本发明公开了一种融合反射强度和几何特征的铁路轨道半自动检测方法，包括步骤：步骤 1，分别 计算激光扫描数据中各激光脚点的局部几何特征，所述的局部几何特征包括激光脚点的邻域点分布的主 方向和法向量；步骤 2，利用反射强度和局部几何特征进行点云聚类，提取铁路轨道点云。采用本发明 可快捷稳健地实现铁路轨道点云数据的半自动化提取，提高了铁路轨道点云数据提取的精度、效率和自 动化程度，且方法简单、容易实现。 

简单介绍： 操作式条件反射测试系统（斯金纳箱）其基本结构：在箱壁的一边有一个可供按压的杠杆（大都是一块金属板），在杠杆旁边有一个承受食物的小盒紧靠着箱壁上的小孔，小孔外是食物释放器，其中贮有颗粒形食物。动物在箱内按一下杠杆，即有一粒食物从小孔口落入小盒内，动物可取食。一只白鼠禁食24小时后被放入箱内，开始它在箱内探索，偶尔按压了杠杆，获得食丸。白鼠开始可能并没有注意到食物落下，但若干次重复后，就形成了压杆取食的条件反射。以后稍有改进，如外包隔音箱，食物释放装置由程序控制等，可测试动物能否学会按三次杠杆以得到食物，或间隔一定时间按压杠杆才能得到食物。对不同物种的动物，其设计稍有不同。操作式条件反射测试系统（斯金纳箱）是对桑代克迷箱的改进，后被用于研究动物学习能力和自我刺激与合作行为等心理学研究，系统已采用电子线路，使用更方便。 详情介绍： 一、技术特点： 操作式条件反射测试系统（斯金纳箱）是全新一代基于网络系统设计的，其优势是斯金纳箱无需通过信号线连接，对多通道同时工作时无需布线只需插入电源即可，使实验室整体更为简洁，设备自带物联网芯片模块可实现自动组网，让用户随时随地可查看设备工作状态。软件设置在云端，免维护，免除电脑升级带来的软件更新的困扰，系统支持台式电脑，笔记本，平板，手机等设备操作。还能够满足信息化、网络化的发展要求，实现无纸化的实验报告过程。   二、产品特点：1、多通道：实验笼数量不受限制，可实现多通道同时实验随时随地查看设备状态和数据：设备可长时间工作，用户无需长期看守，可在办公室实验数据提取，动物任务分配等工作。设备软件免维护：由于软件设置在云计算机，用户无需烦恼电脑升级以及故障带来的烦恼。设备硬件免连线：设备采用可自动组网连接，免除用户连接线路的烦恼，开机即用。5、实验看板：可监视动物操作状态，有效触发和无效触发，以及投食次数，实验进度等6、动物管理：可任意添加动物编号及组别7、项目管理：可任意添加实验项目，实验时可选择实验归属。8、实验数据：可查询所有动物数据或个别动物数据，也可以查询项目组别的全部数据9、软件提供动物操作脉冲频率图，方便查看动物操作频率图谱10、实验数据可导出到计算机，excel格式三、技术参数1、大鼠实验笼动物活动区规格：310x265x300mm，小鼠：200X200x280mm2、大鼠实验笼整体尺寸：510X290X400mm，小鼠：430x270x400mm 3、通道数：1-9999通道可选4、动物触发方式：踏板和触鼻可选5、投食器颗粒范围：3~6mm6、投食器食物容量：170ml7、投水方式：注射泵精度0.01ml（选配）8、给食触发时间：10ms~9000S9、投食模式：固定、固定多次，累进，条件任务多模式10.设备工作电源：12V2A11、适配器电源：100～240V／50Hz12、踏板尺寸大鼠40X40mm，小鼠25X25mm13、条件信号，笼灯，红灯，绿灯，黄灯14、踏板数量：2个15、每个通道有独立的脉冲信号记录线，动物操作过程一目了然。 16、软件运行平台：台式电脑，笔记本，平板，手机等设备操作，支持局域网和校园网，标配服务器。   17、设备软件免维护：由于软件设置在云计算机，用户无需烦恼软件升级以及故障带来的烦恼。 18、设备硬件免连线：设备采用可自动组网连接，免除用户连接线路的烦恼，开机即用。   四、软件：1、实验看板：可监视动物操作状态，有效触发和无效触发，以及投食次数，实验进度等2、动物管理：用户可以添加动物分组、动物数量等添加和删除 3、项目管理：一套系统可以添加多个实验项目    

本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。

本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。

一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均