产品详细介绍工作原理研磨：利用剪切力（shear force）、摩擦力或冲击力（impactforce）将粉体由大颗粒粉碎成小颗粒。分散：纳米粉体被其所添加溶剂、助剂、分散剂、树脂等包覆住，以便达到颗粒完全被分离（separating）、润湿（wetting）、分布（distributing）均匀及稳定（stabilization）目的。在做纳米粉体分散或研磨时，因为粉体尺度由大变小的过程中，范德华力及布朗运动现象逐渐明显且重要。选择适当助剂以避免粉体再次凝聚及选择适当的研磨机来控制研磨浆料温度以降低或避免布朗运动影响，是湿法研磨分散方法能否成功地得到纳米级粉体研磨及分散关键技术。纳米级分散研磨机采用三维高频振动技术，产生每分钟上千次的冲击、剪切、研磨，效率比球磨机提高几十倍。通过冲击力和摩擦力结合的方法来减小颗粒尺寸。电磁动力马达产生振动，通过研磨球的冲击振动减小样品的尺寸，此外，由研磨球翻滚运动产生的摩擦也使样品的尺寸进一步减小。高频振动确保3分钟内可将物料混合均匀，效果、效率均优于进口设备“红魔鬼”“快手”。行业应用ü 适用于实验干样品或悬浮液中固体样品的精细研磨粉碎ü 适用于乳状液或糊状物的均匀化处理ü 适用于纳米材料分散，效果优于普通机械法和超声波法ü 适用于无机矿物材料的表面改性、光饰作用，金属材料的机械合金化优点ü 选择性研磨：研磨过程开始时，通过冲击力减小样品的尺寸，此外，由研磨球翻滚运动产生的摩擦也使样品的尺寸进一步减小ü 研磨后样品粒径的分布窄，均匀化程度好ü 可避免结块现象ü 处理样品量大，6个研磨罐，最大处理量达6Lü 研磨罐独立，避免交叉污染 ü 可进行无铁研磨  丰富的罐体和磨球材质，可进行防止掺入杂质的无铁研磨 主要技术参数如下：    工作电压：     单相220V/50HZ    研磨罐容量：   50—6000ml    定时器：       0—99小时    变频器：       0.75KW    电机功率：     0.75KW      振动频率：     1500rpm    主机尺寸：     Φ600 * 800    主机重量：     110kg    最大进样尺寸： < 10 mm    最终出样尺寸： 5– 10 μm

产品介绍 UCN纳米智能黑板，是一个集成纳米触控、高清大屏显示、电脑主机、普通黑板、电视电脑等诸多功能于一身的多媒体教学平台。它尊重师生使用习惯，将传统教学黑板和可感知交互的智能黑板无缝对接，既可全屏粉笔书写，又具多媒体教学功能，操作模式简洁，同时内置专业教学软件、应用平台及管理平台，老师可灵活运用教学工具，分享调用优质教学资源，远程管理维护升级，已被广泛应用在教育教学领域，适用于各学龄段。 产品特点 自主知识产权 拥有纳米触控膜和纳米智能黑板的自主知识产权; 视力保护 表面防眩光玻璃+自主研发纳米涂层，保证超大可视角度，且有效过滤有害光线 全方位安全设计 拟态纯平表面、四周圆角设计，高强度钢化玻璃，防水防尘抗外力冲击; 多种书写方式 普通粉笔/白板笔/电容笔/手指触控，尊重老师教学习惯;拟态纯平表面、四周圆角设计，高强度钢化玻璃，防水防尘抗外力冲击; 双系统，大尺寸 配备Windows与Android双系统 搭载软件平台 内置自主研发的教学应用平台和管理平台，海量教学资源，同时提供远程设备管理与维护; 磁性吸附 左右两侧支持磁性材料吸附，方便非电子类教材展示; 显示窗口，一键下移 液晶显示窗口高度可调整下移，触控不受影响，适应不同老师身高; 产品参数

产品介绍 UCN纳米智能黑板，是一个集成纳米触控、高清大屏显示、电脑主机、普通黑板、电视电脑等诸多功能于一身的多媒体教学平台。它尊重师生使用习惯，将传统教学黑板和可感知交互的智能黑板无缝对接，既可全屏粉笔书写，又具多媒体教学功能，操作模式简洁，同时内置专业教学软件、应用平台及管理平台，老师可灵活运用教学工具，分享调用优质教学资源，远程管理维护升级，已被广泛应用在教育教学领域，适用于各学龄段。 产品特点 自主知识产权 拥有纳米触控膜与纳米智能黑板自主知识产权 视力保护 表面防眩光玻璃+自主研发纳米涂层，保证超大可视角度，且有效过滤有害光线 全方位安全设计 拟态纯平表面、四周圆角设计，高强度钢化玻璃，防水防尘抗外力冲击; 多种书写方式 普通粉笔/白板笔/电容笔/手指触控，尊重老师教学习惯;拟态纯平表面、四周圆角设计，高强度钢化玻璃，防水防尘抗外力冲击; 双系统，大尺寸 配备Windows与Android双系统。 搭载软件平台 内置自主研发的教学应用平台和管理平台，海量教学资源，同时提供远程设备管理与维护; 磁性吸附 左右两侧支持磁性材料吸附，方便非电子类教材展示; 显示窗口，一键下移 液晶显示窗口高度可调整下移，触控不受影响，适应不同老师身高;

本发明属于无机／有机纳米复合材料技术领域，具体涉及一种纳米 SiO2／硼酚醛树 脂纳米复合材料及其制备方法。本发明采用了溶液共混法和超声波辅助分散法相结合， 确保纳米颗粒在复合材料中得到纳米级分散；纳米 SiO2表面经过处理，使纳米 SiO2与基 体树脂硼酚醛树脂之间形成了良好的界面，可以充分发挥出纳米 SiO2、硼酚醛树脂的优 点。本发明的目的在于通过合理的工艺控制，制备出纳米 SiO2含量不同的硼酚醛树脂纳 米复合材料。利用纳米 SiO2的刚性、耐磨性、热化学稳定性和硼改性酚醛树脂的良好的 力学性能、耐热性和耐烧蚀性等优点，制备出的纳米 SiO2／硼酚醛树脂纳米复合材料可 广泛用于高温制动摩擦材料、耐烧蚀材料、特种结构材料、防热材料等众多领域。 

研发阶段/n本发明涉及一种低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO2粉末微球的一步合成法，其利用乳浊液法控制团聚粉末的形状（球形），利用均匀沉淀法控制一次纳米颗粒的大小、团聚和粒径分布，利用共沉淀法控制团聚粉末的成分与结构的均匀性，从而一步合成复合纳米ZrO2(CaO,MgO)软团聚粉末微球，将制粉和造粒过程一步完成。本发明涉及的方法可以有效解决低温无压烧结制备纳米陶瓷这一难题，大大加快纳米ZrO2陶瓷的实用化进程。

本发明公开了一种适用于纳米材料操控的多自由度纳米操作台，包括底座、Z 向位移台、XY 向位移台和纳米操作臂，其中 Z 向位移台沿着竖直方向设置在底座上，包括彼此连接的固定部件和安装有 Z 向直线驱动电机的移动部件；XY 向位移台沿着水平方向设置在 Z 向位移台的移动部件上，并包括彼此并联滑动连接的第一至第三并联部件，其中第一并联部件上安装有 Y 向直线驱动电机，第二并联部件上安装有 X 向直线驱动电机，第三并联部件上安装有旋转运动驱动电机和纳米操作臂。本发明通过对驱动电机与位移台的高精度控制以及主要

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。 

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。