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时速250公里高速列车铝合金推杆
本成果为高速列车关键传动零部件，完成样件研制和服役性能评价，达到进口样件性能参数，掌握全套设计、加工、制造、检测技术规范。
西南交通大学
2016-06-28
镁合金磷酸盐表面改性处理方法
本发明是一种镁合金磷酸盐表面改性处理方法，从而达到保护、美化 镁合金产品的目的。它包括脱脂、酸洗活化、碱洗、化学改性以及封闭工 序，其中还有水洗和烘干工序，所采用的改性溶液包括磷酸、氢氧化钡、 氟化钠、磷酸锌等。 本发明的优点 ：1、此工艺是以磷酸盐为主体的处理溶液，不使用铬 酸或氰化物，无污染； 2、整套工艺的溶液可以在追加损耗的情况下重复 使用，这就大大地节省资源、降低了生产成本，与阳极氧化工艺相比
南昌大学
2021-04-14
复合微合金化的高锰铝青铜
项目简介 一种复合微合金化的高锰铝青铜及制备方法，其特征在于它包括：锶（Sr） （0.012∼0.047%），钛（Ti）（0.028∼0.073%），硼（B）（0.006∼0.015%）和余量为高锰铝 青铜。它的制备工艺流程为：将高锰铝青铜熔化后，依次加入 Al-Sr 中间合金和 AlTiB 中间合金；待全部熔化后，加入淸渣剂，接着通入高纯氮气精炼；最后倒入浇包，静置 后除渣并浇铸成锭即得本发明的锶、钛和硼复合微合金化的高锰铝青铜。 产品性能、指标 本发明具
江苏大学
2021-04-14
纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化制备法
一种纳米晶氮碳化钛陶瓷超细粉的高温碳氮化反应制备法,以纳米氧化钛和纳米碳黑为原料,工艺步骤依次为配料、混料、干燥、装料、高温碳氮化、球磨、过筛。此法工艺简单,成本较低,较一般碳热还原法节约能源,容易实现规模化工业生产。通过控制反应温度、保温时间、氮气压力(或流量)、碳钛配比等工艺因素可以合成各种氮含量的氮碳化钛纳米晶超细粉。用此法制备的氮碳化钛粉末为球形,分散性较好,平均粒度为100～200NM,平均晶粒度为20～50NM,纯度达99%以上。
四川大学
2021-04-11
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
项目成果/简介: 本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。 应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。 全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机知识产权类型:发明专利技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
华南理工大学
2021-04-10
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。
应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
华南理工大学
2021-05-11
一种各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法
各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法：（1）完全氢歧化或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉的制备；(２)压坯的制备，将步骤（１）制备的完全氢歧化Nd-Fe-B磁粉或部分氢歧化Nd-Fe-B磁粉装入模具中，在惰性气体保护下于室温对磁粉施压，当磁粉所受的压强从0?MPa增加至100MPa?～600MPa后停止施压；?(３)??热压变形-脱氢重组，将压坯在真空条件下升温至680℃～850℃，然后在该温度和氢分压PH2为0Pa?＜PH2?≤?1kPa的条件下，对所述Nd-Fe-B压坯施加恒定压力进行热压变形-脱氢重组，所施压力值以Nd-Fe-B氢歧化物压坯在热变形-脱氢重组过程中承受的压强在30MPa?~1.5MPa之间变化为限，保温保压时间为5～120分钟。本发明所述各向异性纳米晶钕铁硼磁体的制备方法，可提高各向异性钕铁硼磁体的性能，并降低能耗。
四川大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14