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一种尺寸
单
分散性聚合物纳米囊泡及其制备方法和应用
本发明公开了一种尺寸单分散性聚合物纳米囊泡及其制备方法和应用。该聚合物纳米囊泡由两亲嵌段聚合物自组装形成;其中两亲性嵌段聚合物是指具有亲水性和疏水性嵌段的嵌段聚合物;并且疏水嵌段末端由胆固醇或胆固醇酰氯进行封端,亲疏水嵌段之间由不带二硫键或带二硫键的酯键进行桥连;其中亲水嵌段的分子量占整个嵌段共聚物分子量的比例为40%-60%。通过将两亲嵌段聚合物溶解于一定比例的二甲基亚砜和甲醇的混合溶剂中,然后用水性溶液进行透析,可以制备得到尺寸单分散的纳米聚合物囊泡。本发明的聚合物纳米囊泡可应用于药物载体。
四川大学
2016-10-09
夜空中的
单
螺旋曲线西湖大学赵世钰团队无人机追捕研究进展
微小型旋翼无人机已经被广泛应用在我们生活生产的方方面面,包括航空摄影、电力巡线、环境监测、农业植保、科研教学等等。
西湖大学
2022-11-29
一种二
维
码的风险预警方法
项目成果/简介:本发明公开了一种二维码的风险预警方法,其特征是按如下步骤进行:1,生成溯源码;2,生成前缀码;3生成Y位验证码;4将溯源码,前缀码和Y位验证码存入防伪数据库中,并将溯源码和前缀码进行合并后利用条码生成器生成初始二维码;将Y位验证码嵌入初始二维码的中间位置,从而形成二维码.本发明能够快速,稳定的生成大量具有高防伪性,难以被仿造的二维码,从而有效保证二维码的唯一性,防止被复制或者重复使用.
安徽农业大学
2021-04-10
一种二
维
码的风险预警方法
本发明公开了一种二维码的风险预警方法,其特征是按如下步骤进行:1,生成溯源码;2,生成前缀码;3生成Y位验证码;4将溯源码,前缀码和Y位验证码存入防伪数据库中,并将溯源码和前缀码进行合并后利用条码生成器生成初始二维码;将Y位验证码嵌入初始二维码的中间位置,从而形成二维码.本发明能够快速,稳定的生成大量具有高防伪性,难以被仿造的二维码,从而有效保证二维码的唯一性,防止被复制或者重复使用.
安徽农业大学
2021-04-29
基于二
维
傅里叶变换的教室人数统计方法及装置
本发明公开一种基于二维傅里叶变换的教室人数统计方法及装置,能够实时的统计出教室人数。所述方法包括:实时获取教室中人轮廓的二值图像;计算所述人轮廓的二值图像的二维傅里叶变换的直流分量;根据所述直流分量,以及预先确定的直流分量和教室人数的变换关系,计算出所述直流分量所对应的教室人数。
中国农业大学
2021-04-11
有关大规模硅基集成高
维
光量子芯片的工作
利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术,实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 (图一)基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量) 集成光学量子芯片技术,基于量子力学基本物理原理,使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件(包括单光子源、量子操控和测量光路,以及单光子探测器等),可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此,该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。 利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点,例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而,迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示,如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此,我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性,增强其量子信息处理技术的能力,从而推进量子信息技术的应用。 相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术,高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近,多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度,如轨道角动量模式、时域和频域模式等,可以有效编码和处理多维光量子态。然而,实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量,依然面临很多困难和挑战。 针对上述问题,英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作,并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式,即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径,从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列,可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路,可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此,该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时,团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性,实现了高保真度的高维量子纠缠态,如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度,远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。 更重要的是,团队通过硅基纳米光子集成技术,实现了目前集成度最复杂的光量子芯片(图一所示),单片集成550多个光量子元器件,包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器,从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。 研究进一步利用该高维光量子芯片技术,验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性,包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等,证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如,对4维度量子纠缠态,实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数,不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差,而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能,例如,对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%,对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。
北京大学
2021-04-11
一种无衍射光束漂移的二
维
探测装置
本发明公开了一种无衍射光束漂移的二维探测装置,包括两个45º分光镜、两个成像透镜组、两个高速图像探测器和连接所述两个图像探测器的计算机处理系统;无衍射光束发生器发射的无衍射光首先入射到第一个 45º分光镜,经分光为一路反射光和一路透射光,该一路反射光经其中一个成像透镜组后成像在其中一个高速图像探测器上;另一路透射光入射到另一个 45º分光镜,经分光后的一路反射光经另一成像透镜组后成像在另一个高速图像探测器上,两个图像探测器同步探测出光束截面图像,并输入到计算机处理系统进行比较处理,探测出无衍射光的光
华中科技大学
2021-01-12
用于光谱图像数据降
维
的邻居点搜索方法及系统
本发明提出了一种用于光谱图像数据降维的邻居点搜索方法及系统,包括首先对当前像素所在窗口 的像素进行筛选,剔除受噪声等因素干扰较大的像素;然后对当前像素以及待比对像素所在窗口内像素 分别进行排序,计算当前像素和待比对像素所在窗口的光谱距离;选取相似度最高的若干像素为当前像 素的邻居点。本发明的方法充分利用了空间信息,而且通过排序使得搜索过程不受图像几何形态上的变 化影响,具有空间鲁棒性,对一些噪声污染点也有很好的抑制作用,使得寻找到的邻居点更准确,提高 了高光谱图像数据降维处理的性能。
武汉大学
2021-04-13
河流重金属迁移转化的一
维
分相模型软件
1.痛点问题 我国水体重金属污染给区域环境造成了一定危害,也给人体健康和生态安全带来了潜在威胁。目前,我国制定区域污废水重金属排放总量控制目标的方法采用目标总量管理模式,忽略了水体水质和底泥质量的约束性;如果考虑上述约束,又缺乏相应的技术手段支撑。特别地,能够预测含重金属污水进入河流后对水质和底质质量的影响,以及根据生态系统保护和修复目标确定污染减排控制要求等定量分析工具的缺失,制约了水污染控制与管理的精细化和精准化发展。为解决重金属容量总量管理和污染控制缺乏决策工具的问题,开发了河流重金属迁移转化的一维分相模型,以支持河流重金属污染过程模拟与相应容量总量定量计算。 2.解决方案 由于河流中重金属的演化规律非常复杂,影响因素众多,因此目前国内外对于河流中重金属数值模拟的研究尚不完善。考虑到基于化学反应动力学机理的模型构建复杂且不易与管理工作结合,而基于化学热力学平衡机理的模型存在过度简化从而不满足控制需求等问题,本项目采用迁移转化动力学机理予以建模。特别地,针对重金属在受纳河流中存在溶解态、悬浮颗粒态和底泥沉淀态的赋存特征,本项目突破已有经验模型、整体模型的局限,采用了分相模型的形式。 所开发的模型软件可用于定量刻画河流中重金属动态迁移转化规律。该模型系统具有分相特征,将河流体系划分为水相和底泥相,同时考虑推流迁移、纵向弥散、沉降作用、再悬浮作用,以及重金属在水相和底泥相之间的吸附解析作用等核心机理。采用一阶隐式欧拉算法实现模型的正向数值求解和预测,用于量化一维河流水相和底泥相中重金属在时间和空间上的迁移转化过程。 针对在流域/区域尺度上开展河流重金属污染管控的需求,本项目在构建重金属模拟模型的基础上,进一步开发了基于蒙特卡洛模拟的逆向算法,可用于估算同时满足水质和泥质要求的污染源最大排放量。当针对河流保护对象给定水质和泥质双重保护目标时,本项目开发的软件可作为在水相和底泥相浓度限值约束下控制排污口重金属总量的计算工具。 合作需求 (1)寻求在水污染监测与环境管理系统研发、生产、销售及运营服务的企业开展技术研发合作; (2)寻求在生态环境、水利、市政等政府部门或事业单位及受环保部门重点监管的污染源企业的环境监测与管理相关应用场景对接资源。
清华大学
2022-07-04
锗硅纳米低
维
结构的可控制备方法及产品
本发明公开了一种锗硅纳米低维结构可控制备方法及产品,该 方法具体为:(a)清洗硅衬底;(b)在硅衬底上外延生长锗硅合金形成外 延衬底;(c)涂敷电子抗蚀剂,通过电子束光刻技术在电子抗蚀剂上曝 光所需的锗硅纳米低维结构图形;(d)采用干法刻蚀将锗硅纳米低维结 构图形转移到外延衬底上得到样品;(e)去除样品上的电子抗蚀剂;(f) 高温环境下进行氧化和退火,使得氧气优先与硅反应形成氧化硅而锗 被析出;(g)在氮氢混合气氛下
华中科技大学
2021-04-14
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