本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成,Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3~10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏,减少了石墨烯缺陷 的数目,通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度,采用分段