1 成果简介电网覆冰给我国电力行业与社会带来了巨大损失，如何解决因绝缘子覆冰所带来的绝缘闪络问题是一个技术难题，清华大学利用半导体激光研制的便携式半导体激光融冰专利技术可实现带电非接触除冰。  图 1 便携式激光除冰装置                  图 2 现场除冰  图 3 透镜外形 产品参数：激光器功率 250W波长 980nm作业距离 20m-40m总重量 60kg产品优势：远距离非接触式清除覆冰电光转换效率高重量轻，体积小模块式，易携带项目特点：世界第一台便携式激光融冰装置、拥有相关专利便携式、非接触式操作、带电作业适用于绝缘子和重要设备融冰作业2 应用说明可应用于重要电力设备的带电融冰作业和高压输电回路的绝缘子带电融冰作业。 3 效益分析4 合作方式商谈。5 所属行业领域先进制造。

光热探针技术是建立在光声显微镜和激光扫描显微镜基础上，利用调制光反射技术发展起来的一种新型探针技术。利用一束强度调制激光聚焦在样品表面，对半导体样品，入射的光能激发的光生载流子，从而引起表面光反射率变化，用另一束探测光可检测此反射率的变化。由于光生载流子数目直接与注入的离子浓度相关，因此可测定表面注入离子浓度的分布。     近年来，曾利用本仪器

特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。

公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。 一、项目进展 创意计划阶段 二、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 侯晓清 管理学院/工商管理 2019/2023 师鸣遥 生命学院/化学生物 2019/2023 李想 生命学院/化学生物 2020/2024 徐婧谨 电信学部/储能科学与工程 2019/2023 董梓竣 管理学院/工商管理 2019/2023 杨舒婷 化学学院/材料化学 2019/2023 吴一品 管理学院/大数据管理与应用 2020/2024 赵静怡 人文学院/环境设计 2020/2024 刘彦麟 软件学院/软件工程 2020/2024 袁子翔 管理学院/工商管理 2019/2023 三、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 鲁广昊 前沿科学技术研究院 教授 有机半导体薄膜和器件 卜腊菊 化学学院 教授 薄膜断层分析技术及科研仪器的开发 魏泽龙 管理学院 教授 技术创新与创业管理 四、项目简介 本项目依托于西安交通大学前沿科学与技术学院以及中国西部创新港的科研平台，拥有半导体薄膜断层检测技术顶级研发团队，并已有国内外超过100所高校、科研院所、企业等正在采用本产品检测的数据或正在实际试用本产品，本团队可以更好了解产品需求及效果，能够实现量产、快速研发与后续更新迭代。 公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。作为国内外首家使用软等离子体源刻蚀技术，实现了半导体薄膜断层的精准检测，占据了全球领先地位，将“卡脖子”技术转换成“杀手锏”，为基于光谱分析的半导体薄膜断层精准检测提供了中国方案，提高了我国半导体薄膜检测的科技实力水平。

① 酞菁纳米材料制备。使用四苯氧基金属酞菁，采用混合溶剂缓慢挥发的方法，得到一维的酞菁纳米线； ② 器件组装。使用梳状电极，将酞菁纳米线搭在梳状电极两端，形成电路。得到的酞菁器件对 808 nm光敏感，可以迅速产生响应，恢复时间短，课重复响应。

本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法，包括以下步骤：1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块，将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压；2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升，可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上，以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃；其中，j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压，使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程，能减小过冷温度和增益温度，保证半导体脉冲激光器的温度要求。

本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气 体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶 复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室 温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒 的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气 体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常 温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批

产品详细介绍 产品名称： 高功率半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 12281271316产品信息： 产品名称： LCM-LL-250型 绿光微功率激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 61910274716产品信息： 产品名称： 375nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118957316产品信息： 产品名称： 蓝光405 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118956016产品信息： 产品名称： 蓝光473 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189545816产品信息： 产品名称： 绿光523 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118954116产品信息： 产品名称： 绿光532 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189525516产品信息： 产品名称： 黄光556nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189511616产品信息： 产品名称： 黄光561nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189501816产品信息： 产品名称： 黄光589nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118949416产品信息： 产品名称： 黄光593nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189474716产品信息： 产品名称： 红光635nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189455616产品信息： 产品名称： 红光639nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189445316产品信息： 产品名称： 红光 671 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189393016产品信息： 产品名称： 690 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189384116产品信息： 产品名称： 457 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118937916产品信息： 产品名称： 445 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189343316产品信息： 产品名称： 375 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189323116产品信息： 产品名称： 拉曼780 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118929816产品信息： 产品名称： 785 nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 118927716产品 产品名称： 808 nm半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189252716产品信息： 产品名称： 830nm 半导体激光器产品类别： 激光系列产品 → 半导体激光器产品编号： 1189233916产品信息： 信息： 【激光系列产品】 光纤激光器  多模泵浦激光器  激光二极管未封装bar  激光二极管冷却装置  激光器电源  氦氖激光器  CO2激光器  半导体泵浦激光器  氩离子激光器  氦镉激光器  氮分子激光器  皮秒激光器  激光二极管电源  激光光谱测量  激光能量计/功率计  激光雕刻、打标、切割机  激光二极管模块  深紫外、紫外固体激光器  超快飞秒激光器  热电制冷产品  激光光束定位系统  激光光束分析仪  视频显微镜测量系统  激光准直器  多通道激光功率计  半导体激光器  激光测距仪  红外激光显示卡  调Q激光器  激光护目镜  光学平台  光学调整架  光学微调架  可调嵌入式光学调整架  倾斜位移台  通用调整台  光学延迟线  手动位移台  XY位移台  光学旋转台  角位移调整台  激光器附件  可变光阑  扩束镜  拉曼激光器  大功率光纤耦合激光器  单模垂直腔面发射激光器  紧凑型氩离子激光器  新型氩离子激光器 

本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC

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