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双路DVI采集卡
产品详细介绍 双路DVI图像采集卡MV-DVI420E是维视公司综合技术应用,依据市场导向,针对流媒体、多媒体录播系统、大屏拼接、屏幕融合、医疗以及科研、检测等领域最新推出的新一代基于PCI-E Express X4总线作为数据存取通道,最大传输速度达到480MByte/s的双通道高速DVI/HDMI接口高端图像采集卡,除具有PCI-E X1接口采集卡的图像还原更真实、色彩画质更细腻、过渡层次更好、采集范围更广、图像细节损失更小等优点外在1920*1200分辨率下双路同时均可达到30FPS,具有帧率高、画面流畅、相对VGA接口画质更好的显著特点,该产品可采集PC机显卡等图形设备输出的DVI/HDMI信号,还可采集非标准逐行RGB分量等图像信号,适用于高精度、高分辨率的图像采集、高清DVI/HDMII视频图像的存储、编码传输等要求。主要应用于教育课件录制、多媒体录播录像、会议录制、视频会议,远程教育培训,双路大屏幕拼接、双路屏幕融合、电视墙行业、虚拟演播室、虚拟现实、工控、游戏机等设,安检X光机、雷达图像信号、VDR纪录仪,医疗X光机、CT机、胃肠机等; 双路DVI采集卡产品特点  1、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡采集信号接口:双路DVI-I,可做到VGA、DVI、HDMI接口一卡解决;  2、视频支持DVI single link , DVI dual link;  3、可采集计算机等图形设备输出的双路VGA、DVI、HDMI接口信号、还可采集非标准双路RGB分量以及Y/Pb/Pr等分量图像信号;  4、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡采用高端ADC芯片,使用高效Master DMA模式,图像采集过程几乎不占CPU资源,板载RAM内存芯片作为图像缓存;  5、 高精度数模转换,可得到高分辨、高速度、高质量的无损VGA图像及DVI、HDMI数字图像;  6、 支持硬件任意开窗,二级缩放,硬件翻转;  7、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡有类似内存映射的功能,多个应用程序/进程可以共享其采集的图像数据;  8、 硬件控制帧率流量,可在实际使用中和其它采集卡配合,更有效提高带宽的利用率;  9、 支持RGB32、RGB24、YUV422、RGB8等采集格式;  10、 亮度、饱和度、对比度多种参数可调节;  11、 提供丰富的二次开发包;  12、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡做工精良,全系采用环保材料以及部分进口元器件,保证了产品的稳定性。双路DVI采集卡产品优势(一)、技术优势  1、DVI/HDMI模式:1920*1200/30帧;1920×1080/30帧;1600×1200/30帧;1440×1050/30帧;1280×1024/30帧;1024×768/30帧;800×600/60帧,最高可采集1920*1200分辨率;  2、HD模式:可采集1080P 、720P、586P、480P逐行数字信号;  3、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡高传输速率:采用PCI-E Express X4总线架构设计,兼容X8、X16传输速率更高;  4、 高带宽利用率:独有的硬件带宽利用技术,使PCI-E总线得到真正意义上的有效使用;  5、 MICROVISION自有技术,无信号时不蓝屏、死机;  6、 全自动行场频检测:具有全自动行场频自适应能力和信号自检测能力,信源端信号的变化不需要用户调节,完全适合无人值守应用;  7、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡采用标准的WDM、VFW驱动,支持标准的Directshow进行开发,提供完整的二次开发包SDK。也可提供基于VC、VB、Delphi等的二次开发包演示程序和源代码;  8、 可使用微软的AmCap, VidCap, Windows Media Encode, Window Movie Maker、第三方提供的LabView等应用软件;  9、 兼容性好:支持国内大多数大多数视频会议软件、视频监控软件、P2P采集端软件、直播软件。(二)、双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI高清采集卡综合优势  1、性价比高产品均为维视自主开发,具有多年相关产品开发经验,掌握核心领域技术,合理市场定位及价格,高性能低价格有绝对优势,为用户减少产品成本。  2、产品服务西安、北京、深圳、上海等地拥有自己的分公司及服务部,为产品销售和维护提供保障,可提供强有力的技术支持,第一时间为客户解决问题。  3、性能稳定产品性能达到国内领先水平,图像行业多年的技术积累及市场考验使产品具有很高的稳定性,很低故障率,为客户的售后维护减少成本。  4、持久合作用户不必担心产品的更新换代所带来的问题,我们会提供完善的解决升级方案,以解客户后顾之忧。【开发工具】  ● 操作系统支持:Windows 2000、XP、win7、Vista。  ● SDK支持:VC、VB、Delphi。提供演示程序及演示程序源代码!  ● 驱动支持:WDM、VFW、DirectX、OpenCV、Matlab、LabView、Halcon、MIL。以上是双路DVI采集卡, 双路DVI图像采集卡, 双路DVI信号采集卡, 双路DVI视频卡, 双路DVI高清卡, 双路DVI流媒体卡, RGB采集卡, 双路大屏拼接卡 ,双路DVI采集卡的信息及简介。
维视数字图像(北京)有限公司 2021-08-23
红木37音双排木琴
产品详细介绍
上海民族乐器一厂 2021-08-23
石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极
1、主要功能及应用领域 透明电极在太阳能电池、有机发光二极管、触摸屏等光电器件中具有重要的应用价值,目前应用最多的用氧化铟锡(ITO)为制造的透明电极,但ITO存在脆性大,无法弯曲,近年来随着光电器件对透明电极需求的增加,铟的价格也大幅提高。由于石墨烯产业化后的预期成本低,成为柔性透明电极的主要材料之一,但在实际中由于大面积石墨烯总会存在一定的缺陷,影响了其导电率,本项目结合石墨烯和纳米金属网孔的优势制备出石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极。 2、特色与先进性技术指标 特色:利用低成本、无污染的溶胶在透明基底形成网状模板,利用模板制作金属网格;通过转移石墨烯在金属网格上制作一种石墨烯/金属网格复合电极。其复合电极表现出优异的光电特性。通过结合单层石墨烯的高透光性和金属网格的导电性,有效地弥补了化学气相沉积法(CVD)-石墨烯多晶结构的缺陷和金属网格不利于制作依赖垂直电流传输器件的的缺点,从而提高透明复合电极的光电特性。 图1 制备的石墨烯及拉曼图,可以看到非常清楚的2D峰,右图为金属网孔的显微图。 3.技术指标 复合电极:面电阻为 21.2 、透光率为92%(在550nm波长测得),下图表明其宽带的透射光谱特性。 图2 复合电极的透过率 将复合电极制作在PET基底上,使其可以表现出优异的机械柔软性。在将透明电极从正向到反向弯曲,其弯曲角度从-150o达到150o时,其电导率也只下降3.4%,反复弯折100次,电导率几乎没有什么变化。 4、产业化的关键性问题 高性能的透明电极在许多光电器件是必不可少的,例如触摸屏、光伏电池、有机发光二极管等。目前商业上,由于氧化铟锡(ITO)薄膜的高光学透过率、低面电阻和成熟的制造工艺,在作为透明电极方面已广泛地应用在各种光电器件中。但铟是稀有金属,在地壳中的分布量比较小且分散,主要以微量存在于锡石和闪锌矿中,且随着液晶显示器和触摸屏等产品的普及,因此铟的价格在急剧上涨。此外,氧化铟锡透明电极缺乏柔韧性,不易弯曲,化学稳定性差,不适合应用于柔性透明电极。 传统上制备金属网采用光刻法及蚀刻工艺。但是,通过采用光刻法制备的金属网格不仅成本较大、工艺复杂、效率低,而且在制备的工艺条件、设备要求也较高。 本实验采用了低成本高效率的方法制备金属网格,再通过CVD法生长大面积石墨烯并转移在金属网格上。实验过程中工艺简单、成本低、效率高,并可制备大面积-高质量的透明电极。
电子科技大学 2021-04-10
一种全固态Zn离子选择电极及其制备方法
一种全固态Zn2+选择电极,是由树脂管、对Zn2+敏感小柱体材料为管的封底、铜导线和树脂上盖组成;其制备方法:用光谱纯ZnS、Ag2S、As2S3和AgI,以35∶15∶25∶5到45∶25∶35∶15摩尔比经混合研磨后,压成小长方体,放到石英瓶中,在干燥氮气条件下,加热到600℃,保持3小时;然后自然退火,再把小长方体研磨碎,制成高/宽比为0.25~4的小柱体,放进真空石英瓶中,加热到600℃,保持3小时;然后自然退火;小柱体经抛光制得Zn2+敏感材料的小柱体。再将它及其上铜导线封在树脂管封底,管顶有树脂盖,制得全固态Zn2+选择电极。携带方便,快速准确检测水、血液、蔬菜和水果中Zn2+。
东北电力大学 2021-04-30
石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极
透明电极在太阳能电池、有机发光二极管、触摸屏等光电器件中具有重要的应用价值,目前应用最多的用氧化铟锡(ITO)为制造的透明电极,但ITO存在脆性大,无法弯曲,近年来随着光电器件对透明电极需求的增加,铟的价格也大幅提高。由于石墨烯产业化后的预期成本低,成为柔性透明电极的主要材料之一,但在实际中由于大面积石墨烯总会存在一定的缺陷,影响了其导电率,本项目结合石墨烯和纳米金属网孔的优势制备出石墨烯和金属网孔复合膜柔性透明电极。
电子科技大学 2021-04-10
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成,Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3~10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷 的数目,通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度,采用分段
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成,Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3~10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷 的数目,通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度,采用分段
华中科技大学 2021-04-14
基于同轴结构的柔性纤维传感电极及其制备方法
本发明属于生物电化学检测技术领域,具体为一种基于同轴结构的柔性纤维传感电极及其制备方法。本发明柔性纤维传感电极包括银/氯化银参比电极,工作电极,碳材料对电极,聚合物绝缘层;四者关于纤维的几何对称轴为同轴关系,并且同轴结构可以有多种形式;同轴结构可以提高空间利用率,简化电极识别与电路连接工作;电极模量与生物软组织相匹配,有助于形成稳定的器件/组织界面,实现对体内信号的长期监测;纤维形状和电极排布的体积微型化,对外膜的稳定性友好,与生物组织的界面更稳定,可增加使用寿命,具有良好的应用前景。
复旦大学 2021-01-12
基于稠环双噻吩酰亚胺和双并噻吩酰亚胺的稳定n型有机醌式双自由基材料
具有开壳结构的自由基有着独特的光学、电学和磁学性质,在有机电子学、自旋磁电子学、非线性光学和储能器件等众多领域中具有广泛的应用前景。课题组通过理论计算和顺磁共振结果证明BTICN和QTICN具有双自由基特性,其中具有更大分子骨架的QTICN的双自由基特征指数达到0.67。
南方科技大学 2021-04-14
并网风力发电机组安全穿越低电压故障装置
大型并网双馈感应风力发电机组属轻型大容量塔上结构,采用高速齿轮箱传递动力,发电机转子侧接电力电子功率变换装置,其结果是风电机组相比传统同步发电机组更脆弱;同时,随着风力发电装机容量的迅速增长,规模化并网带来了新的技术问题,例如:当电网故障或大负荷扰动引起风电场并网点电压跌落时,一方面,出于自身的安全性考虑,风电机组应该及时从电网解列,但另一方面,从电网的角度考虑,在电网故障(脆弱)或承受大的负荷扰动的时刻,大量的并网的电源也从电网解列,可能会产生更大的扰动从而让事故进入恶性循环。因此,世界各主要国家电网公司先后颁布了技术标准和规程,要求在一定的电压跌落范围内,风电机组能够不间断地并网运行,直到电压恢复如常,从而维持电网稳定,即并网风电机组的低电压穿越能力。新提出的低电压穿越规程要求给并网发电的风力发电机组带来了巨大的技术挑战。本成果深入研究了电网在对称和不对称运行状态下并网双馈感应风力发电系统的稳态、暂态计算方法;建立考虑双馈感应发电机、转子侧及网侧变换器的正、负序分量等效dq 轴分量的完整风电机组动态模型;揭示了对称和不对称故障引起的低电压对风力发电机组及交流励磁变流器的作用机理和影响程度。在此基础上,进一步提出了具有鲁棒控制特性的定子侧开关无源阻抗缓冲器的低电压穿越方法及其参数计算方法;并全方位仿真计算和试验测试验证了定子侧开关阻抗缓冲器在对称或不对称故障时的低电压穿越能力,从而,形成一种既能保障双馈感应风力发电机组在电网故障状态下自身不间断安全运行,又能最大限度地提高电网安全稳定性的抵御和穿越电网低电压故障的方法及其保护装置方案。技术创新: 本成果深入研究了电网在对称和不对称运行状态下并网双馈感应风力发电系统的稳态、暂态计算方法;建立了考虑双馈感应发电机、转子侧及网侧变换器的正、负序分量等效dq 轴分量的完整风电机组动态模型;揭示了对称和不对称故障引起的低电压对风力发电机组及交流励磁变流器的作用机理和影响程度。在此基础上,进一步提出了具有鲁棒控制特性的定子侧开关无源阻抗缓冲器的低电压穿越方法及其参数计算方法;并全方位仿真计算和试验测试验证了定子侧开关阻抗缓冲器在对称或不对称故障时的低电压穿越能力,从而,形成一种既能保障双馈感应风力发电机组在电网故障状态下自身不间断安全运行,又能最大限度地提高电网安全稳定性的抵御和穿越电网低电压故障的方法及其保护装置方案。
华北电力大学 2021-02-01
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