电路组
江苏大学
2021-04-14
供应激光功率计、激光能量计//长春博盛量子
产品详细介绍
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11