本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法,此发明 三维存储器由多层存储器垂直堆叠而成,每层包括:条状电极;电热 绝缘层;电热绝缘层中间的小孔;位于小孔中的 n 型半导体材料插塞 ·446·柱和 p 型存储材料插塞柱;该存储器可独立对每个单元进行读写。该 存储器选取 p 型存储介质与 n 型半导体材料形成 pn 结,所选取的 p 型 存储材料具有双重功能,既是存储介质也是选通管一部分。存储器自 带选通管,不要额外