高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种超导电力装置用空心低温杜瓦
本发明公开了一种超导电力装置用空心低温杜瓦,包括上、下 层低温杜瓦部件和支撑体;上、下层低温杜瓦部件均为中间带有方形 通孔的空心圆筒结构,上层低温杜瓦部件嵌套在下层低温杜瓦部件内, 上层低温杜瓦部件和下层低温杜瓦部件的上部高度相等且均为敞口, 上、下层低温杜瓦部件之间支撑体连接支撑;上层低温杜瓦部件的空腔用于盛装液氮和提供超导线圈放置的空间;上、下层低温杜瓦部件 之间的空隙内填充有隔热材料。本发明通过对低温杜瓦部件的形状和 结构的巧妙设计使其达到安全、稳定运行的效果。这种杜瓦结构可以 用于超导磁体中
华中科技大学 2021-04-14
PB6肠道益生菌
产品用途:改善肠道菌群,降低肠道有害菌的毒性作用。 产品特点:PB6的芽孢杆菌属细菌当作为益生菌给予时可用于治疗抗生素相关性腹泻(AAD)、艰难梭菌相关性腹泻(CDAD)。另外,可有效治疗免疫相关疾病如炎症性肠病(IBD)。共同开发单位:江苏师范大学江苏省药用植物生物技术重点实验室、比利时Kemin(凯敏)药业有限公司。
江苏师范大学 2021-04-11
Sirantox 6PPD (4020)
化学名称 : N-(1,3- 二甲基丁基 )-N'- 苯基对苯二胺 CAS 注册号 :  793-24-8 产品规格 : 外观 灰紫色至紫褐色片状或粒状 纯度 (GC) ,% ≥ 97.0 熔点 ( 初熔 ),° C ≥ 45.0 结晶点 ,° C ≥ 46.0 加热减量 (65-70° C ),% ≤ 0.30 灰分 ,% ≤ 0.10 ◆  用途:      -6PPD 是一种卓越的抗氧化剂和抗臭氧剂,适用于天然胶和合成胶的配方。             -6PPD 能减缓在静态和动态操作条件下的橡胶疲劳降解,是天然橡胶和合成胶的 优秀稳定剂,污染性低,挥发性较小。             ◆  包装条件:纸塑包装袋包装,每袋净重 25kg。 ◆  运输条件:应装于清洁,有顶棚的车辆内运输,防止日晒,雨淋,隔离热源。
山东圣奥化学科技有限公司 2021-09-10
6米福尊客车
江西江铃集团晶马汽车有限公司 2021-11-02
全自动酶免一体机-草履虫P6
长沙演化生物科技有限公司 2025-05-19
高性能压电单晶及新型电声/电光产业链
本世纪初,高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破,它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来,本课题组在国防军工,国家自然科学基金,科技部及省科技厅的大力资助下,深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究,单晶材料现可以小批量生产和供应,开始试用,相关器件正在研制中,技术水平处于国际先进水平,部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖,技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学 2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体,又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法(CVT 法)。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 (3.4W/cmK),与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学 2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下,大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术,获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像,以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制,通过抑制熔体的热对流和温度波动,降低熔硅与石英坩埚的反应速率,控制氧的浓度和分布,从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点:(1)结合覆盖剂的应用,获得不同磁场下,硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律;(2)在磁场作用
南京航空航天大学 2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学 2021-04-14
一周科创资讯 |6月13日-6月19日
一周科技创新、就业创业政策导读
高教科创 2022-06-20
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 28 29 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1