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悬空氮化物薄膜LED
南京邮电大学
2021-04-14
一种薄膜型LED器件及其制造方法
本发明公开一种薄膜型LED器件及其制造方法，本发明器件包括：薄片型线路基板，免金线倒装结构LED芯 片以及一层透光保护膜。本器件LED芯片为倒装结构，芯片电极通过共晶焊接方式固定于薄片型基板，实现免金线键合的电气互联，一层透光保护膜覆盖于芯片和 基板表面。本发明公开的LED器件电极位于器件底部，易于实现表面贴装技术。本发明公开器件厚度在0.25-0.6mm之间，具有厚度薄，体积小，发光角 度大，光效高，可靠性高，制造工艺简单，生产效率高，成本低等诸多优点，适合大功率及普通功率LED封装，可广泛应用于照明、显示等领域。截至目前，已累计创造产值超过33.66亿元，新增利润2.60亿元。2017年，以本专利技术为核心的科技成果“半导体发光器件跨尺度光功能结构设计与制造关键技术”获得广东省人民政府颁发的广东省科技进步一等奖，并且本专利获得中国专利优秀奖。
华南理工大学
2021-04-10
多元氧化物纳米薄膜及薄膜晶体管
北京工业大学
2021-04-14
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目简介： 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑 的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功 耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色： 制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制 造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片，国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币，具有市场广，竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术，原材料成本便宜 30%左右，具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学
2021-02-01
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
解析Micro-LED显示全彩化关键技术
复旦大学信息科学与工程学院副教授田朋飞团队与台湾交通大学、电子科技大学相关团队合作，围绕Micro-LED显示全彩化关键技术撰写综述文章，发表于Progress in Quantum Electronics杂志。文章系统阐述了实现全彩色micro-LED显示的生长技术、转移打印技术、颜色转换技术，对三种关键技术的机理、实现方法、优缺点进行着重介绍。
复旦大学
2021-01-12
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料，研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜，使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学
2021-01-12
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N 型缓冲层、P 型吸收层和背电极层，P 型吸收层材料为 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积 N 型缓冲层步骤、沉积 P 型吸收层步骤、沉积电极层
华中科技大学
2021-04-14