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单层多频多辐射器天线
单层多频多辐射器天线涉及一种平面天线，该天线包括介质基板（１）、介质基板（１）上的金属地（２）、辐射槽缝（３）、上辐射贴片（４）、下辐射贴片（５）和微带馈线（６）；介质基板（１）的一面是金属地（２）和辐射槽缝（３），另一面是上辐射贴片（４）、下辐射贴片（５）和微带馈线（６）的导带（１１）；金属化过孔阵列把金属地（２）与辐射贴片相连；微带馈线（６）一端是天线端口（１０），微带馈线（４）另一端开路并跨过辐射槽缝（３）并伸展一段长度。该天线是多频带多辐射器工作，各个频带独立可调，辐射特性也可调，天线尺寸和
东南大学
2021-04-14
单层多频双辐射器天线
单层多频双辐射器天线涉及一种平面天线，该天线包括介质基板（１）、介质基板（１）上的金属地（２）、辐射槽缝（３）、辐射贴片（４）和微带馈线（５）；介质基板（１）的一面是金属地（２）和辐射槽缝（３），另一面是辐射贴片（４）和微带馈线（５）的导带（６）；金属化过孔阵列（７）把金属地（２）与辐射贴片（４）相连；微带馈线（５）一端是天线端口（９），微带馈线（５）另一端开路并跨过辐射槽缝（３）并伸展一段长度。该天线是多频带双辐射器工作，各个频带独立可调，天线尺寸和交叉极化小。
东南大学
2021-04-14
高性能红外辐射热成像探测系统关键技术及应用
非冷红外探测系统相较制冷型探测系统具有功耗低、体积小、重量轻、成本低、性价比高等特点，是国际上第三代凝视型红外探测技术领域的研究热点与难点。本项目攻克了纳米氧化钒薄膜生长调控、大规模小像元非制冷红外焦平面探测器制备、红外辐射热探测系统集成等关键技术，解决了微热目标探测、微热光电转换机制和微弱信号处理三大难题。系统NETD≤50mK,MRTD≤90 mK，总体技术指标达到国际先进水平（部分指标达到国际领先水平）。获授权发明专利50项（美国专利2项），发表论文114篇；形成了全自主知识产权的技术体系，打
电子科技大学
2021-04-14
关于高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料的研究
北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。
北京大学
2021-04-11
半导体照明稀土荧光粉关键共性技术研究及产业化
成果介绍代表国际领先技术的高新能半导体照明稀土荧光粉的研发与制备，可广泛应用于半导体照明行业之中。技术创新点及参数半导体照明稀土荧光粉行业两大核心技术：1、高显色白光LED用荧光粉关键技术2、氮化物红粉在发光效率和抗高温高湿性能提升技术市场前景1、制备了高性能铝酸盐荧光粉，目前全国销售第一。2、制备了氮化物荧光粉，销售也达到全国第一。
东南大学
2021-04-13
一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 轴方向能够连续渐变，在 Y 轴方向和 Z 轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能·831·电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连
华中科技大学
2021-04-14
受体-受体主链结构的高性能n型高分子半导体材料
受体-受体型高分子半导体相对于给体-受体型高分子在实现n型器件性能上具有更优异的电子结构，但由于受体-受体型高分子半导体通常难以合成，因此高性能的n型高分子半导体通常具有交替的给体-受体主链结构。而给体单元的引入使得给体-受体型高分子同时呈现p型性能，因此这类聚合物难以实现单一n型性能而具有双极性性能。郭旭岗课题组通过对高对缺电子的双噻吩酰亚胺单体进行锡化，得到了单体BTI-Tin, 该单体具有很高的纯度、很小的空间位阻、很高的聚合活性。
南方科技大学
2021-04-14
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
东南大学
2021-04-11
基于平板显示ＴＦＴ基板的大面积红外探测器件及其驱动方法
本发明公开了一种基于平板显示ＴＦＴ基板的大面积红外探测器件及其驱动方法，采用薄膜晶体管基板，并采用化学溶液法制备ＰｂＳ或者Ｇｅ半导体量子点，作为光电转换材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低温旋涂、喷墨打印或者转印等方法，沉积可传感红外信号的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子点层；在量子点光电转换层上利用溅射方法制备对红外吸收较少的公共导电层；薄膜晶体管背板的像素源电极、量子点光电转换层，以及透明电极构成红外光敏电阻结构，该光敏电阻吸收红外信号后，产生光生载流子，从而改变电阻的阻值。本发明提出的红外探测器件成像面积大，
东南大学
2021-04-14
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。
传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。
本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。
大连理工大学
2021-05-10