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新型存储器件及集成研究
已有样品/n面向存储器领域国际发展前沿和国家重大需求，长期紧密合作，系统深入研究了新型存储器机理、器件材料与结构体系、性能调控规律、可靠性表征和集成技术。取得了局域氧化还原主导的阻变模型、阻变存储器三维集成、电荷俘获存储器材料和结构体系优化及可靠性表征等系列原创性科技成果，获得了国内外同行的广泛引用和高度评价。获得了具有自主产权的新型存储器件及集成解决方案，主要发明专利和技术研究成果转移到国内知名集成电路制造企业。
中国科学院大学
2021-01-12
一种安全存储器芯片、系统及其认证方法
本发明公开了一种安全存储器芯片、系统及其认证方法；该安 全存储器芯片包括总线接口模块、存储器模块、控制模块、加密模块 和私钥；控制模块和存储器模块共用一个总线接口模块，加密模块和 存储器模块均与控制模块相连，私钥与加密模块相连；存储器模块的 存储区域包括通用区域和受保护区域，通用区域用于存储软件程序， 受保护区域用于存储敏感数据；公钥存储于通用区域内。本发明提供 的安全存储器芯片具备更高的安全性；安全存储器芯片中的存
华中科技大学
2021-01-12
一种三维存储器及其制备方法
本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，此发明 三维存储器由多层存储器垂直堆叠而成，每层包括：条状电极；电热 绝缘层；电热绝缘层中间的小孔；位于小孔中的 n 型半导体材料插塞 ·446·柱和 p 型存储材料插塞柱；该存储器可独立对每个单元进行读写。该 存储器选取 p 型存储介质与 n 型半导体材料形成 pn 结，所选取的 p 型 存储材料具有双重功能，既是存储介质也是选通管一部分。存储器自 带选通管，不要额外
华中科技大学
2021-04-14
一种相变存储器热串扰测试方法
本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法，该方法利用 相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器，通过在一个相变存 储单元上施加激励信号，在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信 号，采集相邻的相变存储单元上的响应信号，利用相变材料在不同温 度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单 元所受到的热串扰影响大小，从而对相变存储器热串扰稳定性进行评 估。本发明适用于一般的相变存储单元结构，不需要集成其他
华中科技大学
2021-04-14
调谐外腔式半导体激光器
半导体激光器由于体积小、效率高、结构简单、便于调谐等优点，在工业、军事、科研以及家电等领域发挥越来越重大作用，已成为重要的基础器件。 项目研制和开发了半导体激光器系列产品，主要包括: 1、可调谐外腔半导体激光器 激光器二极管(LD)发出的光经准直透镜后平行入射到外腔闪耀光栅上，经光栅分光得到一级衍射光和零级光。一级衍射光反馈回外腔与有源区光场相互作 用，实现压窄线宽、降低噪声目的;零级光经聚焦透镜后作为输出光，调整光栅 的角度可实现波长的调谐。产品覆盖从 762 到 795 纳米(nm)各种波长，输出功 率 50~100 毫瓦(mW)，线宽<500 kHz，可用于工业测量、光通信、光信息处理、 激光光谱学等。2、外腔半导体激光器稳频系统通过调制激光器的外腔、激光管的注入电流等得到激光光谱信号，处理后得 到参考谱线中心频率两侧极性相反的稳频误差控制信号，将激光频率锁定在参考 谱线中心附近。激光稳频在精密干涉测量、光频标、光通信、激光陀螺及其精密光谱研究等 领域中有广泛应用。产品可实现三种激光稳频，将线宽限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)饱和吸收锁——锁峰: 产品精度高且易于操作。利用饱和吸收峰将激光 器精确锁在某一固定频率上。(2)FP 腔锁——锁峰:产品使用非常方便。通过改变 FP 腔的腔长实现一定 范围的波长扫描。(3)PID 电路锁——锁边:产品简单易用，用于对精度要求不高的锁频应用。 3、外腔半导体激光放大器 放大器可对入射激光进行放大，同时保持注入光的偏振、线宽和波长等物理特性不变。产品输入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍数 13dB, 输出功率 500mW~ 1000mW,增益带宽 30nm。
西安交通大学
2021-04-11
半导体测试设备监控系统
南京工程学院
2021-04-13
新型半导体异质结材料
上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结研究中取得重要进展，首次成功制备并表征了二维卤化物钙钛矿横向外延异质结。相关研究成果日前在线发表于《自然》。半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。在构建卤化物钙钛矿半导体异质结的道路上，有两个科学难题一直未得到解决。一方面，该材料易发生离子扩散，难以获得高质量的原子级平整的异质界面；另一方面，卤化物钙钛矿对空气、水分、电子束辐照等因素十分敏感，其微观结构解析特别是原子结构成像困难重重。缺乏原子结构信息的指导，材料的精准构筑与性能设计难以开展。于奕课题组与合作团队在这两个前沿难题的解决上取得了突破。研究人员在材料制备过程中引入刚性有机配体来抑制离子扩散，成功制备了二维有机—无机杂化卤化物钙钛矿横向异质结；发展了低剂量像差校正电子显微技术，首次揭示了二维横向异质结的界面原子结构，直接证实获得了原子级平整界面。同时，于奕团队找到了一种优化的低剂量成像方法，首次实现了辐照敏感的二维横向异质结原子结构解析。这一突破提供了界面原子结构、缺陷构型以及晶格应变等准确信息，为这类新型半导体异质结的微观结构设计提供了直观的指导。在这些研究发现的基础上，研究团队进一步合作，展示了新型异质结原型器件中的整流效应，验证了这类新型半导体走向应用的前景。相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7
上海科技大学
2021-04-11
可调谐外腔式半导体激光器
西安交通大学
2021-04-10
InP 基 2 微米波段半导体激光器
可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波 长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要
中国科学院大学
2021-01-12
一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行
华中科技大学
2021-04-14