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半导体测试设备监控系统
南京工程学院
2021-04-13
新型半导体异质结材料
上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结研究中取得重要进展，首次成功制备并表征了二维卤化物钙钛矿横向外延异质结。相关研究成果日前在线发表于《自然》。半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。在构建卤化物钙钛矿半导体异质结的道路上，有两个科学难题一直未得到解决。一方面，该材料易发生离子扩散，难以获得高质量的原子级平整的异质界面；另一方面，卤化物钙钛矿对空气、水分、电子束辐照等因素十分敏感，其微观结构解析特别是原子结构成像困难重重。缺乏原子结构信息的指导，材料的精准构筑与性能设计难以开展。于奕课题组与合作团队在这两个前沿难题的解决上取得了突破。研究人员在材料制备过程中引入刚性有机配体来抑制离子扩散，成功制备了二维有机—无机杂化卤化物钙钛矿横向异质结；发展了低剂量像差校正电子显微技术，首次揭示了二维横向异质结的界面原子结构，直接证实获得了原子级平整界面。同时，于奕团队找到了一种优化的低剂量成像方法，首次实现了辐照敏感的二维横向异质结原子结构解析。这一突破提供了界面原子结构、缺陷构型以及晶格应变等准确信息，为这类新型半导体异质结的微观结构设计提供了直观的指导。在这些研究发现的基础上，研究团队进一步合作，展示了新型异质结原型器件中的整流效应，验证了这类新型半导体走向应用的前景。相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7
上海科技大学
2021-04-11
可调谐外腔式半导体激光器
西安交通大学
2021-04-10
InP 基 2 微米波段半导体激光器
可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波 长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要
中国科学院大学
2021-01-12
一种探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的方法
本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其
华中科技大学
2021-04-14
p型氧化镓深紫外日盲探测器研究
（不同薄膜材料制备的深紫外光电探测器的响应度和探测率）信息科学与
复旦大学
2021-01-12
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法，属于光学辐射定 标测量仪器及方法，解决现有测试系统成本昂贵且难以保证测量精度 的问题，以实现光谱响应的高精度测量。本发明的测试系统，包括正 弦调制光源、聚光透镜、单色仪、滤光片轮、暗箱、电机驱动电路， 微控制器控制电路、前置放大电路、正弦锁相放大电路、数据采集卡 和计算机，所述正弦调制光源为正弦调制的白炽灯、卤钨灯或 LED 光 源。本发明使用正弦调制光源，采用可编程器件实现正
华中科技大学
2021-04-14
一种 PET 系统探测器环孔径调节装置
一种 PET 系统探测器环孔径调节装置，解决现有同类装置结构 复杂、成本高的问题。本发明包括固定盘和旋转盘，固定盘上围绕中 心圆孔具有 N 个呈辐射状轮辐分布的滑槽，旋转盘表面具有平面螺纹 槽，其在旋转盘表面构成阿基米德螺旋线;旋转盘通过支撑轮悬挂在 固定盘底面，固定盘的各滑槽内均装有活动件，在平面螺纹槽旋转作用下，各活动件可以沿滑槽径向移动;固定盘的各滑槽表面均安装有 连接板，其与对应的活动件连接;工作时，各连接板上均安装有探测 器，各探测器共同构成探测器环
华中科技大学
2021-04-14
短波红外光电探测器领域取得新进展
短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II
南方科技大学
2021-04-14
MMD-233液晶显示金属/电压/木柱探测器
产品详细介绍
上海乔宜实业有限公司
2021-08-23