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一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14
均匀土壤中矩形地网接地导体布置方法
本成果为授权发明专利（201010238818.9）。该发明公开了一种均匀土壤中矩形地网接地导体不同间距布置方法，该方法主要是根据地网设计所需的地网网孔数确定接地网均压导体优化后的导体位置。该方法可以快速准确的计算接触电压分布、跨步电压分布优化后矩形地网中任意根数接地导体的位置。该方法不仅计算方便，且适用范围广。该专利对于接地系统的优化设计具有国际先进水平，自主可控，填补了矩形地网中接地导体非等间距布置方法的空白，在保证地网安全性能的同时节约金属材料，有着有广阔的应用领域。
西南交通大学
2016-06-27
铸造铝铁碳磁铁 教学用条型磁铁
产品详细介绍铸造铝铁碳磁铁 教学用条型磁铁
开封磁钢厂
2021-08-23
纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化制备法
一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。
四川大学
2021-04-11
一种氮掺杂碳纳米材料、其制备方法及应用
本发明公开了一种氮掺杂碳纳米材料、其制备方法及其应用于 制备燃料电池阴极材料。所述氮掺杂碳纳米材料包括含氮杂环化合物 以及碳纳米材料，其中氮的质量含量在 2%至 10.4%之间。其制备方法 包括以下步骤：（1）将表面活化的碳纳米材料与含氮络合物，按照质 量比例 1:1 至 1:5 均匀混合，得到前驱体混合物；（2）将步骤（1）中 获得的前驱体混合物在保护气体环境下，升温至 800℃至 1000℃，煅 烧 2 小时至
华中科技大学
2021-04-14
言语康复辅具与训练系统
北航言语康复辅具研究团队立足于我国残疾人“人人享有康复服务”的国家战略需求，以言语康复技术和新型康复辅具研究为目标，在科技部、民政部和北京市的支持下，经过多年攻关，从发声调控机理、发声基频调控技术和声调语音增强方法多角度出发，解决电子喉基频调控等关键技术问题，研发了新型言语康复辅具。
北京航空航天大学
2021-04-10
长寿命工业杂质泵材料
工业杂质泵过流件，包括叶轮、护套和护板属于易损件，我国工业上每年要消耗大量的过流部件。针对过流部件磨损严重、寿命短的问题，我们选用了新型高铬白口铸铁材料，在金相组织、化学成分及热处理工艺上均有自已的特点。使用这种新型高铬白口铸铁作为过流部件，经望亭、徐州和扬州发电厂等部门的实际使用，寿命达到8500小时到16000小时以上，为原用锰钼类合金白口铸铁寿命的4
西安交通大学
2021-01-12
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11