|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
光催化性能新型半导体复合颗粒的制备技术
环境污染的日益加剧时刻威胁着人类的生命健康。温室效应带来的全球变暖义威胁着人类的生存家园。如何面对和解决这些环境问题一直是科学家们努力的研究方向之一。光催化技术作为一种新兴的废气和废水深度绿色处理技术,受到人们广泛的关注,而制备具有高效光催化能力的催化剂则是这一技术的核心。目前,TiO2及其复合材料被广泛用作光催化反应的催化剂。但纳米TiO2只吸收紫外光,通过改性能够将TiO2的光吸收范围拓宽至可见光区。该方面的研究能够提高太阳能利用率,具有重要意义。本技术主要以催化降解水中污染物和催化还原CO2的效果作为评价标准对纳米TiO：实施多种改性方案,旨在以新型方法制备出新型结构并且催化效率高的光催化剂。首先以微波法制备了结构新颖,可用于光敏剂的酞菁。然后分别制备了水溶性的负载型酞菁及酞菁敏化TiO2纳米颗粒,并实施了金属氧化物复合、非金属与金属氧化物共复合纳米TiO2颗粒的制备及光催化应用。
北京化工大学
2021-02-01
霍尔效应测试仪 半导体材料测量实验仪器
北京锦正茂科技有限公司
2022-01-25
多维磁场探针台测试系统无磁材质半导体测试
北京锦正茂科技有限公司提供的多维磁场探针台，采用无磁材料制成，采用亥姆霍兹线圈正交放置，产生空间多维磁场。线圈可采用自然冷却（磁场较小）或水冷结构（磁场较大），标配线圈过热保护装置。配合高精度双极性直流电源可长时间稳定工作。通过软件或者电源控制面板控制每一维输出电流，可以产生空间任意方向的矢量磁场。探针台配备有可移动样品台，可以实现水平方向二维移动和360度转动，便于样品的安装和测试。探针台具有四个高精度探针臂，同时配有高精度电子显微镜，便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号，用来测试芯片、晶圆片、封装器件等。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
应用范围：
锦正茂三维磁场探针台 广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。三维探针台和锦正茂自主研发的高精度双极性电源相匹配，通过真正的双极性电源输出，实现了空间任意方向上的矢量场合成。
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
可选附件：
þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线
þ CCD或C-MOS视频成像装装置
þ Chuck运动装置
þ 电磁铁系统/超导磁铁系统
þ 1Mpa正压系统升级
þ 超高温升级选件
þ 超高真空升级选件
þ 各类探针夹具
þ 屏蔽箱
þ 防振桌
þ 转接头
þ 静音真空泵
您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-01
半导体泵浦固体激光器综合实验系统
本系统提供了一个端面泵浦固体激光器实验的完整解决方案。不仅可以开展激光器件和激光技术的验证性和演示性实验、激光器调试技能的实训实验，还可以自由组合开展各种综合性、设计性和创新性实验。为激光原理、激光器件与激光技术等课程提供配套的实验教学。
武汉光驰教育科技股份有限公司
2021-02-01
高效病毒防护用纳米纤维空气滤材
中原工学院纺织服装产业研究院教授何建新团队在高效病毒防护用纳米纤维空气滤材与口罩关键技术及装备方向的研究取得了突破性进展。通过自主研发的线性电极静电纺丝技术制备出直径50—150nm的纳米纤维，以此类超细纤维为原料可加工出过滤精度100nm的超薄非织造滤材，能够高效拦截呼吸道飞沫、PM2.5、病毒、油性颗粒等病原体传播介质。同时，该技术可通过原液掺杂纳米银、中草药提取物而使材料具备生物杀菌功能，能从根本上抑制病毒的传播。
中原工学院
2021-04-11
KS-5炉前快速碳硅分析仪
产品详细介绍KS-5炉前快速碳硅分析仪KS-5型炉前快速碳硅分析仪产品简介： KS-5型炉前快速碳硅分析仪是我公司与高等院校联合开发的炉前快速分析仪，与传统的实验室分析方法相比，不仅可以快速测定常规的碳硅含量，还可以测试强度、硬度、伸厂率等，有效提高了工作效率，并降低了检测成本与时间。 KS-5炉前快速碳硅分析仪主要技术参数：1.测量范围：碳当量：3.2～4.8±2% 碳含量：2.8～4.2±0.08% 硅含量：0.9～3.0±0.2% 2.测量时间：3-5分钟 KS-5炉前快速碳硅分析仪主要特点：1.型号是KS-1及KS-2型炉前快速碳硅仪更高一级的产品。 2.内置铸造功能数据库，适用于铸铁、球铁生产的炉前元素的控制，可迅速测定出碳硅元素的含量及碳当量，并根据测定结果及时进行配料的调整。大大提高了成品率，减少了铁水在炉中的时间，缓解炉工的工作量。 3.常规的检测仪器从铁水到测出试棒的强度、硬度等数据要12小时左右，而智能分析仪内置数据库可直接从铁水中测量出抗拉强度及硬度值。通常拉力机、硬度计、碳硅仪、温度计、车床、刨床 加一起得出的测定结果现在一台智能分析仪就能解决。 4.中央处理器控制，可直接指导配料，所测数据及提示均为19寸液晶大屏幕显示，并可自动打印成检测报告。 5.可直接查找到所生产铸件牌号及各元素的含量范围，简单易查。 6.即买即用，无需任何辅助设备，不需专业化验人员，只需炉工自行操作。7.操作界面人性化设计，仪器结果设计符合人体生理曲线，人员站立触摸式操作，舒适、快捷、方便、美观。 8.可直接显示非合金铸造C%，S%，CEL，SC，△T，△TM等数据。
南京第四分析仪器有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法
本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱，确定支持向量机的核函数与训练方式；生成测试光谱及多种不同的支持向量机；利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试，找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系，作为支持向量机训练的指导原则；对测试光谱添加不同量级的噪声影响，将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试，找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级，作为另一指导原则；利用两个指导原则，训练得到最优的支持向量机；对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射，识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。
华中科技大学
2021-04-11
一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法
本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法，包括待提取参数取值范围的划分，子光谱数据库的建立，支持向量机分类器训练光谱的生成，支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比，本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节，实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比，在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且，通过增加每个分类器中包含的类数，可以得到更小的子数据库，从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。
华中科技大学
2021-04-11