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磁流体高性能旋转轴密封器件
项目概况 针对目前密封存在有密封液蒸发快、稳定性差和不耐高温和腐蚀等缺点，本项目选择饱和磁化强度较高而抗氧化能力较高的Fe3O4作为磁流体的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能稳定、蒸发慢和耐高温耐腐蚀的纳米磁流体。利用非接触式密封润滑技术，把优化配方的磁液体应用于高性能旋转轴密封器件中。在特殊设计密封闭合磁路系统中，使转轴与极靴极齿顶端的齿形间隙中产生强弱相间的非均匀 “O”型密封环，采用梯形极靴，多级并用，增加高导磁套筒来减小轴向泄漏，既达到密封目的，又起到润滑作用。本项目处于国内先进水平，拥有自主知识产权。 主要特点 1. Fe3O4磁性微粒的制备采用了改性溶胶凝聚法相的工艺技术，这种工艺技术可使磁性微粒的粒度可调，抗氧化能力强和稳定性好。 2．利用非接触式密封润滑技术，使优化配方的磁液体应用于高性能旋转轴密封器件中。 3．不同的旋转轴设计不同的磁路结构，能防止轴向泄露和提高耐压能力。 4．旋转轴密封件的泄漏率为10-11 cm3/s，每级的耐压能力均大于或等于0.2 atm。 技术指标 应用磁流体密封旋转轴比普通的机械密封轴相比，平均寿命提高9倍，平均节约原材料总成本350%。与普通旋转轴相比，耐压能力高，密封性能好，寿命高，原材料及部件成本显著降低，而且稳定性好。市场前景 通过现场的工业化证明，该产品和他们原来使用的普通密封轴相比，密封效果的明显提高，寿命长，性能稳定，最重要的是原材料总成本降低了610元，使用安全方便，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于密封性能要求高，工作环境恶劣(如碱性液、污水等)的高性能机械旋转轴，该磁流体密封旋转轴满足了工业生产的需求，具有较好的经济效益和社会效益。目前已为国内多个企业所采用。
南京工程学院
2021-04-13
一种闪存器件的软信息提取方法
本发明公开了一种闪存器件的软信息提取方法，包括离线训练 与在线运行两部分，在离线状态下，对目标闪存器件进行先验性实验， 实验测试内容包括对闪存器件内部物理块的存储单元进行大量重复的 擦除、写入以及读出操作，从而记录闪存器件在其测试周期内的外部 特征量；然后进行数据集训练，建立闪存内部存储单元物理状态与外 部特征量之间的关联；在线运行状态下，对正在在线运行的闪存物理 状态进行识别，并预估错误率，并计算软信息。本发明所提
华中科技大学
2021-04-14
纳/微结构非线性光学、光调控与器件应用
本项目主要开展纳微结构体系光子带隙的设计、纳微结构体系的光学非线性效应、光波传播动力学以及光控光操作应用等方面的研究，发展在介观尺度下调控光子传输行为的新效应、新原理与新技术。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等国内外重要学术刊物上发表论文30余篇。其中有关铁锆双掺铌酸锂晶体的相关成果被《Science Archived》收录，有关非传统偏压配置条件下各种非线性光子学晶格的制备
南开大学
2021-04-14
一种闪存器件的软信息提取方法
本发明公开了一种闪存器件的软信息提取方法，包括离线训练 与在线运行两部分，在离线状态下，对目标闪存器件进行先验性实验， 实验测试内容包括对闪存器件内部物理块的存储单元进行大量重复的 擦除、写入以及读出操作，从而记录闪存器件在其测试周期内的外部 特征量；然后进行数据集训练，建立闪存内部存储单元物理状态与外 部特征量之间的关联；在线运行状态下，对正在在线运行的闪存物理 状态进行识别，并预估错误率，并计算软信息。本发明所提出的方法 不仅不依赖于闪存内部的特殊命令，而且可以方便地集成进自主闪存 控制器中，与
华中科技大学
2021-04-14
多元共渗技术在地铁工务器件上应用
本成果通过技术鉴定，获得省、市、部科技进步奖及专利；大规模应用于广州地铁、铁路中弹条螺旋道钉挡板等工务配件操作中，可提高工务配件防腐蚀性能与疲劳性能；大幅度延长使用寿命减少维修成本。
西南交通大学
2016-06-28
微波毫米波新型基片集成导波结构及器件
基片集成类导波结构是近十几年来微波毫米波学界发展起来的一种新型高性能平面集成导波结构，它具有极低的电磁泄露和互扰，其品质因数和功率容量远高于传统平面传输线，国内外数百所大学和研究机构开展了大量研究，使之成为微波毫米波领域最受关注的研究分支之一。 学科洪伟教授课题组是国际上这一学术分支的主要倡导者和贡献者之一，在IEEE系列刊物上发表学术论文120余篇，在美、英、德、日、韩、波、葡等国家召开的国际会议上作大会报告、特邀报告20余次，论文被40多个国家的学者正面他引5000余次，获授权国家发明专利50余项。 该研究成果在国内外都产生了比较大的影响，获2016年度国家自然科学二等奖。
东南大学
2021-04-13
一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
复旦大学
2021-01-12
一种电子封装用SIC∕A1复合材料的制备方法
SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中，采用无压浸渗法在空气环境下，成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节，具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。
西安科技大学
2021-04-11
一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
本发明公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产 品，包括 LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅 基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔 的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光 金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热 金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔 离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电 极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高 LED 出光效率、加强散热能力且 完成自对准。
华中科技大学
2021-04-11
一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法
本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法，包 括：制得下层和上层封装结构，这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域；制作延性互连结构，该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构；将上下层封装结构对应贴合，同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中；最后，将绝缘性流体注射至微腔 体内，使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构，由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明，能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能，避免面外翘曲现象，并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。
华中科技大学
2021-04-11