本发明提供了一种基于多光子吸收的染料掺杂液晶随机激光器，包括玻璃基片以及其上顺序附着的固化层和混合层，所述固化层为光控染料与表面聚合材料的饱和溶液固化形成的薄膜，所述混合层为液晶与激光染料的混合溶液层。本发明基于多光子吸收效应，泵浦光处于长波段在激光器表层的损耗较少，可穿透表层到达介质内部，使多光子吸收发生在激光器较深处，对随机激光器的厚度没有特殊要求，能有效提高泵浦效率。并且，多光子泵浦光源的长波段光子能量较低，可减少对材料的损害，防止发生短波段光子引起的材料变性的问题。

本发明公开了一种有源电子式互感器的供能激光器在线寿命直 接监测方法，包括如下步骤：(1)判断激光器工作状态；(2)获取激光器 工作状态下的工作电流值；(3)异常点处理；(4)低通滤波处理；(5)建立 关联模型；(6)评估激光器老化寿命。本发明通过实时采集获取被监测 供能激光器所在的合并单元的供电电源的电流值，并结合合并单元供 电电源电流与供能激光器工作电流之间的关联模型，以实现对供能激 光器正常老化寿命的直接在线监测，填补了电子式电流互感器正常老 化寿命在线监测技术领域的空白，具有可靠性高，且对环境

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。

本发明公开了一种高静压下液电脉冲激波强度的获取方法；液 电脉冲激波发射器通过脉冲电容器向液体间隙放电，通过电弧、空腔 的快速膨胀向外辐射激波。液电脉冲激波发射器一般工作在深海或深 地环境，其周围静压随着工作深度的增加而增大。放电过程受到静压 的影响使得激波强度与常压下的激波强度有较大差异。本发明提出通 过将激波产生过程分为预击穿过程和主放电过程两个阶段，利用预击 穿时延随静压的变化关系计算预击穿过程中的能量损耗；基于流体力 学方程考虑静压对液体密度、激波传播速度及空腔膨胀速率的影响， 计算不同静压下

本发明公开了一种基于液电脉冲激波的油井解堵增产装置，包 括地面供电控制装置、测井电缆及井下液电脉冲激波发射器。工作时 测井电缆将液电脉冲激波发射器置于井下油层射孔处，通过控制地面 供电控制装置设置液电脉冲激波的次数及重复频率。液电脉冲激波轰 击油层射孔处的堵塞物，使其破碎进入油筒内，解除射孔处的堵塞。 同时液电脉冲激波通过护套向径向方向传播，作用于射孔处的储油岩 层，增加其裂缝，进而增强原油的渗透性。射孔堵塞解除及岩层裂缝 增加均能显著增加油井的原油产量。本发明的液电脉冲激波油井解堵 增产方法与传统

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的

本发明提供了一种基于PDMS聚合物的柔性量子点随机激光器，包括两层PDMS薄膜层以及两层PDMS薄膜层之间夹置的渗透层，PDMS薄膜层中的交联剂浓度大于4%，渗透层中的交联剂浓度为2%?4%，渗透层为内应力分布不均匀的PDMS薄膜层，渗透层上设有至少一组由中心点向各方向发散的若干条线性凹槽或至少一组由中心点逐渐扩散的若干个环形凹槽，凹槽供量子点渗透。本发明量子点在随机激光出射过程中充当增益介质的作用，利用渗透层的内应力分布不均，通过光弹性效应形成局域化折射率不一致，增强多重散射作用，达到了降低出射随机激光阈值的目的。本发明中量子点填充在浓度较低的渗透层内，相比玻璃基板表面的量子点薄膜，具有长时间运作的特点。同时由于PDMS是柔性材料，具有可弯曲的特点，可以实现柔性随机激光器制备。

本发明提供了一种基于表面等离子体的量子点随机激光器，包括顺序层叠的第一玻璃基板、间隔层和第二玻璃基板，所述第一玻璃基板在与间隔层贴合的表面上设有微米级凹槽供量子点沉积，所述间隔层中含有固定在第二玻璃基板上的金属纳米粒子，控制金属纳米粒子与量子点之间的距离。本发明金属纳米粒子的表面等离子体共振效应增强泵浦光的激发效率和随机激光的辐射效率，同时间隔层有效避免了量子点与金属纳米粒子接触而产生的荧光猝灭现象，并且由于间隔层材料透明高分子聚合物，可以使金属纳米粒子的共振吸收谱发生红移，实现表面等离子体共振带和激励光谱与出射光谱的耦合，从而得到低阈值、高强度的稳定随机激光出射。