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便携式半导体激光融冰技术
1 成果简介电网覆冰给我国电力行业与社会带来了巨大损失，如何解决因绝缘子覆冰所带来的绝缘闪络问题是一个技术难题，清华大学利用半导体激光研制的便携式半导体激光融冰专利技术可实现带电非接触除冰。 图 1 便携式激光除冰装置 图 2 现场除冰 图 3 透镜外形 产品参数：激光器功率 250W波长 980nm作业距离 20m-40m总重量 60kg产品优势：远距离非接触式清除覆冰电光转换效率高重量轻，体积小模块式，易携带项目特点：世界第一台便携式激光融冰装置、拥有相关专利便携式、非接触式操作、带电作业适用于绝缘子和重要设备融冰作业2 应用说明可应用于重要电力设备的带电融冰作业和高压输电回路的绝缘子带电融冰作业。 3 效益分析4 合作方式商谈。5 所属行业领域先进制造。
清华大学
2021-04-13
光热探针 -- 半导体离子浓度测试仪
光热探针技术是建立在光声显微镜和激光扫描显微镜基础上，利用调制光反射技术发展起来的一种新型探针技术。利用一束强度调制激光聚焦在样品表面，对半导体样品，入射的光能激发的光生载流子，从而引起表面光反射率变化，用另一束探测光可检测此反射率的变化。由于光生载流子数目直接与注入的离子浓度相关，因此可测定表面注入离子浓度的分布。 近年来，曾利用本仪器
南京大学
2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
半导体薄膜断层吸收光谱仪
公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。
一、项目进展
创意计划阶段
二、负责人及成员
姓名
学院/所学专业
入学/毕业时间
侯晓清
管理学院/工商管理
2019/2023
师鸣遥
生命学院/化学生物
2019/2023
李想
生命学院/化学生物
2020/2024
徐婧谨
电信学部/储能科学与工程
2019/2023
董梓竣
管理学院/工商管理
2019/2023
杨舒婷
化学学院/材料化学
2019/2023
吴一品
管理学院/大数据管理与应用
2020/2024
赵静怡
人文学院/环境设计
2020/2024
刘彦麟
软件学院/软件工程
2020/2024
袁子翔
管理学院/工商管理
2019/2023
三、指导教师
姓名
学院/所学专业
职务/职称
研究方向
鲁广昊
前沿科学技术研究院
教授
有机半导体薄膜和器件
卜腊菊
化学学院
教授
薄膜断层分析技术及科研仪器的开发
魏泽龙
管理学院
教授
技术创新与创业管理
四、项目简介
本项目依托于西安交通大学前沿科学与技术学院以及中国西部创新港的科研平台，拥有半导体薄膜断层检测技术顶级研发团队，并已有国内外超过100所高校、科研院所、企业等正在采用本产品检测的数据或正在实际试用本产品，本团队可以更好了解产品需求及效果，能够实现量产、快速研发与后续更新迭代。
公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪，并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中，并已实际发表多篇论文，平均影响因子达到10以上，获得一致好评。作为国内外首家使用软等离子体源刻蚀技术，实现了半导体薄膜断层的精准检测，占据了全球领先地位，将“卡脖子”技术转换成“杀手锏”，为基于光谱分析的半导体薄膜断层精准检测提供了中国方案，提高了我国半导体薄膜检测的科技实力水平。
西安交通大学
2022-08-10
紫外与可见光双波段融合便携式指纹探测器
国内外指纹显现技术，主要有粉末显现法，印染显现法，电化学沉积法等，这些方法需要使用化学试剂，操作复杂，破坏现场，有些试剂对人体有害。随着光学技术的发展，诸多光学方法被用于指纹的无损采集，主要有光学相干层析术、红外光谱分析成像技术以及紫外成像等。 紫外与可见光双波段融合便携式指纹探测器包含紫外探测器和可见光探测器，不仅能够在紫外波段无损地拍摄并提取指纹图像，还可以提供清晰的可见光背景。并且通过图像融合技术将两者融合，直观地定位指纹的位置，提供更有力的犯罪证据。它还可以作为一种辅助手段，
南京理工大学
2021-04-14
基于超材料的远红外单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器，包括·798·自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，所述金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于远红外电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可
华中科技大学
2021-04-14
基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环
华中科技大学
2021-04-14
防爆本安型光电感烟探测器55000-640PRC
产品详细介绍55000-640PRC本质安全型智能光电感烟探测器 一、55000-640PRC特点：该探测器采用本质安全电路设计，低功耗并有效降低了电路板内的储能，使其电气性能符合安全环境的应用标准。可编址智能光电感烟探测器，通过配合使用阿波罗生产的通信协议转换器55000 - 855、55000- 856及安全栅29600-098可连接到安全区域内的智能火灾报警系统。 二、55000-640PRC应用： 55000-640PRC本质安全型智能光电感烟探测器可适用于建筑内多种危险区域，这些区域可能含有各种易燃易爆的气体或空气混合物。该探测器必须配合使用阿波罗生产的各种通讯协议转换器如55000 - 855，55000 - 856及安全栅。 三、55000-640PRC工作原理： 55000-640PRC本质安全型智能光电感烟探测器的工作原理类似于55000 - 620。 四、55000-640PRC技术要求： 二线制有极性要求，具有独立地址。有4级灵敏度可作高速根据不同环境及时间做出不同的设定，减低误报率。可通过插片设置地址与其它系统部件安装。如需连接远程报警指示灯，需采用高效的发光二极管，最大点灯电流ImA。 五、55000-640PRC技术参数： 接线端子 Ll 正极；L2 负极；+R 远程指示灯正极 工作电压 直流14 - 22V;两线制有极性 报警指示 红色发光二极管，红光； 静态电流 340 u A 远程LED报警电流 1mA 工作环境温度 - 20℃至+40℃ (T5) - 20℃至+60℃ (T4) 等级 E Ex ia IIC T5 (T4 Ta≤60 ℃) 认证 CCCF．BASEEFA
北京赢科迅捷科技发展有限公司
2021-08-23
JTY-GD-FT8101点型光电感烟火灾探测器
产品详细介绍功能特点: ◇ 无极性二总线制，电子编码； ◇ 全数字量传输，抗干扰能力强； ◇ 进口光电管、单片机； ◇ 表贴工艺，超薄设计； ◇ 独特的外观设计，用户可自行清洗维护； ◇ 两个超大指示灯指示，360度范围可见； ◇ 自补偿，自测试。主要技术指标： ◇ 工作电压：DC18V～28V； ◇ 静态电流：≤240µA ； ◇ 报警电流：≤2mA； ◇ 相对湿度：≤95%RH，不凝露； ◇ 环境温度：-10℃～60℃； ◇ 外形尺寸：Φ102mm×46.5mm； ◇ 指示灯：正常工作时红灯闪亮，火警时红灯常亮。适用场所 宾馆、医院、办公楼、计算机房、电梯房、图书室、档案室等及有电器火灾的场所。不适用场所 产生水蒸汽和油雾、有大量粉尘、正常情况下有烟滞留的场所。
郑州有机防火堵料有限公司
2021-08-23
深圳博升光电科技半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业，致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷，工程生产团队来自台湾，市场运营团队来自美国及中国，在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
清华大学
2021-04-10