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阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
半导体激光打标机
产品详细介绍YD-50W半导体YAG激光打标机
YD-50W semiconductor YAG laser marking machine
主要性能指标: Main performance indexes:
输出功率（W）
Output power (W)
50（可以选配100W）
激光峰值功率（KW）
Laser peak power (KW)
80
波长（nm）
Wavelength (nm)
1064
激光介质 （Nd）
Medium (Nd)
YAG
激光模式
Laser mode
多模multimode
调制频率（KHz）
Modulation frequency (KHz)
≤60
打标范围（mm）
Marking range (mm)
50×50 / 100×100 可选optional
打标线速度（mm/s）
Play line speed (mm/s)
10～7000mmps(直线扫描) (linear scan)
最小标刻字符尺寸（mm）
The minimum engraving character size (mm)
0.2
重复精度（mm）
Repeat precision (mm)
±0.00025
打标线深（mm）
Play lines deep （mm）
≤0.1
打标线宽（mm）
Play line width (mm)
≤0.05
整机功耗（KW）
The power (KW)
<2.5
供电电压
Power supply voltage
220V±22V / 50Hz 12A
配件accessories
旋转辅助器Rotating auxiliary device
产品性能：
1.一体化设计，全新的光路密封方式保证半导体的安全工作，免维护周期长。
2.激光输出功率大，能量连续工作稳定，标刻度深；
3.采用进口高速振镜扫描，速度快、精度高、性能稳定。
4.可根据不同材质、不同效果的标刻要求，激光频率在1-50KHZ可调
5.进口声光调Q系统，锁光效果好，光损耗小，输出功率高，确保激光系统长时间稳定工作。
6.软件控制系统操作简单快捷，支持常用的矢量图形绘制软件格式。电脑编程控制语言界面全中文操作简便快捷独有图形失真软件校正功能，可进行条形码、二维码、图形图像及文字等打标，支持PLT、PCX、DXF、BMP等文件格式
7.标刻图案精细美观、永不磨损。
The properties of product:
1 integration design, new ways of the sealing of semiconductor work safety, ensure maintenance free cycle is long.
2 the laser output power, energy, the scale continuous working stability;
3 imported high-speed galvanometer scanning, high speed, high accuracy and stability.
4. According to different material, different effects of laser engraving, frequency in the 1-50KHZ adjustable
5 Q system, adjustable import acousto-optic light effect is good, light lock loss, high power output for a long time, ensure the stability of laser system.
6 software control system operation simple and quick, support vector graphics software format. Computer programming language interface control all Chinese operation convenient unique graphic distortion, can undertake correction software code, two dimensional barcode, image and text marking, support, PCX PLT DXF, BMP files, etc
7. Engraving pattern fine beautiful, never wear.
使用条件：
供给电源：220V±10％（单相），有独立接地线， 频率50Hz， 电流10A
工作环境：环境温度5～25℃
相对湿度：≤75％（非凝结）
空间环境：整洁、相对无灰尘
电磁环境：计算机可以正常工作
Use:
Power supply: 220V ± 10% (single), has the independent grounding, frequency, current isolator deg
Working environment: the environmental temperature 5 ~ 25 ° c
Relative humidity than 75% (condensate:),
Environment: clean, relative to dust
Electromagnetic environment: the computer can work normally
产品用途：
对电子元器件、合金及氧化物、电工电器、珠宝、眼镜、钟表、汽车配件、塑料按键、通讯产品、环氧树脂、PVC管材、医疗器械、工具配件等进行标记。
Product use:
For electronic components, alloy, electrical appliances, and oxide jewels, watches, glasses, car accessories, plastic buttons, communication products, epoxy resin, PVC pipe, medical equipment, tool accessories for markers.
设备构成：YAG打标机主机 冷却系统 专业工控机 旋转辅助器（选配） 专业打标软件系统
Equipment: YAG laser marking machine is main engine cooling system for professional polymerizing-kettle rotation (optional) professional marking software system
北京神州正天科技有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
高光溢出效果半导体纳米晶器件微结构的构筑
本成果以原有的直写型3D打印技术为基础，通过对于现有3D打印技术的进一步开发，实现简便，高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑，进一步提升器件的光溢出效率。
一、项目分类
关键核心技术突破
二、技术分析
成果源于国家自然科学基金“异价掺杂量子点的合成、聚合物基复合块体3D打印制造与性能研究”，项目编号51872030。本成果以原有的直写型3D打印技术为基础，通过对于现有3D打印技术的进一步开发，实现简便，高效的微结构构筑技术。实现微结构纳米晶器件的高效构筑，进一步提升器件的光溢出效率。传统发光器件由于器件材料的折射率高于空气，光从器件内部向空气传播时，部分光会在器件的内表面发生全反射，从而无法实现高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上报道的块体荧光器件内部发出的光大量的在器件边缘聚集（75%），正面与背面光溢出量的总和仅仅为25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件内部微结构构筑为基础，通过微结构在器件内部的全反射界面构筑，改变光在材料内部的传输路径，实现器件正面的光溢出效果增强。
本专利的高光溢出效果可以广泛的应用于激光器、LED照明领域，提升能源利用效率。目前本专利可以将块体材料单侧约为~25%的溢出效率提升至~80%，约为3.2倍的提升。保守估计将此技术用于实际器件中，可以实现2倍以上的提升，这就意味着对于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明约占全球能源消耗的15%-19%，全球温室气体排放的5%-6%。据统计2021年，全球照明市场总市值达到8089亿元。照明技术是任何一个国家与地区都不可或缺的，高效的照明技术不仅可以为解决全球的能源危机提供有效解决途径，同时为减少碳排放作出巨大贡献，产生巨大的经济效益。
北京理工大学
2022-08-17
三维信息存储材料及其存储器
南开大学三维信息存储材料及其存储器的研究获天津市2001年度自然科学一等奖，采用三维全息存储介质的光存储系统—固定式三维光子存储装置，其存储量的容量可达到10Tbits/cm2以上，比二维盘片存储介质上的存储容量高一千倍；采用光学的方法符合并行输入与输出的要求，可同时一次性写入多幅和读出整幅图象信息，信息转移率高达1Gbits/sec，比光盘的逐点写入与输出方式所能达到的信息转移率高几千倍。故称之为海量存储。此外，它还有成本低、体积小、可重复读写的特点。利用光折变晶体的三维体全息光存储是国际上目前
南开大学
2021-04-14
3D NAND 存储器研发
已有样品/n3D NAND 是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难点，为实现多层堆叠结构的3D NAND 阵列打下坚实基础。
中国科学院大学
2021-01-12
两亲性Pt(II)配合物气致发光变色性质及存储器件
通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。
中山大学
2021-04-13
半导体测试设备监控系统
南京工程学院
2021-04-13
新型半导体异质结材料
上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结研究中取得重要进展，首次成功制备并表征了二维卤化物钙钛矿横向外延异质结。相关研究成果日前在线发表于《自然》。半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。在构建卤化物钙钛矿半导体异质结的道路上，有两个科学难题一直未得到解决。一方面，该材料易发生离子扩散，难以获得高质量的原子级平整的异质界面；另一方面，卤化物钙钛矿对空气、水分、电子束辐照等因素十分敏感，其微观结构解析特别是原子结构成像困难重重。缺乏原子结构信息的指导，材料的精准构筑与性能设计难以开展。于奕课题组与合作团队在这两个前沿难题的解决上取得了突破。研究人员在材料制备过程中引入刚性有机配体来抑制离子扩散，成功制备了二维有机—无机杂化卤化物钙钛矿横向异质结；发展了低剂量像差校正电子显微技术，首次揭示了二维横向异质结的界面原子结构，直接证实获得了原子级平整界面。同时，于奕团队找到了一种优化的低剂量成像方法，首次实现了辐照敏感的二维横向异质结原子结构解析。这一突破提供了界面原子结构、缺陷构型以及晶格应变等准确信息，为这类新型半导体异质结的微观结构设计提供了直观的指导。在这些研究发现的基础上，研究团队进一步合作，展示了新型异质结原型器件中的整流效应，验证了这类新型半导体走向应用的前景。相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7
上海科技大学
2021-04-11