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南京固琦分析仪器制造有限公司
南京固琦分析仪器制造有限公司坐落在南京市高淳技术开发区内,是专业分析仪器厂家,公司集研发、制造、销售、服务为一体,拥有雄厚的技术力量,精良的检测手段,先进的生产工艺,完善的质保体系。是江苏省计量器具生产.制造的定点企业。  一直以来,固琦分析仪器公司的科技人员致力于分析仪器的研究和开发,坚持不断创新,以国内高等院校,科研院所为依托,充分应用现代高新技术,先后推出了几十种测量碳、硫、硅、锰、磷、铜、镍、铬、钼、稀土、镁、钛、锌、铅、铝、铁等元素的高速分析仪器,测量范围广,精度高,速度快,性能稳定,操作简便。产品主要有碳硫分析仪器,元素分析仪器,冶金分析仪器,铸造分析仪器,机械分析仪器,铁路分析仪器,不锈钢分析仪器,钢铁合金分析仪器,炉前快速分析仪,高频红外碳硫分析仪器等,主要用于工矿企业,产品质检所,大专院校,科研院所。深受用户好评。
南京固琦分析仪器制造有限公司 2021-01-15
大连依利特分析仪器有限公司
依利特分析仪器公司是专业从事研发、生产和销售色谱等科学仪器的国家高新技术企业。公司秉承“客户为本,质量至上,技术领先,做一流产品”的质量方针,以科技创新为动力,以质量稳定为根本,以服务诚信为原则,坚持自主创新,精益求精,不断推陈出新,发展壮大。目前在全国设有大连工厂和苏州工厂,主要研制销售高效液相色谱仪、色谱工作站、色谱柱及其配件,实现液相色谱系列化,产品服务全球化,解决方案完整化的综合体系,为制药、科研、高校、食品、石化、环保、检测、军工等企事业单位提供产品和服务。 依利特分析仪器公司建有省、市级工程技术研究中心,苏州“院士工作站”;拥有核心专利技术40余项,主持起草多项高效液相色谱的国家标准。“九五”至“十二五”期间,一直承担着国家重大专项和火炬项目,部分产品填补国内相关行业空白,多次荣获各级政府以及BCEIA金奖和CISILE自主创新金奖,成为国产液相色谱领域的标杆企业。 公司网址:www.eliteHPLC.com  客服电话:400-66-35483  产品业务咨询:13604289881
大连依利特分析仪器有限公司 2021-01-05
上海菲恰尔分析仪器有限公司
上海菲恰尔分析仪器有限公司是上海专业生产环保型离心机厂家,地处长三角经济区的中心上海——江南古镇青浦朱家角工业园区,交通便捷,距离市中心仅20分钟,“318”国道和"A9"绕城高速穿区而过。 菲恰尔专研于微型离心机、大容量离心机、台式高速离心机等设备的设计、研发、生产、销售、服务为一体,以“菲恰尔”为品牌,采用先进的设备辅以科学的管理,以客户为中心,以质量为宗旨,争创一流的品牌。为迎合环保潮流,我公司的系列离心机全部采用先进的环保无刷电机,免维护,无碳粉污染,噪音低,目前产品被多家国家重点大学实验室采用,深受广大用户信赖。 菲恰尔主要生产低速离心机、台式高速离心机、实验室离心机、上海离心机、大容量离心机、冷冻离心机、高速冷冻离心机、微型离心机。 我公司秉程“注重品质,创造未来,先客户后自己”的经营理念,以优质的产品和诚信的售后服务服务于每位客户,热忱欢迎国内外的新老客户光临惠顾!
上海菲恰尔分析仪器有限公司 2021-12-07
依利特(苏州)分析仪器有限公司
依利特(苏州)分析仪器有限公司 2022-11-04
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
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