已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

可以量产/n该项目带宽宽，可以覆盖Ku以下所有频段，并向Ka频段发展；线性度高，模拟通信不失真；动态范围大，激光输出功率高，相对强度噪声低。可靠性高，全金属化耦合焊接，提高了可靠性和寿命。市场预期：该项目产品主要应用领域是通信，目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展，未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。

内容介绍： 本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用，釆用改进的垂直 布里奇曼技术，通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量，探 索了优化的晶体生长和退火改性工艺，生长出满足探测器要求的高性能 CdZnTe晶体。围绕对X射线和y射线等不同能量射线检测及应用的要求， 解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难 题，建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线

本发明公开了一种微环波导器件，包括微环谐振腔、直波导、第一支架、第二支架和衬底；其中，第一支架用于支撑直波导，第二支架用于支撑微环谐振腔，以使微环谐振腔与直波导悬空；微环谐振腔与直波导相互耦合；外部注入的光场通过直波导耦合进入微环谐振腔中，满足微环谐振条件的光场在微环谐振腔中激发出声场，通过悬空的微环谐振腔将产生的声场限制在微环谐振腔中进行传输，进而产生前向布里渊效应；本发明提供的这种悬空的微环波导器件具有布里

微纳米光纤，具有一系列独特的优点：大的消逝场；高的非线性，极低的损耗；容易弯曲成环等不同的几何形状。我校在本应用领域主要研究选择合适的光纤材料和介质棒材料，探讨微纳光纤在生物、通信、传感和激光等领域的应用：优化微纳光纤探针的设计，制备低成本的超短的极低损耗的微纳光纤探针用于低功率粒子捕获；制备基于单环谐振器的传感器；制备基于多环谐振器的应用型器件如高灵敏度微传感器或者可调谐器件等，探讨其它新型的应用。理论上主要研究微纳光纤谐振器的线性和非线性特性，对

1：电子式压力控制器 内容：专用于按压力信号对制冷系统实施的各种控制。（1）电子式数字显示，数字设定（2）微电脑控制器（3）可以对压缩机进行运行，保护及调节方面的控制，如：压缩机正常启、停控制，高低压力保护，油路控制，压缩机制冷能力的程度控制（4）适用于各种制冷剂，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）针对

随着集成电路工艺的进步，MOS管的特征尺寸越来越小，电路的工作电压也不断下降，栅氧化层的厚度也越来越薄，在这种趋势下，将可控硅ESD防护器件的触发电压降低到可观的电压值内，使用高性能的ESD防护器件来泄放静电电荷以保护栅极氧化层显得十分重要。本发明涉及可用于65nm半导体工艺的静电保护（ESD）器件，特别涉及低电压触发的SCR器件。    本发明提供一种采用新型技术减小器件的ESD触发电压的PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件。本发明采用PMOS进行触发NMOS导通，NMOS的导通电流触发SCR晶闸管，从而减小SCR器件的ESD触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，PMOS首先被触发导通，PMOS开通之后，触发NMOS导通，NMOS导通后，其导通电流触发晶闸管SCR导通。晶闸管电流（SCR current）导通大部分ESD 电流，从而实验了ESD保护。

本项目以制备超快高储能柔性器件为导向，建立基于界面纳米复合材料的新技术。通过水热法和电化学方法在柔性导电基底上构建纳米阵列/金掺杂二氧化锰的三维纳米复合电极，作为正极；通过水热法和热处理法在柔性导电基底上生长多孔氧化铁纳米复合材料，作为负极，组装全固态薄膜器件。利用纳米复合材料的多方面优势加速电子/离子在活性材料中的传递，进而达到超快高储能的目的。基于纳米复合材料的全固态薄膜器件可展现出超快充电能力（10 V/s），比常规电容器的充电时间快10-100倍。这是国际上基于金属氧化物赝电容薄膜型超级电容器研究领域的一个重大突破。此外，本项目以开发超快超柔储能器件为导向，开发了一种热力学诱导自发组装和原位掺杂结合碳热还原的方法来实现石墨烯纳米筛粉体和薄膜的宏观可控制备，解决了传统石墨烯材料纵向物质传输差的局限。通过控制碳热温度，可以调节石墨烯纳米筛表面的孔密度，即孔径大小可控（10~100 nm）。与传统石墨烯薄膜电极相比，石墨烯纳米筛表面丰富的孔结构使得其作为电极材料时拥有更大的比表面积，而且电解质离子可以在垂直于平面的轴向上传递，缩短了离子传输路径。

磷化铟基集成高速光开关芯片

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。