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p型氧化镓深紫外日盲探测器研究
（不同薄膜材料制备的深紫外光电探测器的响应度和探测率）信息科学与
复旦大学
2021-01-12
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法
光电探测器光谱响应测试系统及其测量方法，属于光学辐射定 标测量仪器及方法，解决现有测试系统成本昂贵且难以保证测量精度 的问题，以实现光谱响应的高精度测量。本发明的测试系统，包括正 弦调制光源、聚光透镜、单色仪、滤光片轮、暗箱、电机驱动电路， 微控制器控制电路、前置放大电路、正弦锁相放大电路、数据采集卡 和计算机，所述正弦调制光源为正弦调制的白炽灯、卤钨灯或 LED 光 源。本发明使用正弦调制光源，采用可编程器件实现正
华中科技大学
2021-04-14
一种 PET 系统探测器环孔径调节装置
一种 PET 系统探测器环孔径调节装置，解决现有同类装置结构 复杂、成本高的问题。本发明包括固定盘和旋转盘，固定盘上围绕中 心圆孔具有 N 个呈辐射状轮辐分布的滑槽，旋转盘表面具有平面螺纹 槽，其在旋转盘表面构成阿基米德螺旋线;旋转盘通过支撑轮悬挂在 固定盘底面，固定盘的各滑槽内均装有活动件，在平面螺纹槽旋转作用下，各活动件可以沿滑槽径向移动;固定盘的各滑槽表面均安装有 连接板，其与对应的活动件连接;工作时，各连接板上均安装有探测 器，各探测器共同构成探测器环
华中科技大学
2021-04-14
短波红外光电探测器领域取得新进展
短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II
南方科技大学
2021-04-14
一种双波段薄膜光探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并公开了一种双波段 薄膜光探测器，包括基底薄片、第一电极层、第一 WSe2 层、石墨烯 层、第一 MoS2 层、第二电极层、介质层、第二 WSe2 层、第三电极 层、第二 MoS2 层和第四电极层,第一电极层设置在基底薄片上;第一 WSe2 层铺设在基底薄片和第一电极层上;石墨烯层设置在第一 WSe2 层上;第一 MoS2 层
华中科技大学
2021-04-14
一种高功率大带宽锗硅光电探测器
本发明公开了一种高功率大带宽锗硅光电探测器。该探测器是 模拟光子通信系统和微波光子系统中的硅基关键集成光电子器件，其 特征在于包括多个并联锗层结构和电感。多个并联的锗层结构的多个 锗层尺寸是可以不同的，以实现对寄生电阻的调控，在提高器件饱和 功率的同时保持了寄生参数不至显著增加。同时，通过引入片上和片 外电感，实现对器件寄生电感的调控，抬升器件高频处频率响应，提 升器件工作带宽。本发明提出的光电探测器采用集总电极结构
华中科技大学
2021-04-14
一种具有非极性吸收层的紫外探测器
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、ＡｌＮ中间层、非掺杂ＡｌＧａＮ缓冲层、ｎ型ＡｌＧａＮ层、非极性ＡｌｘＧａ１?ｘＮ／ＡｌｙＧａ１?ｙＮ多量子阱吸收分离层、非掺杂ＡｌｚＧａ１?ｚＮ倍增层、ｐ型ＡｌＧａＮ层，在ｐ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｐ型欧姆电极，在ｎ型ＡｌＧａＮ层上设置的ｎ型欧姆电极，其中０（ｘ（ｙ（ｚ（１。本
东南大学
2021-04-14
一种自吸散热型火灾报警探测器
本实用新型公开一种自吸散热型火灾报警探测器，包括探测器底座、探测器外壳，探测器外壳包括底部散热壳、连接外壳、电子元件腔壳、自吸壳、旋转风机壳、顶部散热壳；所述底部散热壳与连接外壳通过螺纹可拆卸连接，所述连接外壳、电子元件腔壳、自吸壳、旋转风机壳一体成型；顶部散热壳的外壁设有第一烟雾传感器；所述旋转风机壳内对称设置有两个旋转风机，旋转风机通过联轴器与伺服电机连接；电子元件腔壳内设有单片机、第二烟雾传感器，第一烟雾传感器、第二烟雾传感器、伺服电机均与单片机电连接。该火灾报警探测器采用负压自
安徽建筑大学
2021-01-12
四象限光电探测器目标定位光学系统
本成果通过接收目标反射的激光信号，分析光斑在四象限探测器上的分布获取目标位置信息，实现对目标的定位，具有位置分辨率高、响应速度快、性价比高、结构紧凑的优点。
长春理工大学
2021-04-26
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景，比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说，一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战；另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境，极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率（小于 10
南京大学
2021-04-14