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一种具有强化滴状冷凝效果的非均匀超疏水涂层及其制备方法
一种具有强化滴状冷凝效果的非均匀超疏水涂层及其制备方法，通过将钛酸四丁酯和硅溶胶分别在无水乙醇中进行分散，然后将钛酸四丁酯和无水乙醇的混合溶液超声分散之后，加入到硅溶胶与无水乙醇的混合溶液中，加入氟硅烷并将溶液在50℃?65℃水浴中搅拌12h?24h，制备超疏水涂层面漆溶液；将超疏水涂层涂覆在基底上，然后通过光催化作用将TiO2表面的氟硅烷催化分解掉，而SiO2表面的氟硅烷则不能够催化分解，从而实现样品表面的亲水?超疏水表面制备。本发明的样品表面水滴冷凝脱附效率高，集水、防雾以及换热效果较好，具有较好的推广价值和应用前景。
东南大学
2021-04-11
生物催化高效制备抗艾滋病药物阿巴卡韦手性中间体
阿巴卡韦(abacavir)是治疗艾滋病和疱疹病毒感染的核苷类药物。“鸡尾酒疗法”是迄今为止治疗艾滋病的最为有效的方法，阿巴卡韦是“鸡尾酒疗法”中的不可或缺的药物组成成分。目前在中国阿巴卡韦还没有实现国产化，其关键技术是手性中间体(-)-内酰胺的制备。
本研究采用自主筛选获得到的具有高对映选择性(+)γ-内酰胺酶产生菌株，采用发酵培养获得的微生物整体细胞作为催化剂，在单一水相体系中，以外消旋的-内酰胺为底物，通过生物转化(+)-内酰胺，拆分获得单一构型的产物(-)-内酰胺，在外消旋-内酰胺底物浓度 100－200 g/L 的条件下，转化 10－20 h， 产物(-)γ-内酰胺的光学纯度达到 100%ee，转化率达到拆分反应的理论水平>50%。
江南大学
2021-04-11
2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”双走访活动日程（第一批次）
为了深入推进产教融合、校企合作，进一步推选2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例，学会统筹安排发布第一批次走访日程。
中国高等教育博览会
2022-03-10
关于开展2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”第二批双走访活动的通知
为深入推进产教融合、校企合作，促进高校教育教学改革，学会开展了2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”（以下简称“双百计划”）工作。
中国高等教育学会
2022-04-07
2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划” 第四批次双走访活动顺利开展
为深化产教融合、校企合作，促进教育链、人才链与产业链、创新链有效衔接，实现高校人才培养与企业发展共赢，2022年7月7日—8日，2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作双百计划”（以下简称“双百计划”）第四批次双走访活动顺利开展。中国高等教育学会组织三个专家组通过线上线下相结合的方式开展此次双走访活动。
中国高等教育学会
2022-07-11
【双百计划】2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划” 第二组双走访活动圆满成功
为提升高校人才培养质量，推动教育与产业统筹融合，进一步推选2021-2022年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例，中国高等教育学会于2022年3月19日开展了“双百计划”第二组双走访活动。
中国高等教育博览会
2022-03-25
高效脂肪酶催化制备脂溶性维生素关键技术及产业化
高效脂肪酶催化制备脂溶性维生素关键技术及产业化
浙江工业大学
2021-05-06
一种用于Pb2+分离的磁纳米固相萃取剂的制备方法
一种用于Pb2+分离的磁纳米固相萃取剂的制备方法,以Fe3O4纳米颗粒为磁核,以去离子水和乙醇的混合液为溶剂,加入25%的浓氨水,占总体积分数的5%,混合均匀后于反应容器中恒温搅拌水浴加热30分钟后滴加A,反应1小时后加入B,升温至60℃回流1小时后,冷却,洗涤,干燥后加入乙醇溶剂或氯仿溶剂中,然后加入C,40℃恒温搅拌12-24小时;洗涤,低温干燥后即得用于Pb2+分离的磁纳米固相萃取剂.所述A修饰剂含有正硅酸酯类,B修饰剂含氯功能化的硅氧偶联剂,C修饰剂为双硫腙.本发明制备的磁纳米固相萃取剂,吸附量大,速率快,工艺简单,成本低,绿色环保,适合于大规模工业生产.
上海理工大学
2021-05-04
一种检测TNF-α的光电免疫传感器及其制备方法和应用
本发明公开了一种检测TNF?α的光电免疫传感器及其制备方法和应用，光基底电极表面依次经GO?PTC?NH2溶液、anti?TNF?α溶液修饰，所述基底电极为玻碳电极或氧化铟锡半导体电极。本发明利用GO?PTC?NH2纳米复合物制备光电免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法，与传统的酶联免疫吸附以及PCR等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速的特点，所使用的光电探针摒弃了传统金属材料等的光腐蚀等弊端，稳定性较好且负载量大，功能化基团多，便于修饰。
东南大学
2021-04-11
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅（内芯/外 层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米 电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或 刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以 6－15sccm 的速率通入惰性气体保护，以 5－15℃/min 的速度将炉温升到 1000－1100℃，保温 1－ 5 小时后自然降到室温。利用本发明所说的方法生成产物均为碳化硅/二氧化硅（内芯/ 外层）同轴纳米电缆，且长度比现有的方法制备的提高了 2 个量级，是迄今为止报道的 最长的纳米电缆，且制备方法简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低，产率高。
同济大学
2021-04-11