|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
湖北工业大学
2021-01-12
一种利用法诺干涉光散射力实现金属纳米颗粒分拣的设备
本发明公开了一种利用法诺(Fano)干涉光散射力实现金属纳米颗粒分拣的设备，包括微流控芯片 和能利用法诺干涉引入径向光学散射力的光路系统，微流控芯片在矩形光学分离腔一侧通过目标粒子流 沟道、粒子流沟道分别与目标粒子流出口、粒子流出口相连接，另一侧设有辅助流入口一、辅助流入口 二、阈值流入口与样品流入口，分别由各自的辅助流沟道一、辅助流沟道二、阈值流沟道和样品流沟道 连接到矩形光学分离腔上，其辅助流
武汉大学
2021-04-14
小阵列核脉冲能量与时间谱分析系统
小阵列核脉冲能量与时间谱分析系统是国家自然科学基金和NSAF联合基金 项目的创新成果，采用先进的低噪声阵列读出电路和基于FPGA的多通道能量与 时间谱分析系统，能够同时测量小阵列像素探测器的能谱和时间谱，并绘制出一 维能量谱、一维时间谱、能量与时间的二维谱以及光子作用位置分布图。 该系统相对于国内外现有产品的主要优点是：(1)能够同时测量核脉冲的 能量和时间谱，并给出二维谱分布；(2)能够对小阵列探测器进行高速并行读 出，并具有较高的灵敏度；(3)可以实现初步的能谱成像，并具有亚像元空间 分辨能力。 系统指探测器、模拟读出电路、FPGA谱分析系统以及电源四个模块组成， 低压电源采用±3. 7V可充电锂电池，高压电源采用IkV高压模块，探测器采用基 于CZT晶体的像素阵列探测器，探测器与模拟读出电路体积为 4. 5cmx4. 5cmx2. 7cm, FPGA 谱分析系统体积为 6. 5cmx8. Icmx2. 5cm,基本系统的 像素阵列为2x2,高分辨系统的阵列数可达8x8,系统的时间分辨可达5ns,能 量测量下限可达5keV,对59. 5keV伽马射线可以实现能量分辨率5. 5%。
重庆大学
2021-04-11
带数字标识脑干及下丘脑核团模型
XM-617C-1脑干及下丘脑核团模型（带数字标识）
XM-617C-1带数字标识脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件，显示脑干的形状结构和间脑神经核团，脑干部除可观察延髓、脑桥，菱形窝和中脑的形态外，还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位，间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑，在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：放大，14×11×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑干脑神经核传导束XM-655
XM-655脑干脑神经核传导束
XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成，显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。
尺寸：放大
材质：优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-655脑干脑神经核传导束
XM-655脑干脑神经核传导束
XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成，显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。
尺寸：放大
材质：优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
安徽核芯电子科技有限公司
安徽核芯电子科技有限公司
2024-03-20
零壹核芯科技成都有限责任公司
零壹核芯科技成都有限责任公司成立于2017-06-05，法定代表人为肖忠海，注册资本为300万元人民币，统一社会信用代码为91510108MA6CR04H03，企业地址位于成都市成华区二仙桥东三路一号致远楼5-4室，所属行业为软件和信息技术服务业，经营范围包含：一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；企业管理；仪器仪表销售；环境监测专用仪器仪表销售；机械设备销售；电子产品销售；计算机软硬件及辅助设备零售；环境保护监测；专用设备修理；家政服务；业务培训（不含教育培训、职业技能培训等需取得许可的培训）；招生辅助服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。零壹核芯科技成都有限责任公司目前的经营状态为存续（在营、开业、在册）。
零壹核芯科技成都有限责任公司
2022-08-12
42001金属矿物、金属及合金标本
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备及高效光电转换器件
1. 痛点问题
目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。
2. 解决方案
本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。
本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。
合作需求
本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。
清华大学
2022-03-09