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一种基于激光加热固膜的驻极体薄膜制备方法
本发明公开了一种基于激光加热固膜的驻极体薄膜制备方法， 包括：将导电基材层固定于旋涂、喷涂或者刮涂设备上，并配置适当 的驻极体纳米颗粒悬浮液；通过调整旋涂速度、喷涂速度或者刮涂厚 度参数使得驻极体悬浮液均匀覆盖，然后对驻极体悬浮液的溶剂执行 蒸发处理，由此在导电基材层上形成具备一定厚度的驻极体材料层； 采用激光加热设备将激光照射到驻极体材料层表面上，由此利用激光 照射产生的热量使得驻极体纳米颗粒融化并相互连接，由此制
华中科技大学
2021-04-14
一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法
本发明涉及一种钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法。所述的钙钛矿薄膜光伏电池是由导电透明衬底、 钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成的。本发明的优点是：该钙钛矿薄膜光伏电池器件结构极其 简单，省去了传统的需要高温烧结的电子传输层，也不需要多孔层，钙钛矿材料本身既做吸光层也起电 子传输作用，所以不需要电子传输层。这里的钙钛矿材料对光具有非常强的吸收，整个电池也是低温制 备，不需要高温烧结等复杂过程，这有效地降低了电池的制作成本。对电池的柔性化和大面积
武汉大学
2021-04-14
用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法
一种用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法
一、项目分类
显著效益成果转化
二、成果简介
现有物理气相沉积（PVD）制备多元薄膜材料采用合金靶材作为靶源，生产过程中，薄膜成分的调控范围受安装的合金靶材的成分比例的限制。如果预期获得纳微复杂结构的复合薄膜，按照常规技术路线需要上百块成分连续变化的合金靶材，这显然是无法实现的。同时，采用合金靶材制备某些多元薄膜时，需要特高纯度的或极端成分比例的靶材作为靶源，这类特殊靶材以现有技术难以制造。
为此，本发明研发出一种用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，利用本发明技术有助于新材料的研发和促进半导体器件、切削刀具涂层等高新技术的发展。
武汉理工大学
2022-08-12
一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法
本发明公开了一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法，其包 括的成分及该成分的原子百分比含量分别为：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制备方法包含 S1 制备单一合金靶材；S2 选择衬底材料， 将衬底表面进行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 进行磁控溅射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
华中科技大学
2021-04-14
一种多层薄膜微结构自对准制备方法及装置
本发明公开一种多层薄膜微结构自对准制备方法，通过分隔板 将喷头内腔体纵向分为至少两个腔室，在各腔室内注入不相溶的高分 子溶液，并汇聚于喷头的喷嘴处；施加高压静电场，同时驱使接收板 做平面直线运动，在高压静电场作用下喷嘴处的溶液变形成泰勒锥， 从泰勒锥尖端拉出射流，射流中的多种高分子材料先后沿着接收板运 动的方向进行静电纺丝，形成多层薄膜微结构。本发明还公开一种实 现上述方法的装置，分隔板纵向设于喷嘴内，将喷嘴内腔体分隔为至 少左右两个腔室；在喷嘴端部设有端部盖板，端部盖板与喷嘴端部之 间设有密封片；
华中科技大学
2021-04-14
一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有机-无机复合电致变色薄膜及其制备方法。该薄膜为聚苯胺与三氧化钨的复合薄膜，其中含有5～80％质量分数的三氧化钨，薄膜厚度为50～300nm，表面具有纳米棒阵列形貌。该制备方法包括：将表面经羟基化处理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直竖立并固定于反应容器中，将过氧化钨酸溶液与苯胺溶液的混合溶液倒入其中并搅拌；再加入过硫酸铵溶液，搅拌下进行反应；反应完成后，取出沉积有薄膜的基底并冲洗、干燥而得。本发明制备方法实现了聚苯胺/氧化物在分子层次复合，工艺简单，成分可方便控制，成本较低，易于实现工业化。制得的薄膜光谱调节范围大、颜色丰富、响应速度快、循环寿命长，应用范围广泛。
浙江大学
2021-04-13
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;
华中科技大学
2021-04-14
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11