一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法

高端装备制造

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法，

包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串

包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区

域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介

质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧

穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控

制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的

试用