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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
关于新型阿秒钟实现对量子隧穿时间问题的研究
量子隧穿是微观世界的基本现象，它是指粒子可以像波一样地穿过有阻碍的区域（即势垒），是微观粒子的波粒二象性的一个具体表现。如今，量子隧穿的概念已经渗透到物理学的方方面面，比如广泛使用的扫描隧道电子显微镜、半导体异质结等。然而，关于量子隧穿却有一个基本问题充满着争议，那就是隧穿的过程是否需要时间？如果需要时间那又该如何测量呢？自量子力学诞生以来，这个问题一直伴随着量子力学的发展而争论至今。 随着超短激光脉冲的问世，人们一直努力、希望在强场隧道电离的范畴来解决这个的重要争议问题。随即，学术界提出了可以通过阿秒钟方案测量隧道电离的发生时间（即时间延迟），阿秒钟巧妙地将隧穿时间延迟转化为光电子发射角的偏移，然而对于实验结果，大家一直未取得一致的看法。学术界通过十多年的研究，基本上形成了两种对立的观点，即瞬时隧穿（隧穿几乎不需要时间）与延时隧穿（隧穿需要百阿秒量级的时间），各自都有相应的理论与实验支持。似乎这两种观点充满矛盾、不可调和！量子隧穿的示意图量子隧穿可以看作是微观粒子的“穿墙术”增强型阿秒钟的原理。（a）线偏振的二次谐波打破了圆偏振的基频光的对称性，标记了最大值激光电场的方向与时刻。（b）不加二次谐波时测量的光电子动量谱。（c）加入标记光场后测量的光电子动量谱。 传统的阿秒钟是采用单个椭圆偏振或近圆偏振的激光脉冲，因此传统阿秒钟的校准依赖于少周期激光的载波包络相位和椭偏率的确定，它们的噪声抖动会给阿秒钟的测量带来很大的误差。日前，北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室“极端光学创新研究团队”刘运全教授和龚旗煌院士领导的研究小组，提出并实现了一种全新改进型阿秒钟，在一束圆偏振飞秒激光场中加入了另一束线偏振的倍频光来校准阿秒钟，使得光电子发射角的偏移量的定标更加精准。这种增强型阿秒钟使得隧穿时间的测量更加准确可靠。理论上还证明了上述两种看似对立的隧穿图像可以被统一在同一个理论框架下进行描述。在强场近似理论框架下，他们分别建立了瞬时隧穿图像以及基于Wigner表象的延时隧穿图像，对于增强型阿秒钟的实验结果，这两种隧穿图像的理论结果都与实验结果相符合。因此，这是第一次使用同一个理论框架和同一个实验完美地统一了这个长期的学术争议，为隧穿时间研究提供一种思路。
北京大学
2021-04-11
关于狄拉克半金属中量子输运研究的新进展
在高晶体质量的狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到手征反常导致的负磁电阻效应（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于纳米线比表面积大的优势，测量到起源于拓扑表面态输运的π A-B效应(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他们通过输运测量首次在狄拉克半金属Cd3As2纳米线中观测到连续体态和离散表面态耦合产生的Fano共振现象。研究表明直径约为60 nm的Cd3As2纳米线的表面态能带会发生劈裂，通过栅压调制费米能级到一个表面态子能带的带底时，会呈现出零偏压微分电导峰；在磁场作用下，由于塞曼效应，零偏压电导峰会发生劈裂，测量得到表面态的朗德因子为32；Fano共振进一步导致零偏压微分电导峰随偏置电压具有非对称的线形，并可能对材料中起源于“外尔轨道”的量子振荡频率产生修正。这项工作对于深入研究拓扑半金属的输运性质，以及设计实现可电学调控的Fano体系有着重要意义。图1. Cd3As2纳米线中量子限制效应引起的电导振荡；(b)栅压调制的微分电导谱。
北京大学
2021-04-11
关于举办全国颠覆性技术创新大赛领域赛的通知
根据《科技部关于举办全国颠覆性技术创新大赛的通知》（国科发火〔2021〕195号），科技部火炬中心将于近期举办全国颠覆性技术创新大赛（以下简称大赛）领域赛。现将大赛领域赛有关事项通知如下。
科技部火炬中心
2021-10-21
关于发布安徽省2022年“揭榜挂帅”榜单任务的通知
为深入贯彻落实习近平总书记关于科技创新的重要论述和对安徽作出的系列重要讲话指示批示，按照省委省政府决策部署，省科技厅聚焦我省十大新兴产业高质量发展亟需、应用导向鲜明、影响广泛的重大技术攻关需求，组织专家对前期各市推荐申报的项目技术需求进行论证，择优形成2022年度“揭榜挂帅”榜单，现将榜单任务（详见附件）及揭榜的相关要求予以发布。
安徽省科学技术厅
2022-06-01
关于召开首届智慧校园新技术创新论坛的通知
为贯彻落实《中国教育现代化2035》，响应党中央关于推进新基建的要求，加快信息化时代教育变革，更好地推动高校智慧化校园建设和高校教、管、服一体化平台建设，发掘在智慧校园建设中的新技术，助力加快形成现代化的教育管理服务与安全运维体系，经研究，中国高等教育学会决定举办“首届智慧校园新技术创新论坛”。
中国高等教育学会
2022-07-08
关于首批青海省促进技术转移拟奖补资金的公示
根据《青海省促进技术转移奖补资金实施细则》（青科发成区〔2022〕48号）规定，经各单位申报、形式审查、专家评审、信用核查、法务调查等程序，首批青海省促进技术转移拟奖补资金共计306.91万元，现予以公示。
青海省科学技术厅
2023-02-09
关于组织申报2023年山西省技术创新中心的通知
推进山西省技术创新中心（以下简称：“省创中心”）建设工作，根据《省技术创新中心建设与运行管理办法》（晋科规〔2023〕3号），现就组织申报2023年度省创中心工作通知如下
山西省科技厅实验室与平台基地建设处
2023-07-05
关于发布2023年第一批“揭榜挂帅”榜单的通知
通过广泛征集，共遴选出技术需求榜单32个（其中技术创新类30个，成果转化类2个），涉及先进制造业、新能源、新一代信息技术、生物医药、新材料、节能环保、现代农业等多个行业领域(附件1、2)。
保定市人民政府
2023-04-20
吴岩司长在高校科技伦理教育专项工作启动会上的讲话
今天，我们在清华大学召开会议，正式启动高校科技伦理教育专项工作，应该说，这是一件大事，从某种意义上来说对高等教育发展还是一件天大的事。我们前期进行了深入的调研、酝酿和准备。发起这项工作的是江小涓教授，在今年1月初怀进鹏部长组织召开的战略专家座谈会上，江小涓教授给怀部长提供了一份关于加强高校科技伦理教育的研究报告，怀部长当场批给高教司并亲自部署专项工作。
清华大学本科教学微信公众号
2022-03-25