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便携式红外线CO/CO2气体分析仪
本仪器符合GB/T18204.2-2014《公共场所卫生检验方法第2部分：化学污染物》、GBZ/T300.37-2017《工作场所空气有毒物质测定第37部分：一氧化碳和二氧化碳》和GB/T9801-1988《空气质量一氧化碳的测定非分散红外法》的国家标准；符合HJ/T44-1999《固定污染源排气中一氧化碳的测定非色散红外吸收法》的生态环境部标准。 本仪器符合JJG635-2011《一氧化碳、二氧化碳红外线气体分析器》的国家计量检定规程，主要的技术指标符合国家二级仪表的技术要求，可以取得中国计量科学研究院的检定证书（检定结论：合格，该仪器符合二级技术要求）。 本仪器内置式调零过滤器、六通阀切换调零与测量，操作简便灵活。 本仪器可以定制测量范围。
北京市华云分析仪器研究所有限公司
2021-12-08
CMC分析仪器项目群
天然药用植物是发现候选药物的重要来源。然而，从中寻找目标组分的难度 和工作量十分巨大！面对类似天然药用植物这样的复杂体系，目前只注重“分离” 功能的商品色谱仪，已难以满足有效的分析需求。本项目以高表达受体细胞膜色 谱（CMC）技术为核心，研究 CMC 模型的标准化，实现对目标物的特异性“识别”。 设计研发的“CMC-受体/配体作用分析仪”和“2D/CMC-中药注射液类过敏物分析 仪”，为认识靶向药物作用规律、发现新的药物先导物提供了有效分析手段，实 现了对复杂样本中目标物的有效分析，可以提高药品质量控制水平和临床使用安 全性。该项目累计申请国家发明专利 11 项，授权 6 项；获计算机软件著作权 3 项；制定《中国药典》中药注射剂标准 5 项，申报审核 3 项；部分研究成果获“2017 年度陕西省科学技术奖”一等奖 1 项。
西安交通大学
2021-04-10
高速碳硫分析仪器
产品详细介绍南京固琦分析仪器制造有限公司专业制造各类高速碳硫分析仪器，碳硫联测分析仪 ，碳硫分析仪，定碳仪、数显碳硫仪，碳硫联测分析仪,碳硫仪，硫分析仪，碳硫元素含量化验仪，南京品牌碳硫分析仪，碳含量测定仪，硫含量测定仪器，炉前分析仪，微量多元素分析仪器，快速碳硫分析仪器，高速分析仪，管式碳硫分析仪，高频红外碳硫分析仪器，电脑碳硫分析仪,碳硫高速分析仪、碳硫快速分析仪器，测碳测硫仪， 碳硫锰硅磷分析仪,智能碳硫分析仪，自动碳硫分析仪器，管式碳硫仪，微机电脑碳硫分析仪，高速碳硫分析仪、炉前碳硫化验仪，炉前铁水分析仪，金属微量元素分析仪, 金属元素测定仪，多元素分析仪，生铁分析仪器，铸造化验仪器，黑色金属分析仪器，金属材料化验仪器，硅碳分析仪，热分析仪，可测定工业材料中碳、硫、锰、磷、硅、镍、铬、钼、铜、钛、锌、钒、镁、稀素的含量土等元素。仪器测量范围广、精度高，高、中、低档齐全，并能接受用户特殊定货。广泛应用于钢铁分析仪器、冶金化验仪器、铸造化验设备、机械分析仪器，化工分析仪器、矿山开发设备等行业及质量监督部门和大专院校。(http://www.gqfxy.com) 025-57357222 13851978239)
南京固琦分析仪器制造有限公司
2021-08-23
不锈钢分析仪器
产品详细介绍主要技术参数：
l 电源电压 ：220V±10% 50HZ, 耗电量：≤50W
l 比色时间：5秒
l 量程范围：0-1,999吸光度值,0-99.99%浓度值
l 测量元素：硅、锰、磷、铜、镍、铬、钼、稀土、镁、钛、锌、铝、铅、铁等
l 测量精度：符合GB/T223.3-5-88标准。
主要特点：
l 兼容GQ-3A型微机三元素分析仪的全部功能
l 仪器功能齐全，适合于生铸铁、球铁、普碳钢、合金钢、合金铸铁、有色金属如：铜 合金、铝合金、矿石等材料中多元素的分析
l 机外溶样，操作简便，无管道电磁阀腐蚀老化现象，性能更稳定，可靠性更高
南京固琦分析仪器制造有限公司
2021-08-23
一种宽光束、可调送粉角的高效半导体装置
本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种宽光束、可调送粉角的快速高效半导体激光熔覆装置，包括半导体激光器(1)、光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)、可调宽光带送粉头(3)、送粉器(6)、高速机床(5)、六轴联动机器人(4)及中央控制系统(9)，光束整形与菲涅尔聚焦系统(2)用于将激光整形并聚焦成宽光带激光；可调宽光带送粉头(3)用于向待处理的大型轴型工件表面输送粉末及宽光带激光；工件直径大于1000mm，长度不低于10m。
华中科技大学
2021-04-10
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
基于金属氧化物的复合半导体光催化剂
将纳米级尺寸石墨烯量子点修饰到超薄ZnO纳米片表面，同样可大提高ZnO纳米片的光催化性能。
上海理工大学
2021-04-10
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法
本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法，包括以下步骤：1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块，将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压；2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升，可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上，以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃；其中，j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压，使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程，能减小过冷温度和增益温度，保证半导体脉冲激光器的温度要求。
华中科技大学
2021-04-13
一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室 温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒 的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气 体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批
华中科技大学
2021-04-14