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高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12
高速光收发器件与模块
可以量产/n该项目带宽宽，可以覆盖Ku以下所有频段，并向Ka频段发展；线性度高，模拟通信不失真；动态范围大，激光输出功率高，相对强度噪声低。可靠性高，全金属化耦合焊接，提高了可靠性和寿命。市场预期：该项目产品主要应用领域是通信，目前国内市场需求大于300亿人民币。随着国家宽带战略的实施和物联网的发展，未来5-10年将以大于30%/年的速度递增。到2020年将大于1000亿元人民币。
中国科学院大学
2021-01-12
CdZnTe高能射线探测材料与器件
内容介绍： 本项目围绕探测器用CdZnTe晶体的制备与开发应用，釆用改进的垂直 布里奇曼技术，通过合理设计成分以及选择合适的掺杂元素和掺杂量，探 索了优化的晶体生长和退火改性工艺，生长出满足探测器要求的高性能 CdZnTe晶体。围绕对X射线和y射线等不同能量射线检测及应用的要求， 解决了探测器用CdZnTe晶体的磨抛加工、表面处理以及接触电极的制备难 题，建立了探测器用CdZnTe晶片的筛选机制和生产线
西北工业大学
2021-04-14
一种微环波导器件
本发明公开了一种微环波导器件，包括微环谐振腔、直波导、第一支架、第二支架和衬底；其中，第一支架用于支撑直波导，第二支架用于支撑微环谐振腔，以使微环谐振腔与直波导悬空；微环谐振腔与直波导相互耦合；外部注入的光场通过直波导耦合进入微环谐振腔中，满足微环谐振条件的光场在微环谐振腔中激发出声场，通过悬空的微环谐振腔将产生的声场限制在微环谐振腔中进行传输，进而产生前向布里渊效应；本发明提供的这种悬空的微环波导器件具有布里
华中科技大学
2021-04-14
智能型制冷控制器件
1：电子式压力控制器 内容：专用于按压力信号对制冷系统实施的各种控制。（1）电子式数字显示，数字设定（2）微电脑控制器（3）可以对压缩机进行运行，保护及调节方面的控制，如：压缩机正常启、停控制，高低压力保护，油路控制，压缩机制冷能力的程度控制（4）适用于各种制冷剂，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）针对
西安交通大学
2021-01-12
高白度抗静电纳米粉体
研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关，研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体，与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线，完成了粉体批次稳定性验证，突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈，形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平，并已通过国家航天领域应用验证。同时，产品原料及生产成本远低于进口产品，有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等，如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等，市场前景广阔。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
纳米铝塑板
产品名称：纳米氟碳涂层铝塑板
表面涂层：
铝合金：AA1100series，AA3003series
铝厚：0.3mm,0.40mm,0.45mm,0.50mm
铝厚度：4mm,5mm,6mm
宽度：1220mm,1250mm,1500mm
长度：最长至6000mm,特殊宽度可定制
背涂：
品牌：ALUSHINE
产地：山东临沂
临沂金湖彩涂铝业有限公司
2021-09-02
大颗粒状速溶食品（菊花晶和金银花晶）的开发及产业化
菊花晶和金银花晶具有清热去火的功效，目前市售的菊花晶和金银花晶主要 以粉末状的形态存在，外观形状较差，且溶解时所需的时间较长。本项目开发的 菊花晶和金银花晶颗粒较大，溶解性较好。
溶解时间：热水中 3 s 以内全部溶解，不使用食品添加剂。
效益分析：菊花和金银花中的有效成分具有清热去火等诸多功效，将其从菊花和金银花 中提取出来制备成菊花晶和金银花晶可以提高食用的方便。此外，将菊花晶和金 银花晶与奶粉同时食用，可以有效降低婴儿食用奶粉时引起的上火等问题。因此， 开发具有良好外观形态和溶解性的菊花晶和金银花晶具有较强的市场竞争力。
江南大学
2021-04-11
全自动激光晶圆划片机系统
电路是以晶圆为载体，采用一定的工艺，把电路中的元器件和布线制作在晶圆片上，封装为 一个整体，使晶圆上每个晶粒成为具有所需电路功能的微型结构。晶圆切割的过程是将集成有 电路的整片晶圆通过划切分割成单个的晶粒，切割过程又是一种无法恢复的过程，因此，材料 和制造成本的积累以及工艺的不可重复性决定了切割工艺成为整个集成电路制造过程中最关键 和难度最大的工艺环节。 精密机械：可加工的晶圆最小直径可达50mm，在晶圆里面印刷有晶格，每个晶格的宽度 为200μm，晶格间距约为20μm，所以设备的切割精度要求控制在2μm以内，每小时切割15片。 运动平台采用高精度的直线电机平台，定位精度为2μm，重复定位精度为1μm；旋转平台的定 位精度为30″，重复定位精度为4″。 计算机自动控制：划片机系统将根据客户要求以及配合视觉检测系统传输的晶圆数据，自 动生成切割路径，在规定的工作时间内完成晶圆的切割。
华东理工大学
2021-04-11
氧化铝微晶陶瓷磨料磨具
本项目以溶胶凝胶技术为基础，辅以其他技术手段，在技术及产品质量指 标上完全达到了世界上最先进的诺顿（法国圣戈班）、3M 公司的水平，实现工 业化生产后，可以打破国外的技术封锁和产品垄断，并解决国内关键加工行业 受国外制约的困难，从而提升国内整体的机械加工水平。
山东大学
2021-04-13