高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
石油产品凝点测定仪
产品详细介绍 SBSS-51A2石油产品凝点测定仪用途:本仪器适用于按GB/T510石油产品凝点测定法标准,测定石油产品的凝点。技术性能:冷浴最低温度:SBSS-51A2 0~-51℃(双孔)SBSS-51A1 0~-68℃(单孔)控温精度:±0.1℃60S计时,数显控温 电源:220V 50Hz
菏泽圣邦仪器仪表开发有限公司 2021-08-23
深圳点猫科技有限公司
编程猫专注于4-16岁中国孩子在线编程教育,是深圳点猫科技有限公司自主研发的一款图形化编程工具平台。通过学习编程猫自主研发的图形化编程课,学员可在平台上创作出游戏、软件、动画、故事等,以有趣的方式玩转STEAM学科。
深圳点猫科技有限公司 2021-02-01
思科 Catalyst 9100 无线接入点
使用 Catalyst 无线接入点开启您的 Wi-Fi 6 网络之旅 无线数据流量正以惊人的速度增长。随着生成的数据日益增多以及连接网络的设备不断增加,无线接入点在提供出色的用户体验方面发挥着至关重要的作用。 思科 Catalyst 9100 无线接入点专为满足这一需求而设计。Catalyst 9100 支持 Wi-Fi 6 标准(也称为 802.11ax),可满足当前和未来的网络需求。
思科(中国)有限公司 2021-02-01
深圳点扬科技有限公司
深圳点扬科技有限公司 2022-07-19
中国高等教育学会召开2025年重点工作研讨会
1月6日,中国高等教育学会召开2025年重点工作研讨会,深入贯彻落实全国教育大会精神和教育强国建设规划纲要战略部署,聚焦“围绕中心,服务大局,解放思想,创新发展,为加快建设教育强国贡献更多智慧和力量”主题,理清发展思路,谋划重点工作,统一思想,凝聚力量。
中国高等教育学会 2025-01-08
常温下对谷极化发光的高效调控
过渡金属硫化物(TMDCs)具有独特的谷自旋自由度可用于信息和传感等领域,是研发谷电子学微纳光电器件的重要材料。近年来,利用金属微纳结构(纳米线、纳米光栅、超表面等)调控TMDCs材料的谷偏振发射特性,实现了左旋/右旋光的空间方向选择性传播。然而,这些表面波导型微纳结构往往尺寸较大(>1μm2),难以满足微型化和高度集成的器件设计需求。基于自上而下制备的纳米结构对比湿法生长的,通常其表面粗糙度大且品质因子低,因而要求在低温度环境下才能展现调制效果。获得常温下高效调控TMDCs谷偏振发射特性的微纳结构器件成为当前备受关注的研究热点之一。近期工作中,北京大学极端光学团队利用扫描探针操控组装纳米颗粒,形成复合杂化纳米结构体,先后实现了调控纳米颗粒散射光和荧光,达到单向性发射 [Laser & Photon. Rev. 9, 530(2015);10, 647 (2016)]。在最新的工作中,课题组将探针微纳操控方法引入到手性特征微纳结构体系研究中,实现超小型手性光学天线高效调制谷极化发光特性。 实验上,研究团队利用扫描探针显微镜的针尖操控金纳米棒,组装制备出一种具有手征特性的立体空间V型天线(~0.02μm2)【图1(A)】。其中,将单层二硫化钼夹在天线中间,在纳米棒交叠区形成局域表面等离激元热点区,可显著增强光与物质相互作用,荧光强度增强约3个量级。单层二硫化钼在天线近场耦合和远场干涉等作用下,其远场辐射方向从各向同性被调制成单向性发射【图1(B)】;同时,由于天线的手性耦合特性使得TMDCs的荧光谷偏振度从18%提高到47%【图1(C)】。模拟计算表明,天线对于谷荧光的偏振度调控,由Purcell效应、局域模式耦合以及远场干涉效应共同决定。研究人员还利用探针操控的灵活性,通过原位改变两个金纳米棒的夹角和相对位置,获得具有左旋、右旋手征特性强弱不同的系列V型天线。实验测量结果均与模拟计算的预期相一致,有力地支持了该手性天线调控性能的有效性和高效性,这为开发谷光电子微纳器件奠定了基础。此外,研究人员还发现手性光学天线的量子效率依赖于量子发射体的手性,该发现为手性结构调控辐射场的相关研究新方向提供了可能性。
北京大学 2021-04-11
有源有机发光显示器的象素驱动电路
该驱动电路属专利技术,是一种有缘有机发光显示器的象素驱动电路,尤其是一种电压控制型的有源有机发光显示器的象素驱动电路。 有机发光显示器由于其具有亮度高,响应速度快和视角宽等优点,已经越来越受到研究人员的重视。其实发光器件OLED的驱动方式可分为无源驱动和有源驱动。采用无源驱动时,随着屏幕的增大,显示密度的提高,必须对像素施加较大的电流,这样会大大耗损发光器件OLED的使用寿命,因此对于大屏幕,高灰度级的显示,通常采用有源驱动方式。薄膜晶体管(TFT)是有源有机发光显示器象素驱动电路的主要组成部分,它的生产工艺有多种,由于非晶硅(a-Si)的生产工艺在有源液晶显示器(AMLCD)中的应用已经趋于成熟,因此采用非晶硅的生产工艺能够得到很高的性价比。目前,对于有源有机发光显示器的象素驱动电路的研究很多,在实际的生产中,目前的工艺水平很难保证各个象素中起到驱动作用的薄膜晶体管(TFT)的阈值电压Vth相同,因此在熟知的两管驱动方案中,由于屏幕上个像素驱动晶体管的阈值电压Vth的不一致性将导致整个显示屏亮度的不均匀,另外随着使用时间的增加,驱动晶体管的阈值电压也会随之升高,从而引起显示屏亮度的下降。为了补偿各个驱动晶体管阈值电压Vth的不一致性极其随着使用时间的变化对显示屏性能所造成的影响,人们提出了采用多晶体管的象素驱动方案。其中主要有电流控制型和电压控制型两种。在一般的电流控制型驱动电路中由于其存储电容需要很长的充电时间,所以应用中受到了极大的限制。最近有人提出了改进的电流控制型驱动电路,主要通过调节通过发电器件OLED的电流与输入数据电流的缩减比例,来减小数据线与像素存储电容之间的充电时间。这种电路虽然对于存储电容Cs的充电时间减少了,但是对于放光器件OLED本身的等效电容来说仍然需要很长的充电时间,因此并不能从根本上解决电路整体充电时间过长的问题。在电压控制型驱动电路中,由于开始时会有一个瞬间的大电流对存储电容和OLED本身的等效电容充电,所以能够极大地减少充电时间。 该驱动电路的优点: 1)它不但能够补偿由于驱动晶体管的阈值电压变化所造成的显示器亮度不一致和随着时间增加亮度下降的问题,而且由于采用的设计结构,使得驱动管的漏源极间电压同样不受发光器件OLED本身的非均匀性及其它因素的影响。 2)通过增加仅仅一个(TFT)晶体管,使得整个显示屏的显示性能有了大幅度的提升,适合于高端产品采用。
北京交通大学 2021-04-13
聚合物发光二极管
研发阶段/n内容简介:本项目采用改性PPV和其它聚合物,同时进行有效掺杂等技术,制备PLED(聚合物发光二极管)。现在PPV发光二极管已经进入了商业化开发阶段。它具有很强的电致发光性能,由于有较高分子量可形成高质量的薄膜,目前已开发出许多PPV衍生物。通过加入不同的侧链,决定PPV聚合物的颜色。如MEM-PPV,BuEH-PPV等聚合物。本项目是项目负责人在德国著名大学进行的研究成果之一。技术指标:器件工作电压小于3V,亮度高达6000cd/m2。寿命可以达到10000小时。应用领域:聚合物发光二极
湖北工业大学 2021-01-12
有机电致发光二极管
通过巧妙地选择一种强σ电子供体的环金属化配体,使用提高d-d激发态能级和引入较低的IL激发态能级两种策略,开发了一系列新的具有高发光强度的铑(III)配合物。这些配合物具有较高的热稳定性,薄膜的发光量子产率高达0.65,是一种很有前途的发光材料。值得注意的是,基于这些铑(III)配合物的真空沉积OLEDs的外量子效率(EQE)为12.2%,工作半衰
南方科技大学 2021-04-14
铜基量子自旋液体的候选者和铜基高温超导材料母体在掺杂后的电子结构
刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例,采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法,对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现,ZnCu3(OH)6BrF掺杂后,掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”,而是局域在一个铜原子周围,引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子(如图一所示)。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此,电子掺杂后,ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下,具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现,低掺杂浓度时,铜原子附近形成较为扩展的极化子,因此在高掺杂浓度时,这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加,实现半导体到导体的转变,与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象,指出要在量子自旋液体实现超导,仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的,还必须实现有效掺杂,注入一定浓度的“自由载流子”,为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。
南方科技大学 2021-04-13
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 13 14 15
  • ...
  • 226 227 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1