一种双波长可调谐半导体激光器

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本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括

有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层

和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从

下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、

波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、

光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位

区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的

未应用