一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法

高端装备制造

本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法，

包括以下步骤：以碳化硅作为 N⁺衬底，在其上依次外延

生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P⁺

区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机

械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开

关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两

未应用