一种三维存储器及其制备方法

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本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，此发明

三维存储器由多层存储器垂直堆叠而成，每层包括：条状电极；电热

绝缘层；电热绝缘层中间的小孔；位于小孔中的 n 型半导体材料插塞

·446·柱和 p 型存储材料插塞柱；该存储器可独立对每个单元进行读写。该

存储器选取 p 型存储介质与 n 型半导体材料形成 pn 结，所选取的 p 型

存储材料具有双重功能，既是存储介质也是选通管一部分。存储器自

带选通管，不要额外

未应用