高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种结构光三维测量系统的参数重标定方法及其设备
一种结构光三维测量系统的参数重标定方法及其设备,在具有一台相机与一台投影仪的系统中增加辅助相机对投影仪内参数进行重标定。放置高精度的白色平板,投影仪投射结构光图案,原系统相机和辅助相机采集白色平板图案。首先对双相机进行标定,获得辅助相机参数;其次采用拍摄的照片依据立体视觉原理重建白色平板,再次将重建的点云反投影到投影仪发射相面上,计算出对应的投影相位,并与其实际相位做差得到相位残差值,最后利用最小二乘原理计算得到投影仪横向等效焦距和横向光心的误差值,完成投影仪内参数的重标定,提高结构光三维测量系统的标定精度。
东南大学 2021-04-11
一种萃取分离维生素E聚乙二醇琥珀酸单双酯的方法
该发明公开了一种从维生素E聚乙二醇琥珀酸单双酯混合物中分离单酯与双酯的方法。该方法以水、亲水性离子液体、亲水性离子液体与水组成的二元混合溶剂或者完全溶于水的极性有机溶剂与水组成的二元混合溶剂为萃取剂,以水中溶解度≤15g/100g的酯或醇类疏水性有机溶剂为洗涤剂,采用分馏萃取法高效地从含有单双酯的混合物中分离单酯与双酯。该方法具有分离效率高、溶剂消耗少、安全环保、易于工业化生产等优点。
浙江大学 2021-04-11
一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用
本发明提供了一种单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针及其制备方法与应用,属于有机荧光分子探针领域。在本发明中,制备了二苯乙烯和大环多胺基团偶联的单激发可见及近红外双区发射小分子荧光探针:其中,R选自‑基团中的任意一种。本申请提供的荧光探针制备成本低且溶解性好,在单波长激发下,其荧光发射光谱中含有两个发射峰,其最大发射波长分别在380nm左右的可见区和730nm左右的近红外区,光谱无重叠,最大发射波长间距约350nm,可以有效消除探针浓度、仪器及外界环境因素的影响,提升检测信噪比。依据两个最大发射波长处荧光强度比值响应,本申请提供的荧光探针可用于比率检测Fe<supgt;3+</supgt;。
南京工业大学 2021-01-12
声压测量传感器及多纵模光纤激光器声压测量系统
本发明公开了一种声压测量传感器及多纵模光纤激光器声压测 量系统。声压测量传感器包括金属圆桶、薄膜和光纤;金属圆桶的侧 壁中部有开孔,内壁设有吸音棉;薄膜位于金属圆桶的上端开口处, 形成密封结构;光纤两端固定,呈紧绷状态,中部粘贴在薄膜的表面。 多纵模光纤激光器声压测量系统包括 980nm 泵浦光源、多纵模激光谐 振腔、光纤隔离器、光电转换模块和频谱分析仪;多纵模激光谐振腔 包括声压测量传感器、波分复用器、掺铒光纤、可
华中科技大学 2021-04-14
石墨烯体系单原子缺陷研究进展发表
石墨烯中电子除了自旋这个内秉自由度,还有子格赝自旋和谷赝自旋自由度。石墨烯中电子的多自由度给石墨烯带来了很多新奇的物理性质。单原子缺陷是材料体系中最简单的缺陷形式,可以作为一种模型体系来帮助了解缺陷对材料性质的影响和调控。物理学系何林教授课题组长期致力于研究石墨烯中的单原子缺陷,发现缺陷可对石墨烯中自旋、子格赝自旋和谷赝自旋相关的电学性质产生深刻影响。例如,他们利用扫描隧道显微镜(STM)首次证实石墨烯中单原子空位缺陷存在局域自旋磁矩,并在原子尺度上实现了对其自旋磁矩调控,实现了三种自旋量子态;观测到石墨烯中单原子缺陷引入的对称性破缺态,并系统地测量了缺陷附近谷极化和谷依赖的自旋极化在实空间的分布情况。 石墨烯中电子的子格赝自旋来自于其六角晶格结构,有A和B两套子格,因此波函数数学形式上类似于自旋。对于电子自旋有很多有意思的可观测物理现象,那么对应石墨烯中的子格赝自旋是否有可观测的物理现象呢?带着这一问题,何林教授课题组开展了深入研究。他们发现石墨烯中的单原子缺陷可以使准粒子在石墨烯手性不同的两个谷之间发生弹性散射,并伴随着子格赝自旋的旋转,在缺陷附近产生一个原子尺度的子格赝自旋涡旋,而赝自旋在涡旋(单原子缺陷)的绕数直接反映了体系的Berry相位(图1)。通常来说,贝利相位的测量需要借助于外加磁场,因为磁场可以驱动准粒子沿闭合的轨迹绝热运动,所以这一的结果提供了一个简单的方法测量不同层石墨烯Berry相位的方法。何林教授课题组利用STM测量单原子缺陷引起的谷间散射形成的电荷密度波振荡,证明电荷密度波振荡在实空间中增加的额外波前条纹数直接反映了子格赝自旋在涡旋的绕数,从而可直接测量不同层石墨烯的Berry相位。最近的工作中,他们对双层石墨烯进行了详细的研究,并将相关结果推广到多层石墨烯体系。进一步他们还研究了相同和相反绕数的子格赝自旋涡旋的量子干涉。上述结果直接证明了子格赝自旋有很多丰富有趣的物理现象亟待深入研究,也为子格赝自旋物理提供了全新的研究思路。
北京师范大学 2021-02-01
单动力源多负载分时传动系统
本项目研究了单个动力源分时段驱动多个负载的传动方案,采用电磁控制技术设计了分体式电磁联轴器,通过径向移动活动半联轴器,实现其与不同位置的多个固定半联轴器分时段接合。将该分体式电磁联轴器应用于多层升降横移式立体车库各层车位的升降传动装置,能够实现同一层的多个车位共用一台升降电机,电机分时段驱动各个车位的升降动作,减少电机数量,提高电机的使用率;多个车位采用一台升降电机驱动,能够方便的在电机驱动部分安装配重块,以减小电机功率、节约能源。本项目获批发明专利3项。
辽宁工程技术大学 2021-05-04
石墨烯体系单原子缺陷研究进展发表
石墨烯中电子除了自旋这个内秉自由度,还有子格赝自旋和谷赝自旋自由度。石墨烯中电子的多自由度给石墨烯带来了很多新奇的物理性质。单原子缺陷是材料体系中最简单的缺陷形式,可以作为一种模型体系来帮助了解缺陷对材料性质的影响和调控。物理学系何林教授课题组长期致力于研究石墨烯中的单原子缺陷,发现缺陷可对石墨烯中自旋、子格赝自旋和谷赝自旋相关的电学性质产生深刻影响。例如,他们利用扫描隧道显微镜(STM)首次证实石墨烯中单原子空位缺陷存在局域自旋磁矩,并在原子尺度上实现了对其自旋磁矩调控,实现了三种自旋量子态;观测到石墨烯中单原子缺陷引入的对称性破缺态,并系统地测量了缺陷附近谷极化和谷依赖的自旋极化在实空间的分布情况。 石墨烯中电子的子格赝自旋来自于其六角晶格结构,有A和B两套子格,因此波函数数学形式上类似于自旋。对于电子自旋有很多有意思的可观测物理现象,那么对应石墨烯中的子格赝自旋是否有可观测的物理现象呢?带着这一问题,何林教授课题组开展了深入研究。他们发现石墨烯中的单原子缺陷可以使准粒子在石墨烯手性不同的两个谷之间发生弹性散射,并伴随着子格赝自旋的旋转,在缺陷附近产生一个原子尺度的子格赝自旋涡旋,而赝自旋在涡旋(单原子缺陷)的绕数直接反映了体系的Berry相位(图1)。通常来说,贝利相位的测量需要借助于外加磁场,因为磁场可以驱动准粒子沿闭合的轨迹绝热运动,所以这一的结果提供了一个简单的方法测量不同层石墨烯Berry相位的方法。何林教授课题组利用STM测量单原子缺陷引起的谷间散射形成的电荷密度波振荡,证明电荷密度波振荡在实空间中增加的额外波前条纹数直接反映了子格赝自旋在涡旋的绕数,从而可直接测量不同层石墨烯的Berry相位。最近的工作中,他们对双层石墨烯进行了详细的研究,并将相关结果推广到多层石墨烯体系。进一步他们还研究了相同和相反绕数的子格赝自旋涡旋的量子干涉。上述结果直接证明了子格赝自旋有很多丰富有趣的物理现象亟待深入研究,也为子格赝自旋物理提供了全新的研究思路。
北京师范大学 2021-04-10
锂离子电池隔膜干法单拉制造技术
  本项目系统全面地研究了采用熔融挤出/热处理/单轴拉伸法(MEAUS)制备锂电池用聚烯烃微孔隔膜的原理,成功地设计制造了国内第一条熔融挤出/热处理/单轴拉伸(MEAUS)法制备锂电池用聚烯烃微孔隔膜的工业化生产线。在此基础上,研发成功了锂离子动力电池PP/PE两层或三层复合隔膜产业化技术。拥有国内唯一动力锂电池隔膜产品的制造技术。
四川大学 2021-04-11
单分子晶体管和分子诊断技术
项目采用光致异构化合物通过酰胺共价键链接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成光致异构化合物-石墨烯单分子器件;采用生物分子链接构建了单分子生物传感器;利用有机半导体小分子构建了性能可靠的2-3纳米单分子场效应晶体管。当单个光致异构化合物被桥接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯之间的纳米间隙时,它们具有可逆的光控开关功能和电控开关功能;当生物分子桥连石墨烯电极时,它们具有单分子DNA精准测序的功能;单分子场效应晶体管目前是国际上最小的晶体管,有望为器件微小化产生芯片集成核心技术。
北京大学 2021-02-01
负载型金属单原子模型催化剂
若将氧化物变薄到乃至单层,其表面自由能受基底金属的调制会向金属表面自由能靠近(化学势的混合),此时沉积在薄层氧化物上的金属就有可能处于高分散状态。研究人员在 Cu(110) 单晶表面生长单层 CuO 薄膜,再沉积铂 (Pt) 金属原子,得到 400 K 以上热稳定的 Pt 单原子模型催化剂。若将氧化物层厚度增加,相同沉积量的 Pt 原子则在室温下便会团聚,形成金属团簇。这种负载型金属单原子模型催化体系的制备方法简单易行,不需要通过吸附分子或者嵌入晶格来稳定金属单原子。
北京大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 39 40 41
  • ...
  • 689 690 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1