|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
晶盾®氧化铝纤维毯
氧化铝纤维晶盾®毯，是一种以莫来石晶相形式存在耐火纤维，采用化学“胶体法”制成母液，经喷吹法或甩丝法成纤制得胚棉，后段烧等工艺处理生产的纤维。氧化铝纤维毯，可应用于1250℃—1500℃各行业的高温领域。产品特性：渣球含量低，颜色洁白，原料纯度高耐高温，高温稳定性好低热导率，高温加热线收缩小化学性能稳定，耐侵蚀性能强纤维直径均匀，抗拉强度高主要技术性能指标： 氧化铝纤维晶盾®毯代码LYL
山东鲁阳节能材料股份有限公司
2021-08-30
一类N-取代胺基香豆素及其除草与杀菌用途
本发明涉及25种N‑取代氨基香豆素衍生物及其制备方法，以及在抑菌、除草方面的用途。25种N‑取代氨基香豆素衍生物，通过6‑氨基香豆素与间氟苯甲醛缩合并用NaBH4还原得中间体，再将其与不用酰氯在三乙胺存在下缩合得系列目标化合物。这些化合物可作为除草剂防治杂草马唐及反枝苋，也可作为杀菌剂防治番茄灰霉病菌及苹果腐烂病菌。
青岛农业大学
2021-04-13
取代喹喔啉胺类化合物及其制备方法和用途
本发明提供一类N-取代-3-取代喹喔啉-2-胺类化合物，是以喹喔啉类化合物为先导物，分别在喹喔啉母核的2位和3位引入不同的取代氨基和芳基，从而合成N-取代-3-取代喹喔啉-2-胺类化合物。本发明提供的化合物及其盐，经药理实验证实对肿瘤细胞有显著的体外抑制活性，IC50达到µM级，药理实验表明该类化合物的抗肿瘤活性和其对PI3K/Akt信号通路的抑制有关。本发明设计合理，制备方法简便，适于实用，可在制备抗肿瘤药物中的应用。本发明结构通式为：。
浙江大学
2021-04-13
北京九州同诚制冷设备有限公司
北京九州同诚制冷设备有限公司主要产品有：工业冷水机、冷却水循环机、低温冷冻机、分体式冷水机组、冷水机（±0.1℃），冷热一体机，螺杆式冷水机组，冷油机等系列。产品应用于焊接机器人、GM制冷机、实验室仪器、真空设备、汽车、电子、冶金、医疗制药、食品、机械重工、石油化工，光学仪器等领域。
北京九州同诚制冷设备有限公司
2024-01-26
具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物
本技术成果涉及一类具有抗肿瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮类化合物。
中山大学
2021-04-10
不对称多取代卟啉金(III)类抗癌化合物及其制备方法
本发明以四苯基卟啉金(III)为先导化合物，在卟啉环上引入不同较强极性基团改善分子的对称性，且通过较强极性基团的引入促进这类化合物在水中溶解能力，并强化多取代氯化四苯基卟啉金化合物对癌细胞的靶向作用。
扬州大学
2021-04-14
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介：本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10～20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8～14nm和2～6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学
2021-04-14
大颗粒状速溶食品（菊花晶和金银花晶）的开发及产业化
菊花晶和金银花晶具有清热去火的功效，目前市售的菊花晶和金银花晶主要 以粉末状的形态存在，外观形状较差，且溶解时所需的时间较长。本项目开发的 菊花晶和金银花晶颗粒较大，溶解性较好。
溶解时间：热水中 3 s 以内全部溶解，不使用食品添加剂。
效益分析：菊花和金银花中的有效成分具有清热去火等诸多功效，将其从菊花和金银花 中提取出来制备成菊花晶和金银花晶可以提高食用的方便。此外，将菊花晶和金 银花晶与奶粉同时食用，可以有效降低婴儿食用奶粉时引起的上火等问题。因此， 开发具有良好外观形态和溶解性的菊花晶和金银花晶具有较强的市场竞争力。
江南大学
2021-04-11
低成本纳米微晶陶瓷制备技术
本项目开发了一种全新概念的纳米陶瓷制备新工艺新技术。它采用天然矿物和工业废渣来取代高温烧结法中昂贵的纳米陶瓷粉末，使制备成本大幅降低。用高温溶胶－凝胶工艺从根本上解决了材料组成的不均匀性和残留气孔等问题，同时具有生产周期短、效率高、能耗低、制品的均匀性和可靠性好等优点。开发的原位受控晶化技术不仅使材料的晶粒尺寸控制在纳米级，而且还可对晶相数量和结晶形状进行有效控制，可获得具有球状或针状晶体的纳米微晶陶瓷。
湖南大学
2021-04-10
全自动激光晶圆划片机系统
电路是以晶圆为载体，采用一定的工艺，把电路中的元器件和布线制作在晶圆片上，封装为 一个整体，使晶圆上每个晶粒成为具有所需电路功能的微型结构。晶圆切割的过程是将集成有 电路的整片晶圆通过划切分割成单个的晶粒，切割过程又是一种无法恢复的过程，因此，材料 和制造成本的积累以及工艺的不可重复性决定了切割工艺成为整个集成电路制造过程中最关键 和难度最大的工艺环节。 精密机械：可加工的晶圆最小直径可达50mm，在晶圆里面印刷有晶格，每个晶格的宽度 为200μm，晶格间距约为20μm，所以设备的切割精度要求控制在2μm以内，每小时切割15片。 运动平台采用高精度的直线电机平台，定位精度为2μm，重复定位精度为1μm；旋转平台的定 位精度为30″，重复定位精度为4″。 计算机自动控制：划片机系统将根据客户要求以及配合视觉检测系统传输的晶圆数据，自 动生成切割路径，在规定的工作时间内完成晶圆的切割。
华东理工大学
2021-04-11