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一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
本发明公开了一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法，属于化学功能材料领域。该制备方法以三异丙醇氧钒为溶质制备前驱液，将所得前驱液涂于蓝宝石衬底制备前驱物薄膜，最后将前驱物薄膜置于真空环境中烧制而成。本发明在液相法的基础上，通过控制真空烧结条件制备二氧化钒薄膜，所获得的薄膜均具有良好的生长取向，相变温度为60°C左右，相变前后电阻率的变化在三个量级以上；且制备工艺简单，适合大范围推广。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 轴方向能够连续渐变，在 Y 轴方向和 Z 轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能·831·电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连
华中科技大学
2021-04-14
一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学
2021-04-14
在玻璃表面制备纳米厚度光交联型高分子凝胶薄膜的方法
一种在玻璃表面制备纳米厚度光交联型高分子凝胶薄膜的方法，其步骤是：选取表面光滑的玻璃，在暗室中，将反应物溶液涂敷在玻璃的一面；在光源与玻璃之间加透可见光和/或紫外光的滤波片，光源的位置为能满足光在玻璃上产生全反射的位置，开启光源2～30分钟，光从没有涂敷有反应物溶液的表面入射到涂敷有溶液的一面，在反应物溶液与玻璃交界面上产生衰减波；衰减波触发反应物溶液反应生成纳米厚度的凝胶薄膜；将B步处理后的玻璃用水清除未反应完得溶液，即得。它能在玻璃上制备出纳米厚度的高分子凝胶薄膜，制得的材料能用于细胞培养中筛选特定直径范围的细胞、筛选无极纳米颗粒、以及调节光学显微镜头焦距等技术领域。
西南交通大学
2016-10-20
一种制备高温超导涂层导体LaSrMn03缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
西南交通大学
2016-10-20
具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备方法及其产品
本发明公开了一种具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备 方法，包括：步骤一，在平整光滑的目标衬底表面，均匀涂覆呈一维 结构的导电金属纳米材料，并形成为导电网络结构；步骤二，在具有 导电网络结构的目标衬底表面上，刮涂形成含氟聚酰亚胺的前驱体涂 层；步骤三，通过梯度升温的方式来对含氟聚酰亚胺前驱体涂层执行 固化处理；步骤四，将完成上述固化后的含氟聚酰亚胺膜层从目标衬 底予以剥离，由此制得所需成品。本发明还公开了相应的柔性
华中科技大学
2021-04-14
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法
本发明提供了一种三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法，其方法包括：将白钨酸溶于过氧化氢水溶液，配制成过氧化钨酸溶液；将过氧化钨酸溶液涂在清洁干净的导电基底的导电面上；将钨盐溶于醇中，形成前躯体溶液，将导电基底固定于反应釜中，将前躯体溶液加入反应釜中，在150～250℃反应8～16h，取出后再在300～450℃热处理1～3h，得到三氧化钨纳米线阵列；将苯胺与稀硫酸混合，形成用于制备聚苯胺的电解液，电聚合聚苯胺即得。该制备工艺控制方便，制造成本较低，易于实现工业化。该薄膜具有光谱调节范围大、变色种类丰富、着色效率高、响应速度快、循环寿命长等优点。
浙江大学
2021-04-13
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14