本发明提出了一种基于改进和声搜索算法的无线传感器网络路由方法，包括以下步骤：Step1、初始化算法相关参数 HMS、HMCR、PAR 以及评价次数 eval_Nomax；Step2、利用轮盘赌初始化和声记忆库 HM；Step3、评价和声库中各和声路径的适应度；Step4、设置 eval_No＝0；Step5、设置 i＝0；Step6、产生候选和声；Step7、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，执行 Step8；否则执行 Step11；Step8、对和声库中的第 i 条和声 Xi＝{s,x2,…xj,…,d},进行邻域搜索；Step9、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，执行 Step10；否则执行 Step11；Step10、i++，若 i＜HMS，执行 Step6；否则执行 Step5；Step11、记录和声记忆库中的最优和声路径。本发明的路由方法具有较高的能效，并且能够有效地延长整个网络的生命周期。

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种面向手势识别的稀疏二值网络激活图像编解码硬件加速器。本发明的硬件加速器包括：激活图像编码单元，编码图像存储单元，编码图像解码单元。该加速器针对稀疏二值网络的激活图像中存在大量相同向量进行压缩，这些相同的向量是由于二值化的手势边缘作为输入所产生的，压缩激活图像可以有效地降低片上存储容量，降低数据搬运功耗，进而降低芯片功耗；该加速器能够对压缩后的激活图进行译码，在译码过程中跳过重复的计算，从而减少计算次数，提升计算速度，有效地提升硬件性能。本发明具有低功耗，低延时的特性，有效地降低硬件资源，提升硬件的能效比。

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的电荷超注入存储器及其制备方法。本发明通过存储叠层能带设计，在实现闪存的非易失性存储特性；通过横向电场设计以及器件的仿真模拟设计，利用二维半导体材料的原子级薄层特性，显著增强最大横向电场从而提升电荷的注入效率，实现存储器中电荷的超注入机制，进而实现闪存的亚纳秒编程。本发明存储器在维持十年数据保持能力的同时，大幅提升了电荷注入效率，将编程速度提升至亚纳秒，为解决电荷存储领域超快编程和长保持时间无法共存的重大挑战提供新的解决方案。

本发明公开了一种面向中高压智能配电网的桥臂复用电力电子变压器，包括模块化多电平变流器、输入串联输出并联隔离型DC，DC变换器和变流器；模块化多电平变流器输出的正极连接第一个隔离型DC，DC变换器模块的输入侧逆变桥前一桥臂的中间点，负极连接最后一个隔离型DC，DC变换器模块的输入电容负端；相邻两个隔离型DC，DC变换器模块的连接方式为前一模块的输入电容负端连接后一模块的逆变桥前一桥臂的中间点；隔离型DC?DC变换器的输入电容串联而成的桥臂作为上一级模块化多电平变流器的电容桥臂，前后两级共用一个电容桥臂。本发明中MMC跟隔离型DC，DC变换器共用一组电容桥臂，降低了系统成本；可以避免在MMC模块输出电压短路的情况下，ISOP输入电容短路的问题。

本发明涉及压力传感器技术领域，特指一种双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底中心位置上设有浅槽，浅槽中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽底面延至玻璃衬底底面，浅槽上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明采用变间距原理实现压力到电容的转换，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了微压段和高压段的高精度测量，不仅提高了压力测量精度，也提升了传感器的测量范围。

本发明公开了一种高速无位置传感器开关磁阻电机的控制方法及其系统，针对励磁相相电流的峰值时刻会与转子到达该励磁相定转子齿交叠点位置时刻之间存在偏移量的实际情况，对传统的相电流梯度法中将励磁相相电流峰值时刻直接作为该励磁相定转子齿交叠点位置时刻的方法加以修正，以得到该励磁相正确的定转子齿交叠点位置,从而更加准确地估算出开关磁阻电机励磁相的关断时刻和下一励磁相的开通时刻，实现更为精准地高速无位置传感器开关磁阻电机控制。

本发明公开了一种特殊Y分支型弯曲结构的1x16光分路器，所述1x16光分路器的整体长度Z＝35000μm，每两个相邻输出波导的间距Xθ＝127μm，输入波导和输出波导的截面均为6μm×6μm的矩形。传统1x16光分路器存在输入端口和输出端口之间的距离长的问题，导致光分路器整体长度长，难以达到目前光电子器件高度集成化的要求。本发明则解决了传统1x16光分路器存在的该问题，本发明1x16光分路器体积小、损耗低，符合光电子器件高度集成化的要求。

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