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磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学
2021-01-12
64Mb 阻变存储器晶圆
已有样品/n64Mb ReRAM 芯片和内嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光国芯等单位共同设计，在实现基于ReRAM 存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等关键技术方面实现了突破和创新。两款芯片均已经在相关验证系统完成了应用演示等相关测试，其中64Mb ReRAM 芯片可成功实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，在功耗、速度和寿命等方面取得了令人满意的效果。
中国科学院大学
2021-01-12
一种相变存储器数据写入方法
一种相变存储器数据写入方法，属于存储器的数据存储方法，解决现有相变存储器数据写入方法存在的未最大化地利用能耗预算问题，以提升相变存储器(PCM)的写性能和寿命。本发明包括读出数据步骤、分析数据步骤、写入数据步骤。本发明针对 PCM 写“0”和写“1”的延时及能耗的不对称性，充分利用 PCM 的能耗预算(power-budget)，通过分别记录每一个数据单元待修改的“0”和“1”的个数，对每一个数据单元写入顺序重新调度
华中科技大学
2021-04-14
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
铁电高分子柔性存储器：高容量电子数据存储
铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
南京大学
2021-04-14
半导体领域
晶盛机电以技术创新作为持续发展的动力源泉。相继开发出具有完全自主知识产权的全自动单晶生长炉、多晶铸锭炉、区熔硅单晶炉、蓝宝石炉等晶体生长设备，同时开发并销售晶体加工、光伏电池和组件等装备，致力于打造光伏产业链装备技术和规模双领先的装备龙头企业；在半导体产业实现8-12英寸大硅片制造用晶体生长及加工装备的国产化，并取得半导体材料装备的领先地位；成功掌握国际领先的450kg级超大尺寸泡生法蓝宝石晶体生长技术，蓝宝石材料业务具备较强的成本竞争力并逐步形成规模优势；在工业4.0方向，公司为半导体产业、光伏产业和LED产业提供智能化工厂解决方案，满足了客户对“机器换人+智能制造”的生产模式需求。
浙江晶盛机电股份有限公司
2021-02-01
一种闪存存储器的混合映射方法
一种闪存存储器的混合映射方法，属于固态存储领域，解决现 有映射方法存在的处理随机写请求并行度不足的问题，从而提升闪存 存储器的性能。本发明包括初始设置步骤、缓存操作步骤、数据读操 作步骤及数据写操作步骤，通过引入虚拟存储块的概念，当发生数据 写操作时，仅当缓存中替换出来的页连续，且能够写入顺序写日志块 中时，仍然按照传统闪存存储器的方式写入，在其他情况下，均可以 将其写入虚拟存储块中的一个大页内，由于一个大页中的多个
华中科技大学
2021-04-14
大功率半导体激光器
北京工业大学
2021-04-14
一种安全存储器芯片、系统及其认证方法
本发明公开了一种安全存储器芯片、系统及其认证方法；该安 全存储器芯片包括总线接口模块、存储器模块、控制模块、加密模块 和私钥；控制模块和存储器模块共用一个总线接口模块，加密模块和 存储器模块均与控制模块相连，私钥与加密模块相连；存储器模块的 存储区域包括通用区域和受保护区域，通用区域用于存储软件程序， 受保护区域用于存储敏感数据；公钥存储于通用区域内。本发明提供 的安全存储器芯片具备更高的安全性；安全存储器芯片中的存
华中科技大学
2021-01-12